公开(公告)号：CN102569065A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110436748.2

申请日：2011-12-23

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 李述洲 ,  王艳明 ,  安国星

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种二极管芯片的酸洗工艺，依次为混合酸清洗，酸与双氧水混合清洗，氨水与双氧水混合清洗，所述酸与双氧水混合清洗液为双氧水，硫酸，纯水，它们的体积配比是双氧水∶硫酸∶纯水为1∶1∶15～30，混合液具体配制为：先加入纯水，在加入双氧水，最后加入硫酸。改进后的硫酸混合液能较好的替代磷酸混合液，且配比浓度低，既节约了成本，又消除了磷离子污染。

公开(公告)号：CN204257662U

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201420701628.X

申请日：2014-11-18

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王艳明 ,  刘章利 ,  安国星

IPC: H01L29/861 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L24/01

Abstract: 本实用新型公开了一种高性能轴向二极管，包括由下到上依次设置的下引线(1)、下焊片(2)、芯片(3)、上焊片(4)和上引线(5)，所述下引线(1)靠近下焊片端设置有引线钉头，所述上引线靠近上焊片端设置有引线钉头，所述下焊片(2)和上焊片(4)的直径相等，下焊片(2)与上焊片(4)的厚度比为1.5～2∶1，所述上、下引线(5、1)的引线钉头直径＝上、下焊片(4、2)的直径＞芯片(3)的直径。通过增加下焊片的厚度，使该结构的轴向二极管在工作状态时，上、下焊片导热效果更好，高温应力由较厚的下焊片进行缓解，芯片所受应力大大减小，从而保证芯片工作电场稳定，可靠性提升。

公开(公告)号：CN201975394U

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201020563851.4

申请日：2010-10-18

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王艳明

IPC: H01L29/861

Abstract: 本实用新型公开了一种超高压半导体整流器，包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线端面焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内，其中，晶粒尺寸为36mil。本实用新型的有益效果是：结构简单，并将原设计43mil晶粒更改为36mil晶粒，因此本实用新型不仅有耐压高的特点，而且以满足工艺条件降低成本为目的，提高产品市场竞争能力。