公开(公告)号：CN117081024A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311280218.2

申请日：2023-09-28

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  顾璐 ,  成亮 ,  张航 ,  敖华阳 ,  陈苗 ,  简洋 ,  周玉凤 ,  王瀚 ,  郭磊

IPC: H02H9/04 ,  H02J1/00

Abstract: 本申请提供一种直流过压浪涌抑制电路及方法，该电路包括：直流供电回路，包括第一直流电源，开关及负载，第一直流电源通过开关对负载提供电源电压，采样模块接电源电压并对电源电压进行采样，得到采样电压；通过反馈模块对采样电压进行电压‑电流转换，得到反馈电流，控制模块接反馈模块和开关，根据反馈电流调节开关的控制电压，当电源电压发生浪涌并超过预设电源阈值时，反馈电流增大以提升控制电压，将开关的工作状态由饱和区切换为线性区，以抑制浪涌输出。本申请通过采样模块对电源电压进行实时监控，提高对浪涌的抑制效率，通过切换开关的工作状态控制电源电压对负载的浪涌冲击，不仅降低电路设计的成本，也使得电路的体积得到优化。

公开(公告)号：CN117783802A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311715497.0

申请日：2023-12-13

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  成亮 ,  敖华阳 ,  顾璐 ,  张航 ,  陈苗 ,  周玉凤 ,  简洋 ,  郭磊

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：第一电源模块用于为控制模块和恒流模块提供工作电压；控制模块用于提供模拟控制信号，并输出模拟控制信号至恒流模块；恒流模块用于对所述模拟控制信号进行处理；开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；测试模块用于连接待测N型MOSFET，并测试待测MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的开启或关闭，并接收参数信号，并根据参数信号输出数据信号至所述测试模块；第二电源模块还用于将数据信号实时传输至控制模块。本发明还提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。

公开(公告)号：CN118951476A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411113336.9

申请日：2024-08-14

Applicant: 重庆理工大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 杨栋华 ,  胡凯伦 ,  李涛 ,  郭磊 ,  甘贵生 ,  徐向涛 ,  夏大权 ,  闫瑞东

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明涉及一种用于芯片互连的全IMC相Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn高熵低温焊料及其制备方法及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料成分按原子百分比计为25％‑35％的锡、21％‑35％铋、25％‑35％的铟、5％的银及5％‑10％的锌，通过感应熔炼实现焊料的制备。本发明所述的封装用Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn全IMC相高熵低温焊料，所有物相均为IMC相，分别为InSn4‑γ、InBi相及AgZn相，其中InSn4‑γ相类似于固溶体，铋原子在其中高度固溶，具有高混合熵。其熔点

公开(公告)号：CN117825852A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410014885.4

申请日：2024-01-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  成亮 ,  敖华阳 ,  顾璐 ,  张航 ,  陈苗 ,  周玉凤 ,  简洋 ,  郭磊

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/12

Abstract: 本发明提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：控制模块用于提供第二控制信号，并将第二控制信号传输至运放模块；控制模块用于输出电压信号至第一开关模块；运放模块用于对第二控制信号进行处理；第一开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；第二开关模块用于将处理后的第二控制信号传输给测试模块；测试模块用于连接待测P型MOSFET，并测试待测P型MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的打开或关闭，并接收第一数据信号，并根据第一数据信号输出第二数据信号至测试模块。本发明还提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。

公开(公告)号：CN220963321U

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202322752729.1

申请日：2023-10-12

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 唐正 ,  徐向涛 ,  夏大权 ,  闫瑞东 ,  唐鑫 ,  文晓东 ,  郭磊

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本实用新型属于半导体封装技术领域，提供一种芯片顶面散热的封装结构。本实用新型包括引线框架、芯片和封装体，所述引线框架包括框架本体和分别设置在所述框架本体两侧的左引脚和右引脚，所述左引脚和右引脚配置成用于抬高所述框架本体，且所述框架本体上设置有基岛；所述芯片设置在所述基岛上，所述芯片背离所述框架本体的一面连接有导热件；所述封装体封装于所述芯片、所述导热件和所述引线框架外部，且所述框架本体背离所述芯片的一面、所述左引脚和所述右引脚的末端均外露于所述封装体。本实用新型可以实现芯片顶面快速散热，提高封装结构的散热能力，有利于封装结构的温度维持在安全范围，提高封装结构的使用寿命。

公开(公告)号：CN217983334U

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202222292524.5

申请日：2022-08-30

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  闫瑞东 ,  郭磊 ,  马鹏 ,  周玉凤 ,  徐向涛 ,  马红强 ,  李述洲

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接框架以及封装结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元在朝向所述框架本体的一侧设置有凸台，所述跳线单元在背离所述框架本体的一侧设置有散热平面。本实用新型解决现有了技术中半导体器件在封装键合时采用引线键合散热性能差、导通电阻高、散热效果差和封装体积控制困难的问题，通过双面散热结构增大散热面积，通过框架与跳线单元的贴装焊接在缩减封装体积的同时有效降低导通损耗，使得电流承载能力得到巨大提高，有效增强散热效果。