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公开(公告)号：CN116995103B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310826379.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。
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公开(公告)号：CN118763113A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411013451.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种氧化镓超结鳍型场效应晶体管，将第一P型氧化物和氧化镓漂移层引入到氧化镓超结鳍型场效应晶体管中形成超结结构，在超结区域的顶部和底部分别设置缓冲层，通过第一氧化镓缓冲层将P柱与衬底进行隔离，使得器件不会在超结区域底部提前击穿，在氧化镓漂移层顶部也设置有缓冲层，降低鳍型场效应晶体管在栅氧介质层上的电场强度，防止器件在此处提前击穿。本申请设置的双缓冲层结构降低超结区域与其他区域交界处的电场强度，使得超结漂移区内部的电场先达到临界击穿场强，有效地避免了器件的破坏性击穿，以使氧化镓超结鳍型场效应晶体管具有低导通电阻和高击穿电压的优势。
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公开(公告)号：CN112885804A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110250762.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/367 , H02S40/34 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN108206640B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201711461280.6
申请日：2017-12-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法，同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容；制造方法包括以下步骤：S1，使用软焊料工艺对MOS管进行粘片；S2，使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；S3，使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接，使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接；S4，使用低应力、耐高温塑封料进行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。
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公开(公告)号：CN105762076A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610110506.7
申请日：2016-02-29
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/66143
Abstract: 本发明公开了一种扩散型高压大电流肖特基芯片生产的工艺，依次包括选取原始N型硅片、表面磷沉积、高浓度N+磷扩散、切割分离、化学机械抛光、硅片分类、一次氧化、一次光刻、硼扩散、二次光刻、肖特基势垒金属溅射、肖特基势垒形成、正面接触金属蒸发、正面金属光刻、背面处理、蒸发背面接触金属得到成品，用本发明的生产工艺加工的扩散型JBS肖特基芯片特别适宜于制造大电流工艺芯片，其成本至少比外延工艺低三分之一；同时，扩散型工艺形成的JBS肖特基芯片125℃下的高温漏电流比外延工艺小30%以上,缺陷率明显低于外延工艺；而且本工艺简单，易于实现批量化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119820172A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411113429.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 重庆理工大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于先进封装的Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn高可靠性高熵合金低温焊料及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料成分按原子百分比计为25％‑35％的锡、25％‑35％铋、25％‑35％的铟、5％的银及5％‑10％的锌，通过感应熔炼的方式实现焊料的制备。本发明所述用于电子封装的Sn‑In‑Bi‑Ag‑Zn高可靠性高熵合金低温焊料主要物相为锡基固溶体和铟铋相，铋、铟原子在锡基固溶体中高度固溶，促进了焊料的固溶强化。其熔点仅80‑90℃，极低的熔点可有效减少CET不匹配引起的翘曲问题。其低温润湿性能良好，120℃下在铜基底上润湿时润湿角≤33°。同时其无需扩散阻挡层既能实现对界面IMC快速生长的抑制，在长时间及多次回流的条件下仍能保持薄的IMC层，可显著减少IMC在微焊点中的体积占比，降低IMC对焊点力学性能及可靠性的影响，长时间及多次回流后仍能保持良好的力学性能，适用于要求低封装温度或高热可靠性的柔性封装及3D IC封装等先进封装。
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公开(公告)号：CN116845112B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
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公开(公告)号：CN119188030A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411380316.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 重庆理工大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B23K35/363 , B23K35/36
Abstract: 一种镀镍层用无卤素预涂覆软钎焊助焊剂，按重量百分数计组分包括：改性松香10％～50％，活性剂1.0％～10％，表面活性剂0.5％～2.0％，抗氧化剂1.0％～3.0％，缓蚀剂1.0％～3.0％，添加剂1.0％～3.0％，余下为溶剂；其涂覆方法的步骤包括：将按照原组分材料配置助焊剂水浴恒温，将焊片平铺在聚四氟乙烯塑料板上90℃～100℃预热半分钟，滴加适当恒温预涂覆用助焊剂溶液于焊片上，涂刷均匀后加热烘干，烘干后冷却至室温即得到预涂覆助焊剂成型焊片。本发明解决了现有助焊剂用于预涂覆焊片存在含有Cl、Br等卤素、涂覆困难和助焊剂涂层相互触压出现黏连等问题。本发明所述助焊剂无卤素、有适当的活性、涂覆烘干后不沾手，且焊接时间短、润湿性好、易清洗；对镍及镍合金能够进行很好的焊接。
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公开(公告)号：CN119050154A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411191919.3
申请日：2024-08-28
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管，在场效应晶体管处于宇宙射线或重离子入射的状态时，因场效应晶体管内设置有第一导电类型多晶硅源极区域，使得寄生晶体管开启时电流增益降低，降低了器件的载流子倍增效应，以改善器件抗单粒子性能，再通过第二导电类型多晶硅源极区域形成一条空穴流动的通道，以将重离子入射时在氧化层下产生的空穴排除器件，使得氧化层内部的峰值电场降低。本申请在降低器件载流子倍增效应后，再通过空穴通道提高抗单粒子辐照性能，使得器件具有低的氧化层峰值电场和漏极电流，改善场效应晶体管的抗单粒子栅穿性能和烧毁性能，以提升了器件的抗单粒子辐照的能力。
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公开(公告)号：CN108206640A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711461280.6
申请日：2017-12-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法，同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容；制造方法包括以下步骤：S1，使用软焊料工艺对MOS管进行粘片；S2，使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；S3，使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接，使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接；S4，使用低应力、耐高温塑封料进行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。
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