公开(公告)号：CN117825852A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410014885.4

申请日：2024-01-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  成亮 ,  敖华阳 ,  顾璐 ,  张航 ,  陈苗 ,  周玉凤 ,  简洋 ,  郭磊

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/12

Abstract: 本发明提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：控制模块用于提供第二控制信号，并将第二控制信号传输至运放模块；控制模块用于输出电压信号至第一开关模块；运放模块用于对第二控制信号进行处理；第一开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；第二开关模块用于将处理后的第二控制信号传输给测试模块；测试模块用于连接待测P型MOSFET，并测试待测P型MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的打开或关闭，并接收第一数据信号，并根据第一数据信号输出第二数据信号至测试模块。本发明还提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。

公开(公告)号：CN117783802A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311715497.0

申请日：2023-12-13

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  成亮 ,  敖华阳 ,  顾璐 ,  张航 ,  陈苗 ,  周玉凤 ,  简洋 ,  郭磊

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：第一电源模块用于为控制模块和恒流模块提供工作电压；控制模块用于提供模拟控制信号，并输出模拟控制信号至恒流模块；恒流模块用于对所述模拟控制信号进行处理；开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；测试模块用于连接待测N型MOSFET，并测试待测MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的开启或关闭，并接收参数信号，并根据参数信号输出数据信号至所述测试模块；第二电源模块还用于将数据信号实时传输至控制模块。本发明还提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。

公开(公告)号：CN117423668A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311391331.8

申请日：2023-10-24

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 成亮 ,  陈云乔 ,  敖华阳 ,  张航 ,  顾璐

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本申请提供一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法，所述双面散热结构包括：金属框架；金属引脚，设置于所述金属框架外侧，并与所述金属框架分隔开；驱动芯片，设置于所述金属框架上；两个晶体管，其分别设置于所述金属框架上，并与所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片和所述晶体管通过键合线与所述金属引脚键合；散热片，跨接在所述两个晶体管背离所述金属框架的一侧。本申请可提高器件的散热性能，保证器件运行的稳定性。

公开(公告)号：CN117476633A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311391319.7

申请日：2023-10-24

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  顾璐 ,  成亮 ,  张航 ,  敖华阳 ,  陈苗 ,  简洋 ,  周玉凤 ,  王瀚

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H02M7/00 ,  H02M1/42

Abstract: 本申请提供一种功率芯片、功率芯片制作方法及功率因数校正电路，该功率芯片包括：晶体管和二极管；框架，其包括相互独立的第一基岛和第二基岛，所述晶体管设置于所述第一基岛上，且所述晶体管的源极与所述第一基岛电性连接，所述二极管设置于所述第二基岛上，所述二极管的正端分别连接所述第二基岛和所述晶体管的漏极，所述二极管的负端作为输出端；金属引脚，设置于所述框架的侧方，以引出所述晶体管的栅极和所述输出端；封装体，用于覆盖所述第一基岛、所述第二基岛、所述晶体管以及所述二极管。本申请可有效减少PFC电路中器件的占板面积，提高器件的稳定性。

公开(公告)号：CN117081024A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311280218.2

申请日：2023-09-28

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  顾璐 ,  成亮 ,  张航 ,  敖华阳 ,  陈苗 ,  简洋 ,  周玉凤 ,  王瀚 ,  郭磊

IPC: H02H9/04 ,  H02J1/00

Abstract: 本申请提供一种直流过压浪涌抑制电路及方法，该电路包括：直流供电回路，包括第一直流电源，开关及负载，第一直流电源通过开关对负载提供电源电压，采样模块接电源电压并对电源电压进行采样，得到采样电压；通过反馈模块对采样电压进行电压‑电流转换，得到反馈电流，控制模块接反馈模块和开关，根据反馈电流调节开关的控制电压，当电源电压发生浪涌并超过预设电源阈值时，反馈电流增大以提升控制电压，将开关的工作状态由饱和区切换为线性区，以抑制浪涌输出。本申请通过采样模块对电源电压进行实时监控，提高对浪涌的抑制效率，通过切换开关的工作状态控制电源电压对负载的浪涌冲击，不仅降低电路设计的成本，也使得电路的体积得到优化。