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公开(公告)号：CN108411250A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810140108.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于一种光电薄膜制备技术领域，具体涉及一种采用电子束蒸发技术制备Ga2O3光电薄膜的方法。本发明提供的技术方案是：通过Ga2O3高纯（99.995%）粉体制胚并真空烧结，再粉碎成粒后作为起镀材料，采用e型枪对起镀材料进行直接真空蒸发，使起镀材料气化成分子或原子沉积在衬底材料上，并通过控制沉积速率和沉积氛等关键工艺参数，最终获得大面积高纯度的Ga2O3薄膜。本发明方法制备成本低、重复性好、工艺要求简单、可控性好，所获得的薄膜呈现各向同性的非晶结构，在可见-近红外范围透过较高，吸收较小，不仅适宜于光学应用，并且通过后退火处理，使其晶化后具有紫外光电探测和气敏等特性。
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公开(公告)号：CN108385110A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810297952.2
申请日：2018-04-04
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及离子束技术领域，具体涉及一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法。其包括传递室、刻蚀室、溅射沉积室以及设于传递室与刻蚀室，刻蚀室与溅射沉积室之间的插板阀，传递室、刻蚀室和溅射沉积室内设有三者之间传送工件的工件传送装置。以及应用此设备发明的一种抛光方法，其流程为：首先在传递室装载工件，其次在刻蚀室对工件离子束清洗，再次在溅射沉积室对工件溅射沉积一层薄膜层（牺牲层），进而在刻蚀室对工件进行离子束修正抛光，最后通过传递室取出工件，实现光学元件的抛光。
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公开(公告)号：CN107814568A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711034803.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 西安工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开一种稀土掺杂钛酸铋钠钙钛矿材料及其制备方法，属于无机材料技术领域，一种稀土掺杂钛酸铋钠钙钛矿材料化学通式为Bi0.5-x-yMxYbyNa0.5TiO3，M为稀土元素离子，x的取值范围为0.001≤x≤0.2，y的取值范围为0≤y≤0.3，通过溶胶-凝胶自蔓延燃烧法制备的稀土掺杂钛酸铋钠纳米粉，相比现有技术合成温度显著下降，可以在200℃-300℃的低温下合成；用所得纳米粉制备的陶瓷块体材料的最终烧结温度也得到显著下降，在800℃-1000℃的较低温度下合成，而且呈现结晶完好的钙钛矿相结构，在红外光的激发下能够实现上转换发光，相比现有技术其介电特性、铁电特性和压电特性都得到了改善，并且不含铅，环保无污染。
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公开(公告)号：CN104946879A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510262261.5
申请日：2015-05-21
Applicant: 西安工业大学
IPC: C21D10/00
Abstract: 本发明涉及一种控制铁电晶体电畴的方法和装置，本发明的方法依次包括以下步骤：一.将铁电晶体温度升至相变温度以上200至1000摄氏度之间，保温时间10~20分钟；二.沿垂直于电极方向施加强度大于两倍矫顽场的电压，同时将电流控制在1至3毫安，保持10~20分钟；三.以小于2摄氏度/分钟的速率降温，同时调整外置电场强度，使其一直处于两倍矫顽场以上，最后降温至室温；本发明的装置，包括高精度温控炉、高精密线性电流电压源、系统保护电路和设置于高精度温控炉中的夹具模块。本发明避免了畴工程化铁电晶体内部微裂纹问题，通过精确控制减小电畴尺寸，可使其温度稳定性得到提高，最终有效提高了铁电晶体压电效应。
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公开(公告)号：CN102560398B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210001559.7
申请日：2012-01-05
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种利用高刚性薄膜应力提高压电基底性能的方法。本发明是为了解决在现有工艺条件下，叉指电极周期长度不能无限制细微化提高声波传播速度的问题。本发明提供一种利用高刚性薄膜应力提高压电基底性能的方法，是在压电基底上沉积高刚性薄膜，采用磁控溅射镀膜方法控制高刚性薄膜应力，使压应力达到5～10GPa范围内。通过提高机械性能改善声学性能制作高性能SAW器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103314844A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310283929.5
申请日：2013-07-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: A01H1/06
Abstract: 本发明涉及一种改变孔雀草花型和花色的方法。孔雀草新品种的选育方法主要有自然变异、杂交育种、太空育种以及离子辐射诱变育种等，但自然变异频率低，杂交育种过程复杂，而太空育种成本高。本发明将孔雀草干种子竖插于培养皿的花泥上，胚芽朝上，露出胚芽部分；将准备好的样品放入离子辐射真空系统中，面向辐射源；真空系统抽取真空至10-4Pa；开启离子辐射源，调整离子辐射工艺参数；进行离子辐射，完成后关闭离子辐射源，给真空系统充气，取出孔雀草干种子进行培育。本发明成本低，变异频谱宽，变异率高，操作方便，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102445277B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110304195.5
申请日：2011-10-10
Applicant: 西安工业大学
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1335 , G01J5/02
Abstract: 本发明涉及一种用于红外热成像探测器件的液晶盒。基于液晶旋光效应的红外热成像探测器，其液晶本身的红外吸收低，很难将其作为红外敏感材料。本发明涉及的用于红外热成像探测器件液晶盒设置上基板、下基板、基板内侧的取向层、取向层之间夹设的液晶层以及密封环，上基板透红外且透可见，另一块透可见；取向层采用透红外和可见的聚合物材料制作而成，两个取向层上朝向液晶层的一侧分别设置有相互垂直的均布的平行沟槽，取向层上采用薄膜沉积的方式镀制有红外吸收层，红外吸收层采用对中远红外具有较好吸收特性的材料制作而成。本发明提高了薄膜的红外吸收率；提高了红外吸收的转化效率，提高了红外探测的灵敏度。
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公开(公告)号：CN102437832A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201210001653.2
申请日：2012-01-05
Applicant: 西安工业大学
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明涉及一种混合集成的声表面波器件结构，特别适用于高频、高机电耦合系数、高集成度的声表面波器件。现有技术声表面波器件的体积和重量较大，无法满足要求苛刻的武器装备。为了解决现有技术中的问题，本发明提供的一种混合集成的声表面波器件结构，是用压电晶体作为薄压电层，薄压电层的厚度为10-80um，在压电晶体上表面设置叉指换能器，叉指换能器简称IDT；然后在IDT上设置类金刚石薄膜表层，类金刚石薄膜厚度为1-10um；在厚硅的一个表面上设置集成电路层；最后通过低温键合技术将压电晶体的下表面与厚硅上表面进行键合。本发明降低了器件的体积同时也降低了器件的重量。
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公开(公告)号：CN102275906A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110153147.0
申请日：2011-06-09
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及到石墨烯的制备技术领域，特别涉及一种常温制备石墨烯的方法。本发明要克服现有技术需要在高温工艺，以及与半导体工艺不兼容和污染环境的缺点。本发明提供的技术方案是，一种室温制备石墨烯的方法，依次包括下述步骤：（一）取氧化石墨烯溶解于溶剂中获得氧化石墨烯的溶液，（二）经过旋涂或者提拉工艺，在基片表面获得氧化石墨烯薄膜；（三）在常温和真空环境中，氧化石墨烯薄膜经过荷能氢原子/离子/分子处理，还原氧化物石墨烯，获得纯净的石墨烯。本发明的优点是：在室温和真空环境下即可制备石墨烯，摒弃了以往石墨烯制备需要的高温环境，降低了能耗；本发明的制备工艺和目前半导体工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN119984009A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510162648.7
申请日：2025-02-14
Applicant: 西安工业大学 , 四川至臻精密光学有限公司
Abstract: 本发明涉及光学玻璃检测技术领域，公开了一种玻璃材料光学平板表面粗糙度检测装置，包括底板台，底板台的顶部固定安装有升降台，升降台的上方用于放置有光学玻璃，底板台的正上方固定安装有检测台，检测台的正上方对称设置有清洁棒，通过升降组件带动触针头下降逐渐触碰光学玻璃的表面进行检测的过程中，两个清洁棒能够沿着光学玻璃的表面进行移动，且在清洁棒进行移动过程中，能够通过自转组件进行转动，且转动的方向与移动的方向相同，清洁棒在移动与自转的相互配合下，实现了将光学玻璃表面的杂质进行清除的效果，杂质的清除在触针头下降过程中实现，节省了单独进行杂质清除的时间，提高工作效率。
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