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公开(公告)号：CN110509546B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910837026.4
申请日：2019-09-05
Applicant: 西安工业大学
IPC: B29C64/135 , B29C64/282 , B29C64/393 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明公开了一种利用多波长紫外投影的可编程4D打印方法，包括以下步骤：1.根据被打印产品的功能设计，选用固化性能对紫外波段内不同波长具有选择性的光敏材料；2.根据所选光敏材料的特性，选择含有所需波长的光源及分别透过这些波长的滤光片；3.根据被打印产品的功能需求确定不同位置点所采用的固化波长，完成对整个产品不同位置性能的“编程”，并将程序写入光固化系统的DLP投影模块；4.根据所编程序逐层固化被打印材料，从而打印出所设计的不同部位的性能存在差异的4D产品；本发明对每层材料上不同位置点利用不同波长紫外光进行光固化，本发明减少了更换喷头、更换料池、清洗样品表面等工序，因此流程更简单，打印效率更高。
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公开(公告)号：CN111555655A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010416021.7
申请日：2020-05-16
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 基于三维石墨烯的集成微纳能量回收存储芯片及其工作方法，该芯片由自下而上的基座、中间层、顶层以及嵌套在这三层结构中的发电正极模块、发电负极模块以及电容模块构成；其中发电正极模块和发电负极模块，分别是内部包含正极颗粒和负极颗粒的多孔三维石墨烯，在芯片受到振动时颗粒与三维石墨烯壁面碰撞摩擦，分别产生正负电荷，经过电源管理模块处理后向外供电；电容模块作用是在发电功率大于供电功率时存储振动能量转换而来的电能，并在发电功率不足时向外补充供电。本发明芯片中集成了能量回收和存储元件，可以持续向外供电并存储富余电量。芯片采用微纳工艺制造，体积小，适用于移动消费电子产品与物联网等。
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公开(公告)号：CN111555654A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010416009.6
申请日：2020-05-16
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 集成微纳能量回收存储芯片及其工作方法，该芯片由自下而上的基座、中间层、顶层以及嵌套在这三层结构中的发电正极模块、发电负极模块以及电容模块构成；其中发电正极模块和发电负极模块在芯片受到振动时分别产生正负电荷，经过电源管理模块处理后向外供电；电容模块包含电容正极、电容负极和其他组成元件，其作用是在发电功率大于供电功率时存储振动能量转换而来的电能，并在发电功率不足时向外补充供电。本发明芯片中集成了能量回收和存储元件，可以持续向外供电并存储富余电量。电容正极与电容负极采用高密度、高孔隙率的三维石墨烯制作，能量密度高，体积小，适用于移动消费电子产品与物联网等。
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公开(公告)号：CN111504950A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010416016.6
申请日：2020-05-16
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开一种光学干涉型气体传感器及其工作方法，该传感器包括光源、光纤、测量臂、参考臂和光探测器；测量臂分子交换膜能够使直径小于等于被测气体的气体分子进入，参考臂分子交换膜只能使直径小于被测气体的气体分子进入，进入了测量臂和参考臂的光的相位由于所进入气体分子的折射率以及气体分子数量的不同，而产生了不同的变化，而这两束光的相位差反映了被测气体和参考气体的浓度差，光探测器探测到光强的变化后，推算出被测气体浓度的变化；由于本发明气体传感器采用的是光的干涉原理，光学干涉的分辨率在纳米级，因此其灵敏度将会得到极大的提升，并且该传感器的参考臂是可拆卸型，可根据所需要检测的气体进行相应参考臂的更换。
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公开(公告)号：CN109950366B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910276109.0
申请日：2019-04-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种在三维微结构表面制备透明导电纳米线网格薄膜的方法，首先制作上表面具有三维微结构的刚性基底，然后采用压印方式以刚性基底为模板制作与之配合的柔性压板，在刚性基底三维微结构上涂覆导电纳米线混合液并用柔性压板向下挤压至二者之间保留一定间隙，留存在间隙中的导电纳米混合液干燥后即得到附着在刚性基底三维微结构表面的纳米网格薄膜，网格中相互搭接的导电纳米线实现电路导通，纳米线之间的网孔透光，实现透明，即实现三维微结构表面的透明导电纳米线网格薄膜制备；刚性基底在涂覆导电纳米线混合液之前采用氧化后腐蚀的方法形成微台阶，与柔性压板配合可以控制间隙尺寸；所得透明导电纳米线网格薄膜质量高，制备效率高，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887943A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910162591.5
申请日：2019-03-05
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法，该选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极、光敏层和上电极构成，不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定，所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。本发明解决现有技术中的探测器结构无法同时实现可见光-近红外多波段吸收增强探测的问题。
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公开(公告)号：CN109596225A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811564572.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高效能谐振腔的红外探测器及其制备方法，为了提高芯片集成度，该探测器的谐振腔位于硅片内部，与传统红外探测器件相比，敏感薄膜所处的真空腔仅几微米高，腔体空间大大减小，更容易形成及保持较高真空，避免空气对流引起的敏感层热损失。敏感层薄膜位于谐振腔正中间，上反射层为上衬底背面半透半反的薄金属层；下反射层为下衬底上表面全反射的厚金属层，光在谐振腔中反射一个来回就可穿过敏感层薄膜两次，使得穿透敏感层薄膜的次数增多，增加了光吸收率。谐振腔反射层的制备方法为常规的光刻、镀膜、腐蚀工艺，流程简单易实现，并且在两个衬底上分别制作金属柱，最后用倒装芯片键合组装成谐振腔，工艺巧、成本低、精度高。
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公开(公告)号：CN105731363A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610104758.9
申请日：2016-02-25
Applicant: 西安工业大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00468
Abstract: 本发明公开了一种制作超光滑聚合物表面的制备方法及其装置。该方法是：在硫化锌等基底上车削出周期性刀痕获得粗糙表面样片；然后对获得的样片用丙酮浸泡，擦拭，冲洗，用高纯氮气吹干；最后在样片表面旋涂一层光刻胶薄膜；将一路干燥的高纯氮气通入光刻胶溶剂PGMEA中，并以鼓泡的方式将挥发的溶剂气体带出，和另一路干燥的高纯氮气在混气室内充分混合并加热后，吹拂到样片表面的光刻胶薄膜上，使得原本起伏和粗糙的表面发生粘性流动而趋于光滑。本发明无需特殊的加工条件和复杂的设备，克服了现有平坦化技术的缺点，可以有效简便地制备超光滑聚合物薄膜，提高了生产效率，制备出的薄膜可以作为牺牲层，应用于MEMS悬空器件制作和辅助刻蚀抛光技术。
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公开(公告)号：CN104923463A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510261654.4
申请日：2015-05-21
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及KDP光学表面平坦化方法。目前KDP晶体的超精密加工方法会在KDP晶体表面残留抛光液，在KDP晶体表面产生小尺度波纹，影响KDP晶体的光学表面质量。本发明以经过单点金刚石车削抛光后的KH2PO4 光学晶体材料作为加工对象，采用自旋涂胶的方法在KH2PO4 光学晶体材料的光学表面涂覆一层聚合物膜，再经真空热处理后在KH2PO4 光学晶体材料表面形成一层表面粗糙度低的聚合物层，聚合物层的上表面为平坦化表面。本发明在KDP表面形成一层机械性能良好、性质稳定、表面粗糙度低的聚合物膜，工艺过程简单，对设备要求低，成本低廉，在KDP光学表面可获得较好的平坦化效果，且应用前景可观。
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公开(公告)号：CN102275906B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110153147.0
申请日：2011-06-09
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及到石墨烯的制备技术领域，特别涉及一种常温制备石墨烯的方法。本发明要克服现有技术需要在高温工艺，以及与半导体工艺不兼容和污染环境的缺点。本发明提供的技术方案是，一种室温制备石墨烯的方法，依次包括下述步骤：（一）取氧化石墨烯溶解于溶剂中获得氧化石墨烯的溶液，（二）经过旋涂或者提拉工艺，在基片表面获得氧化石墨烯薄膜；（三）在常温和真空环境中，氧化石墨烯薄膜经过荷能氢原子/离子/分子处理，还原氧化物石墨烯，获得纯净的石墨烯。本发明的优点是：在室温和真空环境下即可制备石墨烯，摒弃了以往石墨烯制备需要的高温环境，降低了能耗；本发明的制备工艺和目前半导体工艺完全兼容。
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