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公开(公告)号：CN118329396A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410493186.2
申请日：2024-04-23
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种可调偏振态的激光诱导损伤阈值测量装置以及测量方法，包括：激光器光源，激光器光源设置有两个出光口，用于输出波长为1064nm、532nm、266nm的准直脉冲激光，第一出光口输出波长1064nm脉冲激光，第二出光口输出波长532nm和266nm脉冲激光；光路切换装置，光路切换装置安装在所述激光器光源的一侧，用于反射波长532nm和266nm的脉冲激光；光程延长装置，本发明测试过程全自动，测试效率高；可以改变作用在样品表面激光的偏振状态，包括圆偏振，椭圆偏振以及线偏振角度；采用共轭测量光路，实时测量光斑直径和能量，保证测试结果准确；聚焦系统可实现聚焦光斑直径0.2‑0.8mm可变，适用范围更广；采用多种在线损伤判别方法进行综合判别，更准确。
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公开(公告)号：CN116839870B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310789813.2
申请日：2023-06-30
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及薄膜等离子体闪光持续时间的确定方法及装置，该方法通过持续测量薄膜表面等离子体冲击波压强ps随时间的变化，获得薄膜表面等离子体冲击波速度vs随时间的变化，vs由最大值降为零所需的时间，即为薄膜等离子体闪光持续时间。本发明装置包括气压计、声速测量计和操作控制台，以及沿光路依次设置的激光器、衰减器、聚焦系统、分束器和样片台，待测薄膜固定在样片台上，在待测薄膜的表面边缘布设压力传感器。本发明方法和装置可以有效地确定薄膜等离子体闪光持续时间，为提高薄膜元件激光防护性能提供有力的支持。
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公开(公告)号：CN116419554B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310321240.0
申请日：2023-03-29
Applicant: 西安工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯精准叠加结构及其制备方法和应用，该结构由金属箔网栅层和石墨烯叠加层组成，其具有高透光性和强电磁屏蔽性能，能够多次吸收和反射电磁波，有效地提高传统金属结构的电磁屏蔽性能。该结构的制备方法利用激光束刻蚀工艺，在石墨烯叠加层/金属箔表面精准地形成预设的刻蚀结构，得到与设计相符的石墨烯叠加结构。该方法严格控制每一层石墨烯的叠加工艺，根据表征结果消除缺陷，协同调控刻蚀结构，将金属图形化和石墨烯连续覆盖有机结合，操作简单，可控性强。该结构在高透光性兼备强电磁屏蔽的应用领域有广阔的前景。
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公开(公告)号：CN113504588B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110763474.1
申请日：2021-07-06
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，该器件是将介质薄膜作为红外增透层与石墨烯薄膜组合，构建三明治结构的红外增透薄膜器件；利用石墨烯网栅叠加红外增透薄膜的方法实现兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备。对其透明电磁屏蔽性能进行测试分析，本发明薄膜器件保持了红外增透膜的高透过率，同时具备良好的电磁屏蔽性能，能够解决现有装备窗口不能同时满足红外增透和电磁屏蔽的问题，研究成果可广泛的应用于各类装备窗口表面并为新型多功能复合薄膜的应用奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN110608677B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201911003526.4
申请日：2019-10-22
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明涉及一种基于圆光栅径向剪切干涉仪的三维位移测量方法。现有的基于莫尔条纹方法的三维位移测量过程中需要移动探测器，无法实现瞬时测量，并且会引入探测器位置误差。本发明采用的装置包括圆光栅径向剪切干涉仪、半圆环形的空间滤波器和二维图像探测器。首先，利用半圆环形空间滤波器在径向剪切干涉仪的频谱面上对1级频谱的一半进行滤波，二维图像探测器位于径向剪切干涉仪的成像面上，可以同时获得+1和‑1衍射级次的莫尔条纹图像。然后，对莫尔条纹图像进行坐标变换、去噪、二值化、细化处理，获得亮条纹骨架图。最后，利用亮条纹的位置关系，反演出三维位移分量。该方法具有瞬时测量、精度高、适应性强等优点，较好地解决了三维位移的实时测量问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109898069A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910322314.6
申请日：2019-04-22
Applicant: 西安工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/517 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种在金属微孔内沉积类金刚石薄膜的装置和方法。本发明的目的是要在具有金属微孔结构的产品内进行均匀、高效的类金刚石薄膜的沉积。所提供的技术方案是：一种在金属微孔内沉积类金刚石薄膜的装置，包括真空室、微波源、等离子体源和基座，基座上设置有样品台，样品台上设置有固定座，固定座一侧设置有安装板，安装板上固定有喷嘴装置。沉积方法为：将带有金属微孔的样品放入固定座内，金属微孔与喷嘴装置的金属喷头同轴设置，在金属喷头施加负偏压，样品与电源正极相连通，在给定的工艺参数条件下，采用微波激励的高密度等离子体辅助气相沉积。本发明可在金属微孔内成功沉积DLC薄膜，为提高金属微孔耐磨特性提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN109682795A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811022571.X
申请日：2018-09-03
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01N21/73
CPC classification number: G01N21/73
Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体点燃时间判别薄膜损伤的方法及装置。解决了等离子体闪光法对薄膜损伤识别的误判问题，技术方案是：用至少三个探测器分别获取空气和薄膜等离子体闪光信号及入射激光信号，以后者为基准，得到空气和薄膜等离子体闪光点燃时间，准确分辨出空气和薄膜等离子体闪光，消除误判。实现步骤是分别采集基准和闪光信号；获取基准和闪光信号起始时刻；以基准和闪光信号起始时刻之差作为闪光点燃时间；建模计算闪光点燃时间；比较并得出损伤识别判据。本发明建立的点燃时间计算模型，可针对任意单层薄膜；装置结构简单，测量精度达0.1ns，能准确进行薄膜损伤识别，可靠性好。本发明应用于强激光作用下的光学薄膜损伤判别。
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公开(公告)号：CN109384218A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811518846.9
申请日：2018-12-12
Applicant: 西安工业大学
IPC: C01B32/186 , H01B13/00 , H01B5/12
CPC classification number: C01B32/186 , C01B2204/22 , H01B5/12 , H01B13/0026
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯网栅薄膜的制备方法，该方法的主要思路是在石墨烯薄膜制备过程中，将旋涂有PMMA保护层的石墨烯薄膜吸附于具有光刻胶图案的石英板上，之后去除光刻胶图案及其表面的石墨烯薄膜得到石墨烯网栅薄膜。该方法制备的石墨烯网栅薄膜为准单层石墨烯结构，在网栅交织区域厚度均匀统一，保持了与未图形化制备的石墨烯薄膜相同的属性，同时解决石墨烯导电薄膜不易制备成矩阵结构的问题，简单易行。
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公开(公告)号：CN109342362A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811137937.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明属于微火工品参数测量技术领域，更具体的，涉及一种微火工品等离子体折射率三维分布测试装置。针对现有技术存在的无法准确测量得到微火工品等离子体的参数，不能实现等离子体折射率的三维分布测试，无法得知微火工品通电后产生的火花是否满足点火需求的问题。本发明光纤耦合激光器产生的单色光经过光纤隔离器，通过可调分光比Y型光纤分束器，得到两束功率不相等的激光束；两束光分别经“米”字型的光纤准直系统和分束器进行耦合，进入信号采集处理模块的输入端连接至所述50/50Y型光纤耦合器的输出端，信号采集处理模块经示波器连接数据处理模块。
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公开(公告)号：CN107841711A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711067629.8
申请日：2017-11-03
Applicant: 西安工业大学
CPC classification number: C23C14/0605 , C23C14/345 , C23C14/3492
Abstract: 本发明涉及一种减小光学窗口用四面体非晶碳膜残余应力的方法，将准备好的基片迅速放入真空室的基底夹具上，工作气体为氩气其纯度99.999%；所述真空室通过机械泵和分子泵抽到真空度为5.0×10-4Pa；打开氩气阀门，流量为15sccm，控制真空度为5.0×10-2Pa；设置基底偏压-150V，使用微波辅助激励源产生等离子体，对基片进行溅射清洗；清洗过程控制时间2分钟；然后静置5分钟冷却基底，循环5次，实际溅射清洗时间10分钟，全部清洗工艺费时35分钟；清洗完毕后，通过靶材对基片进行薄膜沉积，同时通过调节基底偏压、磁路偏压和氩气流量完成对薄膜沉积形成的四面体非晶碳膜的应力调控。
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