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公开(公告)号：CN115713559A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211190170.1
申请日：2022-09-28
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于光学检测与光学成像技术领域，涉及管道内部无损检测与结构重构，尤其是涉及一种用于管道内部三维结构检测与成像的装置及信息处理方法，其克服了现有技术中利用图像融合和拼接方法只能获得管道内部的二维展开图像的问题，可以实现管道内部的三维结构测量与三维图像重构。该装置由光源、多相机组合、机械连接杆、平移台、计算机和立体棋盘靶标6部分组成；检测过程包括相机标定、随机点实体图投影图像采集和管道内部照明图像采集；信息处理过程包括管道内部三维结构重建和管道内部三维图像重建。本发明具有装置简单、操作方便、计算精度和效率高的优点。
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公开(公告)号：CN110608677B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201911003526.4
申请日：2019-10-22
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明涉及一种基于圆光栅径向剪切干涉仪的三维位移测量方法。现有的基于莫尔条纹方法的三维位移测量过程中需要移动探测器，无法实现瞬时测量，并且会引入探测器位置误差。本发明采用的装置包括圆光栅径向剪切干涉仪、半圆环形的空间滤波器和二维图像探测器。首先，利用半圆环形空间滤波器在径向剪切干涉仪的频谱面上对1级频谱的一半进行滤波，二维图像探测器位于径向剪切干涉仪的成像面上，可以同时获得+1和‑1衍射级次的莫尔条纹图像。然后，对莫尔条纹图像进行坐标变换、去噪、二值化、细化处理，获得亮条纹骨架图。最后，利用亮条纹的位置关系，反演出三维位移分量。该方法具有瞬时测量、精度高、适应性强等优点，较好地解决了三维位移的实时测量问题。
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公开(公告)号：CN111649635A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010564670.1
申请日：2020-06-19
Applicant: 西安工业大学
IPC: F42D1/05
Abstract: 本发明公开一种控制导爆索多点传爆序列性的装置，包括基板，在基板上设置覆铜板和电极塞子，在基板中部设置多排的金属桥膜，多排金属桥膜依次相连构成起爆网络，每排金属桥膜上均设置多个传爆药，基板上设置有正电极和负电极，正电极和负电极与起爆网络的中心连接，不同排的金属桥膜选择不同的金属材料或在金属材料一定的情况下选择不同的桥膜厚度，通过各个金属桥膜电阻率的差异达到序列性传爆；本发明通过微米尺度量级下电阻率非线性分布特性，通过控制金属薄膜材料、厚度和长度来实现导爆索多点传爆的序列性，其传爆序列性人为可控，实现了传爆方式智能化，解决之前传爆的无序性问题。
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公开(公告)号：CN109898069A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910322314.6
申请日：2019-04-22
Applicant: 西安工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/517 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种在金属微孔内沉积类金刚石薄膜的装置和方法。本发明的目的是要在具有金属微孔结构的产品内进行均匀、高效的类金刚石薄膜的沉积。所提供的技术方案是：一种在金属微孔内沉积类金刚石薄膜的装置，包括真空室、微波源、等离子体源和基座，基座上设置有样品台，样品台上设置有固定座，固定座一侧设置有安装板，安装板上固定有喷嘴装置。沉积方法为：将带有金属微孔的样品放入固定座内，金属微孔与喷嘴装置的金属喷头同轴设置，在金属喷头施加负偏压，样品与电源正极相连通，在给定的工艺参数条件下，采用微波激励的高密度等离子体辅助气相沉积。本发明可在金属微孔内成功沉积DLC薄膜，为提高金属微孔耐磨特性提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN109342362A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811137937.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明属于微火工品参数测量技术领域，更具体的，涉及一种微火工品等离子体折射率三维分布测试装置。针对现有技术存在的无法准确测量得到微火工品等离子体的参数，不能实现等离子体折射率的三维分布测试，无法得知微火工品通电后产生的火花是否满足点火需求的问题。本发明光纤耦合激光器产生的单色光经过光纤隔离器，通过可调分光比Y型光纤分束器，得到两束功率不相等的激光束；两束光分别经“米”字型的光纤准直系统和分束器进行耦合，进入信号采集处理模块的输入端连接至所述50/50Y型光纤耦合器的输出端，信号采集处理模块经示波器连接数据处理模块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107841711A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711067629.8
申请日：2017-11-03
Applicant: 西安工业大学
CPC classification number: C23C14/0605 , C23C14/345 , C23C14/3492
Abstract: 本发明涉及一种减小光学窗口用四面体非晶碳膜残余应力的方法，将准备好的基片迅速放入真空室的基底夹具上，工作气体为氩气其纯度99.999%；所述真空室通过机械泵和分子泵抽到真空度为5.0×10-4Pa；打开氩气阀门，流量为15sccm，控制真空度为5.0×10-2Pa；设置基底偏压-150V，使用微波辅助激励源产生等离子体，对基片进行溅射清洗；清洗过程控制时间2分钟；然后静置5分钟冷却基底，循环5次，实际溅射清洗时间10分钟，全部清洗工艺费时35分钟；清洗完毕后，通过靶材对基片进行薄膜沉积，同时通过调节基底偏压、磁路偏压和氩气流量完成对薄膜沉积形成的四面体非晶碳膜的应力调控。
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公开(公告)号：CN113203705A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110365971.6
申请日：2021-04-06
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明为一种可实现光路快速调节测试的双折射式纹影系统及方法，其克服了现有技术中存在无法实现纹影装置快速且精确测试的问题，不仅解决了纹影系统的装置调节问题，并且可以直接使用点光源进行纹影实验测试。本发明包括依次设置的十字线光源，“十”字形标定光线与前置可变光阑适配模块，凸透镜一，凹球面镜一，凹球面镜二，凸透镜二，刀口装置和高速摄像相机；凹球面镜一与凹球面镜二之间设置测试对象。“十”字形标定光线与前置可变光阑适配模块包括前置可变光阑，十字线光源发出的“十”字形光线通过前置可变光阑得到“十”字形标定光线；“十”字形标定光线穿过前置可变光阑得到用于纹影实验的点光源。
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公开(公告)号：CN111551071A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010361754.5
申请日：2020-04-30
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种微火工品爆轰温度场测试装置及三维重构方法。通过使用三组透射式纹影系统，配合高速摄像相机组，获得含有微火工品爆轰温度场的纹影图像，能够解决微火工品的温度场测试问题，并且可以基于该测试结果进行温度场的三维重构。本发明的技术方案为：光纤耦合激光器产生的单色光，通过1×3光纤分束器得到三束光功率相等的激光光束，三路激光光束分别进入透射式纹影系统模块，通过光纤耦合透镜保证激光束扩束准直，经过第一凸透镜后变为平行光，保证光束均匀通过被测对象，在第二凸透镜后，光束汇聚于刀口装置的刀口位置，通过高速摄像相机组进行纹影图像的采集，并经所述PC端数据处理模块处理，获得微火工品爆轰三维温度场。
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公开(公告)号：CN110401989A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910757696.5
申请日：2019-08-16
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于玻璃基底发热涂层材料技术领域，具体涉及一种提高微晶玻璃基底上薄膜电极引出线工作稳定性的方法。其不但保证了微晶电极与引出线接触良好，还使得抗拉强度增强。本发明采用的步骤为：首先是基底处理，使用绿光或紫外激光装置，在微晶玻璃基底需要设置引出线位置进行强激光辐照和刻蚀，形成类灌胶孔形状的特定刻蚀孔；然后进行真空薄膜电极沉积，或者印刷涂敷金属电极，使得金属电极延伸到刻蚀孔内；接着将金属接线置于刻蚀孔，采用金属焊接的方法进行熔接；最后采用相近膨胀系数的玻璃粉进行表面涂敷，在含氮气氛围内低温烘烤半小时进行烧结固化，形成一个接触稳定、抗拉强度大的引出线。
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公开(公告)号：CN110028252A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910430409.X
申请日：2019-05-22
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种提高玻璃基底发热涂层工作稳定性的方法。本发明的目的是要在保证石英玻璃良好的辐射效率基础上，提高它的热稳定性。所提供的技术方案是：首先使用等离子体预辐照石英玻璃基底，在石英基底表面形成微孔，然后在其表面涂覆发热涂层浆料，在含氮气氛围内低温烘烤半小时，最后，均匀涂覆一层或多层正常浓度的发热涂层浆料，烘干处理半小时。本发明增大了浆料与基底的接触面积，处理后的基底材料，不会改变石英玻璃的宏观光学特性，而且热辐射效率提升30%，制备方法操作简单、可靠、易于工业化大规模实现。
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