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公开(公告)号：CN119063965A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411464096.7
申请日：2024-10-21
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于光学元件生产技术领域，具体的说是一种利于光学元件完整度检测的检测设备，包括机壳，机壳的内壁顶部对称固定安装有检测器，机壳的内部对称设置有环筒，两个环筒分别设置于两个检测器的正下方，机壳的外壁固定安装有显示器；通过罩筒在下移途中罩筒带动其内的齿杆一起下移，当下移到齿杆与齿轮接触时，通过齿杆的下移推力带动齿轮进行转动，齿轮在转动的过程中带动环块一起进行转动，从而带动环块内的光学元件进行翻面转动，当罩筒接触到环筒底部时，此时，齿杆刚好带动齿轮转动半周，从而使光学元件实现自动翻面，起到翻面光学元件的作用，可节省作业人员手动对其进行翻转的步骤，更加利于作业，可有效的提高检测效率。
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公开(公告)号：CN118537593A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410534408.0
申请日：2024-04-30
Abstract: 本发明属于图像处理技术领域，具体涉及一种可见光图像和红外图像融合的目标跟踪方法。所述方法包括初始化参数、图像预处理、目标检测、更新位置滤波器和尺度滤波器、遮挡重检测机制、提取可见光图像和红外图像各自特征并融合。本发明提升了核相关滤波算法跟踪算法的抗遮挡能力，在跟踪目标时尺度能够自适应，避免了因目标大小改变而丢失目标的跟踪失败；对可见光图像和红外图像提取特征并融合，可适应室内昏暗光线的特殊环境，提高了算法的跟踪精度与成功率；添加遮挡重检测机制，改进抗遮挡能力，使得应用场景更广泛。
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公开(公告)号：CN114152650B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202111339673.6
申请日：2021-11-12
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种阵列氢气探测器及其检测方法。其通过对氢敏器件的电阻值的变化不仅能够实现对氢气泄露的检测，还能具体计算得到泄露的氢气浓度，并且通过设置多个探测点形成阵列式氢气探测，能够对氢气泄露的具体位置进行定位，及时探测到氢气泄露源头。本发明在基板任意一面加工制作的TFT器件层，TFT器件层包括多个成阵列分布的探测点；在基板的另一面加工制作有电阻变化感应层，电阻变化感应层被刻蚀成多个电阻变化感应模块，在每个电阻变化感应模块下方基板上均开设有通孔，通孔内填充有金属，每个电阻变化感应模块通过通孔内的金属与对应的探测点实现电性连接；在所述电阻变化感应层的上方加工制作有氢气分离薄膜层。
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公开(公告)号：CN117288436A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311247163.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度凸非球面镜检测装置及其误差分析方法，包括：激光干涉仪，球面标准镜头，所述激光干涉仪设置在球面标准镜头的出光侧，球面标准镜头内设置有球面标准镜头的焦平面，柱式升降台，所述激光干涉仪设置在柱式升降台上，柱式升降台底部安装有调节手轮一，五维干涉仪检测用调整架，被检测凸非球面镜安装在五维干涉仪检测用调整架上，所述五维干涉仪检测用调整架用于精密调节所述被检测凸非球面镜前后、左右、俯仰方向的位移量，剪式升降台，所述五维干涉仪检测用调整架安装在剪式升降台上。本发明提供的高精度凸非球面镜检测装置可以方便的测量出凸非球面的面形，并可保证数据处理后的检测数据与零位干涉检测的面形数据一致性。
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公开(公告)号：CN114858090B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210451951.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及光学测量技术领域，具体涉及一种阵列结构光学元件的面形误差测量方法。用于解决阵列结构光学元件面形的测量和评价问题。本发明采用方法步骤为：1）利用三维表面形貌检测装置对阵列结构光学元件进行检测，获得阵列结构光学元件表面形貌点云数据；2)将测量得到的阵列结构光学元件表面形貌点云数据通过六维自由度的平移旋转，使之与理论设计形状最佳匹配；3）采用最邻近插值算法，使匹配后的测量数据与理论数据的横向坐标完全匹配，然后对纵向坐标进行点对点相减，使之与理论设计形状最佳匹配，即可获得该被测阵列光学元件的面形误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115322423A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211039449.X
申请日：2022-08-29
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种蛋清薄膜及可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备方法。蛋清薄膜的制备包括蛋清前驱液的制备；基片清洗与表面活化；蛋清薄膜的制备。可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备包括醇基高k氧化物前驱液与水基TMOS前驱液的制备；蛋清薄膜的表面活化；醇基高k氧化物薄膜的制备；醇基高k氧化物薄膜的表面活化；水基TMOS薄膜的制备；源、漏电极的制备。本发明一方面获得大面积均匀的高k蛋清薄膜，另一方面借助醇基高k氧化物薄膜提高蛋清薄膜与水基TMOS薄膜间的制备兼容性，实现基于蛋清薄膜‑高k氧化物薄膜‑TMOS薄膜的全溶液可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备，该薄膜晶体管展现出生物兼容、可降解、低成本、低温制备，低压驱动、低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN114152650A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111339673.6
申请日：2021-11-12
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种阵列氢气探测器及其检测方法。其通过对氢敏器件的电阻值的变化不仅能够实现对氢气泄露的检测，还能具体计算得到泄露的氢气浓度，并且通过设置多个探测点形成阵列式氢气探测，能够对氢气泄露的具体位置进行定位，及时探测到氢气泄露源头。本发明在基板任意一面加工制作的TFT器件层，TFT器件层包括多个成阵列分布的探测点；在基板的另一面加工制作有电阻变化感应层，电阻变化感应层被刻蚀成多个电阻变化感应模块，在每个电阻变化感应模块下方基板上均开设有通孔，通孔内填充有金属，每个电阻变化感应模块通过通孔内的金属与对应的探测点实现电性连接；在所述电阻变化感应层的上方加工制作有氢气分离薄膜层。
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公开(公告)号：CN110676339B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910884320.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及对于氧化镓纳米晶薄膜在日盲紫外光电探测方面的应用，具体涉及一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用单晶Si作为衬底，并采用电子束蒸发技术，在其上先沉积SiO2薄膜隔离层；然后再沉积Ga2O3薄膜日盲紫外吸收层，经过退火处理使吸收层形成纳米晶结构；再通过电子束蒸发及快速热处理技术将Au/Ti双层金属叉指电极制备于吸收层上，即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有良好光电响应的日盲紫外光探测器件。
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公开(公告)号：CN107814568B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201711034803.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 西安工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开一种稀土掺杂钛酸铋钠钙钛矿材料及其制备方法，属于无机材料技术领域，一种稀土掺杂钛酸铋钠钙钛矿材料化学通式为Bi0.5‑x‑yMxYbyNa0.5TiO3，M为稀土元素离子，x的取值范围为0.001≤x≤0.2，y的取值范围为0≤y≤0.3，通过溶胶‑凝胶自蔓延燃烧法制备的稀土掺杂钛酸铋钠纳米粉，相比现有技术合成温度显著下降，可以在200℃‑300℃的低温下合成；用所得纳米粉制备的陶瓷块体材料的最终烧结温度也得到显著下降，在800℃‑1000℃的较低温度下合成，而且呈现结晶完好的钙钛矿相结构，在红外光的激发下能够实现上转换发光，相比现有技术其介电特性、铁电特性和压电特性都得到了改善，并且不含铅，环保无污染。
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公开(公告)号：CN109742178B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910085681.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法，该探测器由钝化层、上电极、异质结、下电极和本征单晶硅衬底组成。上电极为导电且对可见光和红外透明的材料。异质结分为异质结上层和异质结下层，异质结上层为对可见光敏感且能透过红外的纳米薄膜，异质结下层为本征单晶硅。当可见光和红外透过上电极和异质结上层，在异质结中可见光激发出电子空穴对，被上、下电极收集并通过纵向设置的金属柱流出，而红外穿过整个探测结构，实现对可见光探测的同时不影响红外的透过。与传统结构相比，电极与结区距离很小，可降低电子空穴对在到达电极之前的复合率，提高光生载流子的收集效率。纵向金属的结构设计减少光遮挡，提高了灵敏度。
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