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公开(公告)号：CN110676339A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910884320.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及对于氧化镓纳米晶薄膜在日盲紫外光电探测方面的应用，具体涉及一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用单晶Si作为衬底，并采用电子束蒸发技术，在其上先沉积SiO2薄膜隔离层；然后再沉积Ga2O3薄膜日盲紫外吸收层，经过退火处理使吸收层形成纳米晶结构；再通过电子束蒸发及快速热处理技术将Au/Ti双层金属叉指电极制备于吸收层上，即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有良好光电响应的日盲紫外光探测器件。
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公开(公告)号：CN117309773A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311265966.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明提供了一种采用液体楔镜测量酒精浓度的装置和测量方法，所述装置包括激光器、准直镜、液体楔镜组件、汇聚成像系统、光能/位置转换器件和处理显示系统，所述液体楔镜包括楔形容器、带阀滴液管和废液缸，楔形容器上小下大。测量方法是：激光经过准直镜形成平行光，折射进入楔形容器，出射光线经过汇聚成像系统后，在光能/位置转换器件表面形成一个亮斑，利用多组已知浓度的酒精标准液进行定标，分析酒精浓度与光能/位置转换器件上形成的光斑的位置关系，通过数据拟合分析，实现对未知酒精浓度的定量测量，同时可用参考溶液对系统进行修正。本发明装置结构简单操作简单，成本低，有效保证了对酒精浓度检测的高效性以及检测的精度。
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公开(公告)号：CN114858090B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210451951.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及光学测量技术领域，具体涉及一种阵列结构光学元件的面形误差测量方法。用于解决阵列结构光学元件面形的测量和评价问题。本发明采用方法步骤为：1）利用三维表面形貌检测装置对阵列结构光学元件进行检测，获得阵列结构光学元件表面形貌点云数据；2)将测量得到的阵列结构光学元件表面形貌点云数据通过六维自由度的平移旋转，使之与理论设计形状最佳匹配；3）采用最邻近插值算法，使匹配后的测量数据与理论数据的横向坐标完全匹配，然后对纵向坐标进行点对点相减，使之与理论设计形状最佳匹配，即可获得该被测阵列光学元件的面形误差。
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公开(公告)号：CN110676339B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910884320.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及对于氧化镓纳米晶薄膜在日盲紫外光电探测方面的应用，具体涉及一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用单晶Si作为衬底，并采用电子束蒸发技术，在其上先沉积SiO2薄膜隔离层；然后再沉积Ga2O3薄膜日盲紫外吸收层，经过退火处理使吸收层形成纳米晶结构；再通过电子束蒸发及快速热处理技术将Au/Ti双层金属叉指电极制备于吸收层上，即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有良好光电响应的日盲紫外光探测器件。
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公开(公告)号：CN115425146B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202211081639.8
申请日：2022-09-06
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种背照式微结构阵列宽光谱成像探测器及其制备方法。探测器包括由上至下叠置的顶端共用电极、p型微结构阵列基片和图形化底电极，顶端共用电极沉积于p型微结构阵列基片上部；p型微结构阵列基片与图形化底电极之间依次镀制p型红外光吸收材料、n型电子输运窗口材料和n型高阻半导体材料。制备方法包括：制备p型微结构阵列基片：制备p型微结构阵列基片与图形化底电极之间的中间层；制备图形化底电极；制备顶端共用电极。本发明提升了可见‑红外入射光的利用率，垂直集成器件结构实现了可见‑红外光信号的同时采集，拓宽了单一探测器的光谱探测范围，器件制备工艺与常规半导体制备兼容，具有广阔的商业化应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108411250B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810140108.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于一种光电薄膜制备技术领域，具体涉及一种采用电子束蒸发技术制备Ga2O3光电薄膜的方法。本发明提供的技术方案是：通过Ga2O3高纯（99.995%）粉体制胚并真空烧结，再粉碎成粒后作为起镀材料，采用e型枪对起镀材料进行直接真空蒸发，使起镀材料气化成分子或原子沉积在衬底材料上，并通过控制沉积速率和沉积氛等关键工艺参数，最终获得大面积高纯度的Ga2O3薄膜。本发明方法制备成本低、重复性好、工艺要求简单、可控性好，所获得的薄膜呈现各向同性的非晶结构，在可见‑近红外范围透过较高，吸收较小，不仅适宜于光学应用，并且通过后退火处理，使其晶化后具有紫外光电探测和气敏等特性。
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公开(公告)号：CN108411250A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810140108.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于一种光电薄膜制备技术领域，具体涉及一种采用电子束蒸发技术制备Ga2O3光电薄膜的方法。本发明提供的技术方案是：通过Ga2O3高纯（99.995%）粉体制胚并真空烧结，再粉碎成粒后作为起镀材料，采用e型枪对起镀材料进行直接真空蒸发，使起镀材料气化成分子或原子沉积在衬底材料上，并通过控制沉积速率和沉积氛等关键工艺参数，最终获得大面积高纯度的Ga2O3薄膜。本发明方法制备成本低、重复性好、工艺要求简单、可控性好，所获得的薄膜呈现各向同性的非晶结构，在可见-近红外范围透过较高，吸收较小，不仅适宜于光学应用，并且通过后退火处理，使其晶化后具有紫外光电探测和气敏等特性。
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公开(公告)号：CN107008486A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710356853.2
申请日：2017-05-19
Applicant: 西安工业大学
IPC: B01J27/24
CPC classification number: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种氮化碳/锑掺杂二氧化锡异质结的制备方法，利用异质结之间的能级结构和锑掺杂二氧化锡的导电性来提高氮化碳的载流子分离率，并将锑掺杂二氧化锡制成气凝胶形式来作载体，实现了增加光吸收率、污染物的吸附率、载流子分离率和催化剂回收率的多重作用，避免了过多材料的引入，在提高催化剂综合性能的前提下保证了体系的稳定性。本发明制备氮化碳/锑掺杂二氧化锡异质结光催化材料的成本低、方法简单、可重复性好，并且所得材料光催化性能好，有利于在生产生活中推广应用。
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公开(公告)号：CN115425146A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211081639.8
申请日：2022-09-06
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种背照式微结构阵列宽光谱成像探测器及其制备方法。探测器包括由上至下叠置的顶端共用电极、p型微结构阵列基片和图形化底电极，顶端共用电极沉积于p型微结构阵列基片上部；p型微结构阵列基片与图形化底电极之间依次镀制p型红外光吸收材料、n型电子输运窗口材料和n型高阻半导体材料。制备方法包括：制备p型微结构阵列基片：制备p型微结构阵列基片与图形化底电极之间的中间层；制备图形化底电极；制备顶端共用电极。本发明提升了可见‑红外入射光的利用率，垂直集成器件结构实现了可见‑红外光信号的同时采集，拓宽了单一探测器的光谱探测范围，器件制备工艺与常规半导体制备兼容，具有广阔的商业化应用前景。
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公开(公告)号：CN114858090A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210451951.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及光学测量技术领域，具体涉及一种阵列结构光学元件的面形误差测量方法。用于解决阵列结构光学元件面形的测量和评价问题。本发明采用方法步骤为：1）利用三维表面形貌检测装置对阵列结构光学元件进行检测，获得阵列结构光学元件表面形貌点云数据；2)将测量得到的阵列结构光学元件表面形貌点云数据通过六维自由度的平移旋转，使之与理论设计形状最佳匹配；3）采用最邻近插值算法，使匹配后的测量数据与理论数据的横向坐标完全匹配，然后对纵向坐标进行点对点相减，使之与理论设计形状最佳匹配，即可获得该被测阵列光学元件的面形误差。
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