一种应力诱导提高薄膜应用频率的薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN113088894A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110324972.6

    申请日:2021-03-26

    IPC分类号: C23C14/32 C23C14/54

    摘要: 一种利用应力诱导提高软磁薄膜应用频率的制备方法,属于薄膜制备技术领域。包括:1)清洗柔性衬底;2)清洗后的柔性衬底放入高真空电子束蒸发系统,柔性衬底弯曲后固定在样品架上;3)抽真空,开始预熔料,电子枪的电流为30~40mA,电压为10kV,时间为4~5min;预熔料结束后,蒸镀速率为0.1~0.7nm/s,在弯曲的柔性衬底上沉积软磁薄膜。本发明制得的软磁薄膜,当柔性衬底由凹形(凸形)变为平整时,会在薄膜中引入张应力(压应力),与未引入应力相比,由于磁致伸缩效应,软磁薄膜表现出明显的磁各向异性,使得薄膜的应用频率提高至1GHz以上,并同时保持较高的磁导率(μ′100MHz>1000)。

    一种提高薄膜应用频率的薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN113088893A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110324953.3

    申请日:2021-03-26

    IPC分类号: C23C14/30 C23C14/14 H01F41/20

    摘要: 一种提高NiFe薄膜应用频率的制备方法,属于薄膜制备技术领域。包括:1)清洗衬底;2)衬底固定在样品架上,所述衬底与样品架呈θ角,并且在衬底上施加磁场;3)利用高真空电子束蒸发系统,在背底真空为1.3×10‑4Pa~2.0×10‑4Pa、预熔料时电子枪电流为30mA~40mA、电压为10kV的条件下预熔料4~5min;预熔料结束后,设置蒸镀速率为0.1nm/s~0.7nm/s,在衬底上沉积软磁薄膜。本发明得到的软磁薄膜应用频率大于1GHz(最高为1.39GHz),并且磁导率达到1000左右,得到了同时兼顾高应用频率、高磁导率的薄膜。

    一种NiFe或FeMn薄膜表面氧化层厚度的分析方法

    公开(公告)号:CN109931894A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201910231149.3

    申请日:2019-03-26

    IPC分类号: G01B15/02

    摘要: 一种NiFe或FeMn薄膜表面氧化层厚度的分析方法,属于薄膜厚度分析检测技术领域。首先,对待测薄膜进行ARXPS测试;然后,采用单值分解法和调整法相结合,对Ni、Fe、Mn单质及其氧化物的参数进行拟合,如峰位、半峰宽等;根据角分辨XPS与表面层状结构分析的基本原理和测试方法,在一定误差范围内,得出约化厚度d/λ;最后,确定其非弹性散射平均自由程λ,进而得到氧化层厚度d。本发明方法简单,对设备要求不高,能非破坏性地测量极薄氧化层的厚度,并结合磁性能研究确定薄膜的钉扎临界厚度;同时,与现有方法相比,本发明方法的拟合标准偏差明显下降,标准偏差从现有技术10.25~22.76下降到1.05~4.59。

    磁集成贴装磁屏蔽功率电感器

    公开(公告)号:CN104036930A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410233800.8

    申请日:2014-05-29

    IPC分类号: H01F29/00 H01F27/28 H01F27/24

    摘要: 磁集成贴装磁屏蔽功率电感器,涉及电子元器件技术。本发明包括绕组、内核磁心、外壳磁心和有效匝数调节装置,所述绕组环绕内核磁心,绕组和内核磁心设置于外壳磁心的内部;有效匝数调节装置的滑动端与绕组接触,调节控制部分设置于外壳磁心的外部;绕组与设置于外壳磁心外部的连接端形成电连接。本发明的有益效果是:第一,多功能化,可用作电感和变压器且都可调;第二,电感器电感值、压变实现数值显示;第三,外壳磁心、外壳磁心盖及内核磁心形成基本封闭的磁路空间,因此漏磁场小;第四,采用表面贴装设计,便于安装。

    一种高Tc高Bs高导锰锌铁氧体及制备方法

    公开(公告)号:CN118239766A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410255321.X

    申请日:2024-03-06

    摘要: 一种高Tc高Bs高导锰锌铁氧体及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。本发明采用全新的富铁少锌主配方设计,通过调控尖晶石次晶格间超交换作用,在满足高居里温度的同时,弥补了起始磁导率下降的缺陷;引入多种添加剂以发挥综合效应,通过Ti4+调控磁晶各向异性常数,提高磁导率,通过低熔点助熔添加剂促进大晶粒的生长,有利于高磁导率材料的形成,同时增大烧结体密度,从而提高饱和磁感应强度;提供了一种新的保温阶段烧结思路,同时优化全过程的烧结氧分压曲线,在生产成本变化不大的情况下,将材料综合性能提升到了一个更高的高度。本发明得到了在满足高居里温度情况下同时具有高磁导率和高饱和磁化强度的MnZn铁氧体。

    一种高Bs低损耗兆赫兹锰锌功率铁氧体及其制备方法

    公开(公告)号:CN118184329A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410292928.5

    申请日:2024-03-14

    IPC分类号: C04B35/26 C04B35/622 H01F1/34

    摘要: 一种高Bs低损耗兆赫兹锰锌功率铁氧体,包括主成分与辅助成分,主成分:53.50~55.50mol%的Fe2O3、3.5~5.5mol%的ZnO、40.0~43.0mol%MnO;以主成分预烧后的预烧料为基准,辅助成分:0.01~0.03wt%V2O5、0.01~0.03wt%ZrO2、0.1~0.4wt%Co2O3、0.03wt%CaSiO3。本发明引入CaSiO3辅助成分,CaSiO3熔点高,在烧结过程中起到抑制晶粒生长的作用,使铁氧体中的气孔容易从晶粒内部移到晶粒边界,并通过晶界向外逃脱,减少气孔率,提高烧结密度,并且CaSiO3富集在晶界处,形成高电阻层,提高材料晶界电阻,降低高频损耗。