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公开(公告)号:CN113088894A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202110324972.6
申请日:2021-03-26
申请人: 电子科技大学
摘要: 一种利用应力诱导提高软磁薄膜应用频率的制备方法,属于薄膜制备技术领域。包括:1)清洗柔性衬底;2)清洗后的柔性衬底放入高真空电子束蒸发系统,柔性衬底弯曲后固定在样品架上;3)抽真空,开始预熔料,电子枪的电流为30~40mA,电压为10kV,时间为4~5min;预熔料结束后,蒸镀速率为0.1~0.7nm/s,在弯曲的柔性衬底上沉积软磁薄膜。本发明制得的软磁薄膜,当柔性衬底由凹形(凸形)变为平整时,会在薄膜中引入张应力(压应力),与未引入应力相比,由于磁致伸缩效应,软磁薄膜表现出明显的磁各向异性,使得薄膜的应用频率提高至1GHz以上,并同时保持较高的磁导率(μ′100MHz>1000)。
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公开(公告)号:CN113088893A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202110324953.3
申请日:2021-03-26
申请人: 电子科技大学
摘要: 一种提高NiFe薄膜应用频率的制备方法,属于薄膜制备技术领域。包括:1)清洗衬底;2)衬底固定在样品架上,所述衬底与样品架呈θ角,并且在衬底上施加磁场;3)利用高真空电子束蒸发系统,在背底真空为1.3×10‑4Pa~2.0×10‑4Pa、预熔料时电子枪电流为30mA~40mA、电压为10kV的条件下预熔料4~5min;预熔料结束后,设置蒸镀速率为0.1nm/s~0.7nm/s,在衬底上沉积软磁薄膜。本发明得到的软磁薄膜应用频率大于1GHz(最高为1.39GHz),并且磁导率达到1000左右,得到了同时兼顾高应用频率、高磁导率的薄膜。
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公开(公告)号:CN109931894A
公开(公告)日:2019-06-25
申请号:CN201910231149.3
申请日:2019-03-26
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G01B15/02
摘要: 一种NiFe或FeMn薄膜表面氧化层厚度的分析方法,属于薄膜厚度分析检测技术领域。首先,对待测薄膜进行ARXPS测试;然后,采用单值分解法和调整法相结合,对Ni、Fe、Mn单质及其氧化物的参数进行拟合,如峰位、半峰宽等;根据角分辨XPS与表面层状结构分析的基本原理和测试方法,在一定误差范围内,得出约化厚度d/λ;最后,确定其非弹性散射平均自由程λ,进而得到氧化层厚度d。本发明方法简单,对设备要求不高,能非破坏性地测量极薄氧化层的厚度,并结合磁性能研究确定薄膜的钉扎临界厚度;同时,与现有方法相比,本发明方法的拟合标准偏差明显下降,标准偏差从现有技术10.25~22.76下降到1.05~4.59。
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公开(公告)号:CN104036930A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410233800.8
申请日:2014-05-29
申请人: 电子科技大学
摘要: 磁集成贴装磁屏蔽功率电感器,涉及电子元器件技术。本发明包括绕组、内核磁心、外壳磁心和有效匝数调节装置,所述绕组环绕内核磁心,绕组和内核磁心设置于外壳磁心的内部;有效匝数调节装置的滑动端与绕组接触,调节控制部分设置于外壳磁心的外部;绕组与设置于外壳磁心外部的连接端形成电连接。本发明的有益效果是:第一,多功能化,可用作电感和变压器且都可调;第二,电感器电感值、压变实现数值显示;第三,外壳磁心、外壳磁心盖及内核磁心形成基本封闭的磁路空间,因此漏磁场小;第四,采用表面贴装设计,便于安装。
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公开(公告)号:CN118955113A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411456111.3
申请日:2024-10-18
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: C04B35/40 , C04B35/622 , H01F1/10 , H01F1/34
摘要: 一种软硬磁微波铁氧体耦合材料及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。所述铁氧体耦合材料包括YIG和BaM微波铁氧体,YIG微波铁氧体材料包括8.5~20.5 mol%Y2O3、17~29 mol%Bi2O3、47.5~57.5 mol%Fe2O3、5~15 mol%In2O3,BaM铁氧体材料包括6.5~12.5 mol%BaO、5.5~10.5 mol%La2O3、5.5~10.5 mol%Bi2O3、62.5~73.5 mol%Fe2O3。本发明制得的软硬磁微波铁氧体耦合材料兼具高的Mr/Ms和Hc、适宜的4πMs和Ha、低的ΔH和tanδε特性。
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公开(公告)号:CN118239766A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410255321.X
申请日:2024-03-06
申请人: 电子科技大学 , 海宁联丰磁业股份有限公司
IPC分类号: C04B35/38 , C04B35/622 , H01F1/36 , C04B35/64
摘要: 一种高Tc高Bs高导锰锌铁氧体及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。本发明采用全新的富铁少锌主配方设计,通过调控尖晶石次晶格间超交换作用,在满足高居里温度的同时,弥补了起始磁导率下降的缺陷;引入多种添加剂以发挥综合效应,通过Ti4+调控磁晶各向异性常数,提高磁导率,通过低熔点助熔添加剂促进大晶粒的生长,有利于高磁导率材料的形成,同时增大烧结体密度,从而提高饱和磁感应强度;提供了一种新的保温阶段烧结思路,同时优化全过程的烧结氧分压曲线,在生产成本变化不大的情况下,将材料综合性能提升到了一个更高的高度。本发明得到了在满足高居里温度情况下同时具有高磁导率和高饱和磁化强度的MnZn铁氧体。
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公开(公告)号:CN118184329A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410292928.5
申请日:2024-03-14
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/34
摘要: 一种高Bs低损耗兆赫兹锰锌功率铁氧体,包括主成分与辅助成分,主成分:53.50~55.50mol%的Fe2O3、3.5~5.5mol%的ZnO、40.0~43.0mol%MnO;以主成分预烧后的预烧料为基准,辅助成分:0.01~0.03wt%V2O5、0.01~0.03wt%ZrO2、0.1~0.4wt%Co2O3、0.03wt%CaSiO3。本发明引入CaSiO3辅助成分,CaSiO3熔点高,在烧结过程中起到抑制晶粒生长的作用,使铁氧体中的气孔容易从晶粒内部移到晶粒边界,并通过晶界向外逃脱,减少气孔率,提高烧结密度,并且CaSiO3富集在晶界处,形成高电阻层,提高材料晶界电阻,降低高频损耗。
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公开(公告)号:CN116514535B
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202310391039.X
申请日:2023-04-13
申请人: 电子科技大学 , 东阳富仕特磁业有限公司
摘要: 高介电低线宽石榴石铁氧体材料及制备方法和微带环行器,涉及微波磁性材料及器件技术。本发明的高介电低线宽石榴石铁氧体材料化学式为:BiaCabYcZrdIneFe5‑d‑e‑δO12,其中0≤a≤1.4,0≤b≤0.6,0≤c≤3,0≤d≤0.6,0≤e≤1.4,0≤δ≤0.06。本发明提供的石榴石铁氧体材料,采用无镧系稀土配方,材料的介电常数为28~30,且同时具有高的饱和磁化强度、较低的铁磁共振线宽、较低的介电损耗以及较高的居里温度,这些优点不仅可以有效降低微波铁氧体器件的尺寸,还可以增加器件的带宽,降低器件的插入损耗。
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公开(公告)号:CN118145977A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410220510.3
申请日:2024-02-28
申请人: 电子科技大学 , 东阳富仕特磁业有限公司
IPC分类号: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/34
摘要: 一种无稀土高介电高居里温度石榴石铁氧体的制备方法,采用原料预处理将不同粒径的原料基本达到同一种粒度状态,然后通过机械搅拌以及一次造粒得到成分均匀的混合料,后续可实现较为理想的预烧效果。同时,通过将三份不同预烧温度、粒度的二磨料均匀混合,控制粉料的烧结活性,并与烧结工艺相配合,最终可改善烧结体的微观结构,减少了铁氧体材料的气孔率,降低了铁磁共振线宽。本发明通过铋、锆、钙元素联合取代以及制备工艺的调整,调控粉料的粒度,控制烧结阶段至晶粒连续生长末期,改善石榴石铁氧体材料的显微结构,最终制得了高介电常数、高的饱和磁化强度、低的铁磁共振线宽、高的居里温度的铁氧体材料。
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公开(公告)号:CN118133626A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410350850.8
申请日:2024-03-26
申请人: 电子科技大学 , 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司
IPC分类号: G06F30/23 , G06F30/17 , G01R33/12 , G01R27/26 , G06F111/10
摘要: 一种基于有限元仿真的电感器高频阻抗优化方法,属于磁性元器件仿真设计技术领域。包括:选择磁芯材料和电感器结构参数;进行CAD建模,得到电感器初始几何模型;将磁芯材料的复数磁导率和复介电常数随频率变化的曲线,作为磁芯材料输入属性;以并联接地型二端激励端口方式进行有限元仿真;对电感器初始几何模型进行仿真,得到电感器的高频等效电感和电阻;进行结构参数化,比较各结构参数下电感器的高频等效电感和电阻。本发明以磁芯材料的复数磁导率和复介电常数随频率变化的曲线作为磁芯材料输入属性,赋予磁芯材料频率相关的电磁属性,有效提高仿真的准确性;采用并联接地型二端激励端口方式,实现去嵌测试端口寄生效应,提升了仿真准确度。
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