公开(公告)号：CN104098326A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410323430.7

申请日：2014-07-07

Applicant: 电子科技大学 ,  海宁联丰磁业股份有限公司

Inventor： 余忠 ,  李永劬 ,  孙科 ,  严建强 ,  兰中文 ,  郭凤鸣 ,  蒋晓娜 ,  王华成 ,  王微达

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 低温度系数高阻抗高磁导率锰锌铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域，本发明的材料包括下述组分：主成分：Fe2O3：52.0～54.0mol％，ZnO：19.0～24.0mol％，NiO：0.01～0.05mol％，余量为MnO；还包括下述添加剂中的至少两种：0.01～0.08wt％CaCO3、0.01～0.10wt％MoO3、0.01～0.08wt％纳米TiO2、0.01～0.04wt％Bi2O3、0.005～0.02wt％SiO2、0.01～0.12wt％V2O5、0.005～0.04wt％Nb2O5和0.005～0.04wt％B2O3。本发明尺寸均匀，晶界明显，气孔少。

公开(公告)号：CN118239766A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410255321.X

申请日：2024-03-06

Applicant: 电子科技大学 ,  海宁联丰磁业股份有限公司

Inventor： 余忠 ,  金海洋 ,  李永劬 ,  邬传健 ,  王微达 ,  孙科 ,  严剑峰 ,  李启帆 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  余勇

IPC: C04B35/38 ,  C04B35/622 ,  H01F1/36 ,  C04B35/64

Abstract: 一种高Tc高Bs高导锰锌铁氧体及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明采用全新的富铁少锌主配方设计，通过调控尖晶石次晶格间超交换作用，在满足高居里温度的同时，弥补了起始磁导率下降的缺陷；引入多种添加剂以发挥综合效应，通过Ti4+调控磁晶各向异性常数，提高磁导率，通过低熔点助熔添加剂促进大晶粒的生长，有利于高磁导率材料的形成，同时增大烧结体密度，从而提高饱和磁感应强度；提供了一种新的保温阶段烧结思路，同时优化全过程的烧结氧分压曲线，在生产成本变化不大的情况下，将材料综合性能提升到了一个更高的高度。本发明得到了在满足高居里温度情况下同时具有高磁导率和高饱和磁化强度的MnZn铁氧体。

公开(公告)号：CN114835481B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210324661.4

申请日：2022-03-30

Applicant: 电子科技大学 ,  海宁联丰磁业股份有限公司

Inventor： 余忠 ,  谢辉杰 ,  李永劬 ,  邬传健 ,  严剑峰 ,  孙科 ,  郭凤鸣 ,  兰中文 ,  蒋晓娜 ,  余勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/34 ,  H01F41/00

Abstract: 高温高频MnZn功率铁氧体材料的制备方法，涉及铁氧体材料制备技术领域。本发明包括下述步骤：(1)BTO基PTC介电陶瓷粉体制备；(2)MnZn铁氧体预烧料制备；(3)掺杂:以步骤2)获得的MnZn功率铁氧体预烧料为重量参照基准，按预烧料重量百分比加入以下添加剂：0.01～0.03wt％V2O5、0.05～0.15wt％TiO2、0.1～0.3wt％Co2O3、0.01～0.03wt％NiO、0.02～0.08wt％BTO基PTC介电陶瓷粉体；将以上粉料作二次球磨；(4)样品成型；(5)烧结。采用本发明技术的铁氧体材料在高频、高温下具有低损耗的优点。

公开(公告)号：CN114835481A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210324661.4

申请日：2022-03-30

Applicant: 电子科技大学 ,  海宁联丰磁业股份有限公司

Inventor： 余忠 ,  谢辉杰 ,  李永劬 ,  邬传健 ,  严剑峰 ,  孙科 ,  郭凤鸣 ,  兰中文 ,  蒋晓娜 ,  余勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/34 ,  H01F41/00

Abstract: 高温高频MnZn功率铁氧体材料的制备方法，涉及铁氧体材料制备技术领域。本发明包括下述步骤：(1)BTO基PTC介电陶瓷粉体制备；(2)MnZn铁氧体预烧料制备；(3)掺杂:以步骤2)获得的MnZn功率铁氧体预烧料为重量参照基准，按预烧料重量百分比加入以下添加剂：0.01～0.03wt％V2O5、0.05～0.15wt％TiO2、0.1～0.3wt％Co2O3、0.01～0.03wt％NiO、0.02～0.08wt％BTO基PTC介电陶瓷粉体；将以上粉料作二次球磨；(4)样品成型；(5)烧结。采用本发明技术的铁氧体材料在高频、高温下具有低损耗的优点。

公开(公告)号：CN119176714A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411368264.2

申请日：2024-09-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邬传健 ,  楚兆龙 ,  孙科 ,  余忠 ,  李启帆 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01

Abstract: 一种C波段超低损耗自偏置六角旋磁铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。所述铁氧体材料包括重量比为0.1～10的BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体材料和LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体材料；掺杂剂占铁氧体材料的重量百分比，以氧化物计算：0.3～0.7wt％La2O3、0.4～0.8wt％SiO2和0.5～0.9wt％SrTiO3。本发明在低损耗BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体颗粒表面生长兼具高Mr/Ms和Hc特性的LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体，研制兼具高而可调各向异性场Ha、高矫顽力Hc和剩磁比Mr/Ms、超低铁磁共振线宽△H和介电损耗tanδε特征的六角旋磁铁氧体材料，满足C波段微型集成器件低损耗宽带宽的工程化需求问题。

公开(公告)号：CN115579203B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202211287484.3

申请日：2022-10-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邬传健 ,  王武 ,  余忠 ,  李启帆 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  李翱

IPC: H01F1/03 ,  H01F1/11 ,  H01F1/34 ,  H01F41/02

Abstract: 一种X波段自偏置器件用双相复合铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述双相复合铁氧体材料包括SrM铁氧体、YIG铁氧体和掺杂剂，SrM铁氧体包括SrCO3、CaCO3、La2O3、Co2O3和Fe2O3，YIG铁氧体包括Y2O3、Bi2O3、ZrO2、CaCO3、V2O5和Fe2O3，YIG铁氧体与SrM铁氧体的重量比为1：(0.11～9)；掺杂剂包括SiO2、H3BO3、CaCO3、Bi2O3和BaTiO3。本发明双相复合铁氧体材料兼具适宜的饱和磁化强度、适宜的各向异性场、高的矫顽力、高剩磁比、低的铁磁共振线宽和高的介电常数特性。

公开(公告)号：CN118184330A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410317164.0

申请日：2024-03-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  苏千发 ,  余忠 ,  孙科 ,  邬传健 ,  李启帆 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/34

Abstract: 一种Ka波段高功率旋磁锂锌铁氧体及其制备方法，属于微波铁氧体材料制备技术领域。包括主料和添加剂，主料为Li0.347+0.5xZn0.3Ni0.006Mn0.056TixFe2.291‑1.5xO4，添加剂为：Bi2O3、Sb2O3和Co2O3。本发明采用的主配方体系有利于获得低矫顽力和剩磁温度系数；通过优化烧结工艺，借助两种添加剂的双重作用，使铁氧体样品显微形貌均匀，晶粒大小均匀适中，有利于提高材料的功率承受能力和烧结体密度，大幅降低材料的气孔率并提升材料自旋波线宽，有助于获得低损耗和低矫顽力的Ka波段高功率铁氧体开关和移相器用锂锌铁氧体材料。

公开(公告)号：CN118184328A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410292926.6

申请日：2024-03-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邓腾彬 ,  付业平 ,  余忠 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  李启帆 ,  余勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/34

Abstract: 一种低温烧结高频低损耗MnZn功率铁氧体，属于铁氧体制备技术领域。包括主成分与辅助成分，主成分按氧化物摩尔百分数计，包括54.5～56.5mol％Fe2O3和4.5～7.5mol％ZnO，其余为MnO；以主成分预烧后的预烧料为基准，辅助成分包括0.001～0.05wt％Sb2O3、0.01～0.03wt％Nb2O5、0.1～0.4wt％Co2O3、0.02～0.10wt％CaCO3和0.00～0.01wt％SiO2。本发明采用具有高电阻率与低熔点的Sb2O3作为助熔剂，通过Sb2O3取代传统的V2O5，在降低烧结温度的同时改善MnZn铁氧体的高频损耗，对低温烧结MnZn铁氧体具有重要意义。

公开(公告)号：CN118145978A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410235524.2

申请日：2024-03-01

Applicant: 电子科技大学 ,  西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

Inventor： 孙科 ,  郭志强 ,  廖杨 ,  邬传健 ,  张晓峰 ,  蒋晓娜 ,  李启帆 ,  余忠 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 一种高介电常数小线宽钇铁石榴石铁氧体材料制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明通过对石榴石结构中十二面体Y3+、八面体Fe3+的取代，采用二次预烧工艺和先低转速后高转速的三次球磨工艺，仅需三次球磨、一次造粒、一次烧结制得了钇铁石榴石铁氧体材料。本发明采用二次预烧的制备工艺，粉料的活性更好，烧结阶段固相反应完成程度更高，材料性能更优异；三次球磨采用先低转速后高转速的工艺，增强三次球磨粉料的粒度均匀性；制得的铁氧体具有较高的介电常数ε'＞20、较低的铁磁共振线宽ΔH≤25Oe和较低的介电损耗tanδε＜1×10‑4。

公开(公告)号：CN117966135A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410220438.4

申请日：2024-02-28

Applicant: 电子科技大学 ,  江西尚朋电子科技有限公司

Inventor： 余忠 ,  陈婧莎 ,  王宏 ,  李启帆 ,  窦海之 ,  邬传健 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明提供的一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法，属于薄膜制备技术领域。本发明基于氧化还原反应原理，利用旋转喷涂设备将氧化液和还原液按一定比例通过超声雾化系统均匀地附着于玻璃衬底上，在完成一系列化学反应后形成连续且致密的铁氧体薄膜，通过改变还原液中氯化亚铁的浓度，控制不同晶面的沉积速率，进而调控NiZn铁氧体薄膜的生长取向。经过以上工艺低温沉积制备出的NiZn铁氧体薄膜能够实现与半导体工艺的兼容，同时取向由NiZn铁氧体的(311)取向逐渐沿(222)择优取向生长，显微结构逐渐形成明显的三角形晶粒，从而使得薄膜生长更加均匀，薄膜质量得到显著提高。