公开(公告)号：CN113394264A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202010170752.8

申请日：2020-03-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵家宽 ,  曾丹 ,  史波 ,  赵浩宇 ,  刘勇强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片及其制备方法，所述芯片包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅场板，位于多晶硅场板及未被所述多晶硅场板覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本发明的芯片设置了平电场沟槽结构，优化了现有的芯片制造流程及工艺参数，并采用CMP工艺，制备了具有表面平电场沟槽结构的功率半导体芯片，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN113299732A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202010111560.X

申请日：2020-02-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件、芯片、设备和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：碳化硅衬底；在碳化硅衬底上的碳化硅漂移层，该碳化硅漂移层包括具有第一导电类型的第一掺杂区、和在第一掺杂区中的具有第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第二导电类型与第一导电类型相反，第三掺杂区与第二掺杂区邻接，第三掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度；与第二掺杂区连接的第一金属层；与第一金属层连接的第一电极；以及在碳化硅衬底的远离碳化硅漂移层的一侧的第二电极。该半导体器件具有比较低的导通压降和较强的抗浪涌电流能力。

公开(公告)号：CN111128981B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202010010609.2

申请日：2020-01-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 马浩华 ,  曹俊 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/04 ,  H01L23/043 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种IGBT模块封装结构和封装方法，IGBT模块封装结构，其特征在于包括：基板(3)，能够承载IGBT芯片(7)于其上；壳体(11)，罩设于所述基板(3)上且在所述壳体(11)内部形成容纳所述IGBT芯片(7)的空腔，且所述IGBT芯片(7)被设置于所述空腔内；在所述空腔内还填充设置有塑封料(9)，且所述壳体(11)的顶盖(101)的下端面上设置有朝下延伸的至少一个隔板(12)、将所述塑封料(9)进行分隔。通过本发明将模块的顶盖内部设计为栅栏式隔断结构，内部栅栏将塑封料分隔为多个狭小空间，塑封料振动空间小，摆动幅度小，对键合线的拉扯力度降低，减小失效率，大大提高可靠性。

公开(公告)号：CN113140639A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010059519.2

申请日：2020-01-19

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/335 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管及其制作方法，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。

公开(公告)号：CN113053847A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911363520.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 吴佳蒙 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16

Abstract: 本公开涉及一种芯片封装结构及其制备方法。芯片封装结构包括：三维引线框架(100)，具有中空内腔(A)，所述中空内腔(A)包括多个安装平面(110)，所述多个安装平面(110)中的至少两个的外法线的方向不同；多个芯片(200)，分别安装在所述多个安装平面(110)中的至少部分安装平面(110)上；和塑封料(300)，至少部分地包封在所述三维引线框架(100)的外部；其中，所述三维引线框架(100)具有多个管脚(130)，与所述多个芯片(200)的焊盘(210)通过打线(400)进行电气连接。本公开实施例能够减小体积，增加空间利用率。

公开(公告)号：CN113035948A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911343176.6

申请日：2019-12-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 郭依腾 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开涉及一种功率器件、电力电子设备及功率器件的制作方法。功率器件包括:N型半导体衬底；P型阱层，位于N型半导体衬底的前侧；N型发射层，位于P型阱层的前侧；沟槽，穿过N型发射层和P型阱层并延伸至N型半导体衬底的内部；第一介质层，至少覆于沟槽的底壁和侧壁；栅结构，填充于沟槽内，包括第一部分和第二部分，第一部分更加靠近沟槽的底壁，且第一部分的电阻率大于第二部分的电阻率。

公开(公告)号：CN113035793A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911355371.0

申请日：2019-12-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 葛孝昊 ,  曾丹 ,  史波 ,  赵家宽

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种芯片的制作方法，芯片的制作方法包括：在晶圆片(1)的表面形成电路层；对形成有所述电路层的晶圆片(1)进行封装；以及对封装后的所述晶圆片(1)进行切割，以形成多个封装后的芯片。应用本发明的技术方案，首先将整片的晶圆片进行封装，然后再对封装后的晶圆片进行切割以获得封装后的芯片，有利于改善相关技术中存在的芯片的制作方法工作繁琐、成本较高的问题。

公开(公告)号：CN112993006A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911276730.3

申请日：2019-12-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  曾丹 ,  江伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及电力电子器件技术领域，特别涉及一种终端结构、其制作方法及电子器件，其中，终端结构包括衬底，衬底具有主结原胞区和终端区，终端区包括靠近主结原胞区的过渡区和位于过渡区远离主结原胞区一侧的截止环；其中，衬底在位于过渡区与截止环之间的部位具有至少一个沟槽，终端区内形成有电容场板，电容场板覆盖各沟槽的侧面。本申请公开的终端结构，能够降低终端结构的面积占比，从而降低芯片的制造成本。

公开(公告)号：CN112838128A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201911158451.7

申请日：2019-11-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  刘勇强 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。其中，快恢复二极管包括：晶圆；设置于所述晶圆上的元胞区，所述元胞区包括第一离子部和第二离子部，所述第一离子部沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部，其中，第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型，形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域，由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势，有效改善快恢复二极管的性能。

公开(公告)号：CN112786558A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201911073123.7

申请日：2019-11-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈治中 ,  廖童佳 ,  王华辉 ,  史波

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  G01R31/26

Abstract: 本申请所提供的一种半导体器件及其可靠性验证方法，该半导体器件包括：至少两个芯片、框架以及引脚，其中，所述框架为具有至少两个格子的格子结构，每个所述格子内均设置有一个所述芯片，所述引脚包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚与框架相连，所述第二引脚通过导线与格子内的芯片连接；本申请可以同时将多种塑封料塑封在同一个器件，一个器件验证了多种塑封料，增加塑封料与芯片验证组合方式，对于任何一种芯片与各种塑封料匹配情况可以同步验证，并且可以同时验证多种芯片漏电情况，通过不同组合来验证长期漏电增长问题，使得研发周期、成本和效率方面具有更好的研发竞争力。