公开(公告)号：CN118872401A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380021364.5

申请日：2023-02-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大贯达也 ,  国武宽司 ,  方堂凉太

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B41/70

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体、第一导电体上的第二导电体。第一存储单元及第二存储单元分别包括晶体管及电容器。晶体管的源极和漏极中的一个与电容器的下部电极电连接。第一导电体具有与第一存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分，第一导电体的顶面具有与第二导电体的底面接触的部分，第二导电体具有与第二存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分。

公开(公告)号：CN118633362A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202380019699.3

申请日：2023-01-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大贯达也 ,  加藤清 ,  国武宽司 ,  方堂凉太

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括具有晶体管及电容器的存储单元、第一绝缘体以及第一绝缘体上的第二绝缘体，晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、氧化物上的第三绝缘体以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体及第三导电体配置在第二绝缘体所包括的第一开口中，电容器包括与第二导电体的顶面接触的第四导电体、第四导电体上的第四绝缘体及第四绝缘体上的第五导电体，第四导电体、第四绝缘体及第五导电体配置在第二绝缘体所包括的第二开口中，所述第一绝缘体、所述第二绝缘体及所述第一导电体中形成有第三开口，第三开口中配置有第六导电体，第六导电体包括与多个层的每一个所包括的第一导电体的顶面的一部分及侧面的一部分接触的区域。

公开(公告)号：CN118591879A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018330.0

申请日：2023-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大贯达也 ,  加藤清 ,  国武宽司 ,  方堂凉太

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的电子装置或半导体装置。电子装置包括第一导电体、第二导电体、第一绝缘体、第二绝缘体以及连接电极。第一绝缘体设置在第一导电体上并包括与第一导电体重叠的第一开口。第二导电体设置在第一绝缘体上并包括与第一导电体重叠的第二开口。第二绝缘体设置在第二导电体上并包括与第一导电体重叠的第三开口。第二开口具有宽度比第三开口小的部分。连接电极位于第一开口的内部、第二开口的内部及第三开口的内部并与第一导电体的顶面接触。连接电极具有与第二导电体的顶面的一部分及侧面的一部分接触的区域。

公开(公告)号：CN118402329A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280082899.9

申请日：2022-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  大贯达也 ,  加藤清

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：晶体管；以及电容器，其中，晶体管包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；配置在第一导电体及第二导电体上且具有第一开口及第二开口的第一绝缘体；第一绝缘体的第一开口内的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三导电体，第一绝缘体所具有的第一开口具有与氧化物重叠的区域，第三导电体具有隔着第二绝缘体与氧化物重叠的区域，电容器包括第二导电体、第一绝缘体的第二开口内的第三绝缘体及第三绝缘体上的第四导电体，并且，在从晶体管的沟道长度方向的截面看时，第一导电体与第二导电体之间的距离小于第一开口的宽度。

公开(公告)号：CN118318309A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280078800.8

申请日：2022-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  斋藤晓 ,  国武宽司 ,  山崎舜平 ,  和久田真弘 ,  滨田俊树

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/428 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B45/60 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10K50/00 ,  H10K59/12

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：金属氧化物；金属氧化物上的第一导电体及第二导电体；在金属氧化物上且位于第一导电体与第二导电体间的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；第三绝缘体上的第三导电体；位于第一导电体与第一绝缘体间的第四绝缘体；以及位于第二导电体与第一绝缘体间的第五绝缘体。第一绝缘体接触于金属氧化物的顶面及侧面且与第二绝缘体相比不容易透过氧。第一导电体、第二导电体、第四绝缘体及第五绝缘体包含相同金属元素。在沟道长度方向的截面中，从第一导电体到第一绝缘体的距离为第一绝缘体的膜厚度以上且从第三导电体到金属氧化物的距离以下。

公开(公告)号：CN118235540A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280071525.7

申请日：2022-10-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  方堂凉太 ,  泽井宽美 ,  宍户英明 ,  中村太纪

IPC: H10K59/122 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H10K59/123 ,  H10K59/38

Abstract: 提供一种容易实现高清晰化的显示装置。提供一种显示品质高的显示装置。显示装置包括像素电极、第一有机层、第二有机层、第一绝缘层、第二绝缘层以及公共电极。第一绝缘层具有与像素电极的顶面的一部分接触的第一部分、与像素电极的侧面接触的第二部分及不与像素电极接触的第三部分。第一有机层具有与像素电极的顶面的其他部分接触的第四部分及与第一部分接触的第五部分。第二有机层与第三部分接触且与第一有机层隔开。第二绝缘层覆盖第五部分及第二有机层且在第一有机层与第二有机层之间与第一绝缘层接触。公共电极具有与第四部分重叠的部分及隔着第二绝缘层与第二有机层重叠的部分。此外，第一有机层及第二有机层包含同一材料。

公开(公告)号：CN118176845A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072089.5

申请日：2022-10-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  方堂凉太 ,  泽井宽美

IPC: H10K50/84 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H10K59/122 ,  H10K71/00 ,  H10K71/16

Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置及其制造方法。显示装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一发光元件、第二发光元件以及树脂层。第一发光元件包括第一像素电极、第一有机层及公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二有机层及公共电极。第一绝缘体具有槽。槽具有与第一像素电极重叠的区域以及与第二像素电极重叠的区域。第二绝缘层具有与第一有机层的顶面的一部分接触的区域、与第一有机层的侧面接触的区域及在第一像素电极的下方与第一绝缘层接触的区域。树脂层位于第一有机层与第二有机层之间。公共电极以覆盖树脂层的顶面的方式设置。

公开(公告)号：CN117999863A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280063259.3

申请日：2022-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松崎隆德 ,  大贯达也 ,  国武宽司 ,  方堂凉太 ,  神保安弘

IPC: H10B53/20 ,  G11C11/22 ,  H01L29/786 ,  H10B12/00 ,  H10B51/20

Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括具有第一电极及背栅极的晶体管以及具有一对电极的电容器，晶体管的背栅极与半导体之间有可具有铁电性的第一绝缘体。第一绝缘体隔着第二绝缘体与半导体重叠。晶体管的源极及漏极中的一个与第一电极电连接。晶体管的源极及漏极中的另一个与一对电极中的一个电连接。一对电极都与第一绝缘体接触并具有隔着第一绝缘体彼此重叠的区域。作为第一绝缘体，使用铁电体。

公开(公告)号：CN117981470A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280064562.5

申请日：2022-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  菅谷健太郎

IPC: H05B33/26 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H10K50/00 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种高可靠性显示装置。该显示装置包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、第四导电层、绝缘层、功能层及发光层。第二导电层设置在第一导电层上，第三导电层设置在第二导电层上。在从截面看时第二导电层的侧面位于第一及第三导电层的侧面的内侧。绝缘层以覆盖第二导电层的侧面的至少一部分的方式设置。第四导电层以覆盖第一至第三导电层及绝缘层且与第一至第三导电层电连接的方式设置。功能层以具有与第四导电层接触的区域的方式设置，发光层设置在功能层上。第一至第三导电层中的至少一个的可见光反射率高于第四导电层的可见光反射率。

公开(公告)号：CN117916893A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280061603.5

申请日：2022-09-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  方堂凉太 ,  神保安弘 ,  仓田求 ,  笹川慎也 ,  福岛邦宏 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/428 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/532 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10B99/00

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括晶体管。晶体管包括氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体所包括的开口内的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体。开口包括与氧化物重叠的区域。第三导电体包括隔着第二绝缘体、第三绝缘体及第四绝缘体与氧化物重叠的区域。第二绝缘体与氧化物的顶面及开口的侧壁接触。第二绝缘体的厚度比第三绝缘体的厚度小。第四绝缘体与第三绝缘体相比不容易透过氧。在晶体管的沟道长度方向的截面中，第三导电体的宽度为3nm以上且15nm以下。