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公开(公告)号：CN110034186A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810031021.8
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT及其制作方法。所述HEMT包括分别作为沟道层、势垒层的第一、第二半导体，作为p型层的第三半导体，源极、漏极以及栅极等；其中势垒层上对应于栅极的区域内形成有凹槽结构，其与第三半导体及栅极配合形成p型栅，并且第二半导体包括依次设置于第一半导体上的第一、第二结构层；相对于选定刻蚀试剂，第一结构层较之第二结构层具有更高耐刻蚀性能。本发明的HEMT结构可被更为精确地调控，同时还具有更佳器件性能，如正向栅极漏电和栅阈值电压摆幅被显著改善，器件阈值电压的片内均匀性可以得到保证，同时其更易于制作，适用于规模生产。
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公开(公告)号：CN106835266A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510882778.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C30B25/12
Abstract: 本发明公布了一种提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘，包括样品托盘本体，所述样品托盘本体上端面的选定区域内分布有两个以上第一片槽，而所述样品托盘本体上端面上除所述选定区域之外的其余区域内还分布有至少一第二片槽，所述第一片槽的直径为4英寸、6英寸或8英寸，所述第二片槽的直径为2英寸或4英寸，且所述第一片槽的直径大于第二片槽的直径。本发明通过对现有大尺寸样品托盘进行改良设计，既能改善样品托盘上样品的分布均匀性，又能提高了样品托盘的使用率，使之适用于生长不同尺寸的半导体薄膜，可以有效提高半导体材料的生长产能，并降低材料生长成本，尤其适用于MOCVD、HVPE、PECVD、ALD、MBE等多种薄膜生长设备。
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公开(公告)号：CN104426050A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310394933.9
申请日：2013-09-03
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳睿光电有限公司
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上；b）将防静电元件设置在管座之上，并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座，以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放，同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作，提高了半导体激光二极管的防静电能力。
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公开(公告)号：CN213304066U
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202022749878.9
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种准分子灯，包括透光容器、至少一对电极和具有滤波功能的介质膜层，所述透光容器内封装有放电用气体，所述至少一对电极之间能够形成使放电用气体发生电离的电场，介质膜层设置于透光容器的外表面。本实用新型通过在准分子灯高电场区外侧增加带有滤波功能的介质膜，使得准分子灯具有单色性好、输出功率高、稳定性和可靠性好等优点，有助于拓宽准分子灯的应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112331552B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202011333728.8
申请日：2020-11-25
Applicant: 江西省纳米技术研究院 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种准分子灯，包括透光容器、至少一对电极和具有滤波功能的介质膜层，所述透光容器内封装有放电用气体，所述至少一对电极之间能够形成使放电用气体发生电离的电场，介质膜层设置于透光容器的外表面。本发明通过在准分子灯高电场区外侧增加带有滤波功能的介质膜，使得准分子灯具有单色性好、输出功率高、稳定性和可靠性好等优点，有助于拓宽准分子灯的应用领域。
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公开(公告)号：CN222840029U
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202420106862.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/816 , H10H20/81 , H10F30/22 , H10F77/14 , H10F77/30 , H10F77/124
Abstract: 本实用新型公开了一种紫外光电子器件的外延结构及光电子器件。该层叠结构包括层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，p型半导体结构层包括沿选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；p型半导体结构层还包括黑线层，黑线层设置在空穴运输层和接触层之间，电子阻挡层、空穴运输层和黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，接触层是由含Al或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，黑线层的带隙高于接触层、空穴运输层中任一者的带隙。本实用新型提供的一种层叠结构可以有效地阻挡低温的接触层的杂质和空位等缺陷向功能层扩散，有效地改善器件可靠性和工作寿命。
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公开(公告)号：CN217017287U
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202220721500.4
申请日：2022-03-30
Applicant: 江西省纳米技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: B05D3/06
Abstract: 本实用新型公开了一种带有异形结构的紫外LED光固化设备。紫外LED光固化设备包括设备主体和LED紫外光源，设备主体具有用于容置待照射物体的收容空间，且设备主体的侧面还设置有与收容空间连通的开口部，开口部可供待照射物体沿收容空间的径向方向进出收容空间；LED紫外光源沿收容空间的周向环绕设置在收容空间内，且LED紫外光源的发光面朝向收容空间的中心区域。本实用新型提供的紫外LED光固化设备利用LED模组发射紫外光，可调节性佳，所发射的紫外光环绕于待照射物体周围，提供均匀的光强度分布，实现对待照射物体均匀的处理；开口部能够使得待照射物体方便地进出收容空间，提高了作业效率。
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公开(公告)号：CN205188476U
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201520997293.5
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C30B25/12
Abstract: 本实用新型公布了一种提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘，包括样品托盘本体，所述样品托盘本体上端面的选定区域内分布有两个以上第一片槽，而所述样品托盘本体上端面上除所述选定区域之外的其余区域内还分布有至少一第二片槽，所述第一片槽的直径为4英寸、6英寸或8英寸，所述第二片槽的直径为2英寸或4英寸，且所述第一片槽的直径大于第二片槽的直径。本实用新型通过对现有大尺寸样品托盘进行改良设计，既能改善样品托盘上样品的分布均匀性，又能提高了样品托盘的使用率，使之适用于生长不同尺寸的半导体薄膜，可以有效提高半导体材料的生长产能，并降低材料生长成本，尤其适用于MOCVD、HVPE、PECVD、ALD、MBE等多种薄膜生长设备。
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公开(公告)号：CN216413006U
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202123117417.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 江西省纳米技术研究院 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
IPC: H01J61/073 , H01J65/04
Abstract: 本实用新型公开了一种金属电极及紫外光源。所述金属电极包括金属基体以及原位形成在所述金属基体表面的致密绝缘保护层。所述紫外光源包括：用于容纳准分子发光气体的放电腔室以及配置在所述放电腔室外部的第一电极和第二电极，至少所述放电腔室的局部设置在所述第一电极和第二电极之间，其中，所述第一电极和第二电极中的至少一者包括所述的金属电极。本实用新型实施例提供的一种紫外光源，具有臭氧产生率低、对环境友好等特点，从而有助于拓宽紫外光源的应用领域。
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