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公开(公告)号：CN104330955B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201410505727.5
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种用于EB或EUV平版印刷的化学放大正性抗蚀剂组合物，其包括(A)聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的薄膜不可溶于碱性显影剂，但是在酸的作用下变为可溶于其中，(B)酸产生剂，(C)碱性化合物，和(D)溶剂。碱性化合物(C)为包括带有侧链的重复单元的聚合物，并且构成作为组分(A)的一种聚合物或多种聚合物的一部分或全部，所述侧链具有仲胺或叔胺结构作为碱性活性位点。
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公开(公告)号：CN106054530A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610227786.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 化学增幅型负型抗蚀剂组合物定义为包括(A)具有阴离子基团的鎓盐，该阴离子基团为稠环结构的含氮羧酸根，(B)基础树脂，和(C)交联剂。该抗蚀剂组合物在曝光步骤过程中对于控制酸扩散有效，在图案形成过程中显示非常高的分辨率，并且形成具有最小LER的图案。
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公开(公告)号：CN102321212B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110141664.6
申请日：2011-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F220/30 , C08F212/14 , C08F222/18 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F20/22 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , C08F2220/283 , C08F232/08 , C08F2220/382
Abstract: 将一种包括在侧链上具有氟化羧酸鎓盐结构的重复单元的聚合物用于配制化学放大正性抗蚀剂组合物。当该组合物通过平版印刷处理形成正性图案时，酸在抗蚀剂膜中的扩散均匀并且缓慢，以及该图案的LER得到改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104460224A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410499396.9
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/76 , H01L21/033
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/50
Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。
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公开(公告)号：CN102221780B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110105553.X
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/038
Abstract: 提供一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)碱可溶性聚合物，(B)酸产生剂，和(C)作为碱性组分的含氮化合物，该聚合物(A)在酸催化剂存在下变为碱不溶性。在侧链上具有仲或叔胺结构的碱性聚合物用作组分(A)和(C)。由EB或EUV平版印刷方法处理负性抗蚀剂组合物可以形成精细尺寸的抗蚀剂图案，优点包括碱均匀扩散、LER改善、酸在基材界面的钝化受控和咬边程度降低。
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公开(公告)号：CN101900939B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010194426.7
申请日：2010-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382
Abstract: 本发明提供一种负型光阻组合物，其至少包含：(A)碱可溶性且可通过酸的作用而成为碱不溶性的基质高分子、及/或碱可溶性且可通过酸的作用与交联剂进行反应而成为碱不溶性的基质高分子与交联剂的组合；(B)酸产生剂；(C)作为碱性成份的含氮化合物，其中，作为该基质高分子，是将含有两种以上通式(1)所代表的单体、或一种以上通式(1)所代表的单体及一种以上通式(2)所代表的苯乙烯单体的混合物聚合所获得的高分子，或是将该高分子所具有的官能团更进一步加以化学转化所获得的高分子，且相对于构成前述所获得的高分子的全部重复单元，源于通式(1)所代表的单体的重复单元合计为50摩尔％以上。
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公开(公告)号：CN101893824B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010178168.3
申请日：2010-05-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/30 , G03F7/322
Abstract: 本发明的目的是提供一种负型光阻组合物、使用其的图案形成方法、其检查方法及调制方法，该负型光阻组合物至少含有：(A)碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础树脂及/或碱可溶性且可由于酸的作用与交联剂反应而变为碱不溶性的基础树脂与交联剂的组合、(B)产酸剂、(C)含有氮作为碱性成分的化合物，其形成为了形成光阻图案而实施曝光处理、显影处理且具有50nm～100nm厚的X nm的光阻膜，其特征在于：该负型光阻组合物在形成图案时的成膜条件下形成光阻膜的情况，对于在形成图案时的显影处理中所使用的碱性显影液的溶解速度，成为0.0333X-1.0nm/sec以上0.0667X-1.6nm/sec以下的值。
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公开(公告)号：CN101762981B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910262157.0
申请日：2009-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及一种化学增幅正型光阻组合物，是用以形成在光刻中使用的化学增幅光阻膜，该化学增幅正型光阻组合物的特征在于：至少含有：(A)基质树脂，是碱不溶性或碱难溶性的树脂，具有酚性羟基被叔烷基所保护的重复单元，且当前述叔烷基脱离时，变成碱可溶性；(B)酸产生剂；(C)碱性成分；及(D)有机溶剂；且，以通过旋转涂布来获得具有10～100nm的膜厚的前述化学增幅光阻膜的方式调整固体成分浓度。根据本发明，可提供一种化学增幅正型光阻组合物，在光刻中，可在形成10～100nm的膜厚时，一边抑制由于化学增幅光阻膜薄膜化而造成的LER恶化，一边获得高解析性；及提供一种使用此光阻组合物的光阻图案形成方法。
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