公开(公告)号：CN113224091A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110080169.2

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢丰键 ,  郑允玮 ,  胡维礼 ,  李国政 ,  陈英豪

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种影像感测装置以及其制造方法。该方法包含在一基板上形成多个感光像素；在该基板上，沉积一介电质层；蚀刻该介电质层，在该介电质层中造成一第一凹槽，该第一凹槽横向地环绕这些感光像素；在该第一凹槽中，形成一挡光结构，而使该挡光结构横向地环绕这些感光像素。

公开(公告)号：CN113078177A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110201416.X

申请日：2021-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昆辉 ,  郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  贾钧伟

IPC: H01L27/146 ,  G01R29/08

Abstract: 本发明的实施例提供了一种IC结构，包括：具有第一掺杂类型以及包括上表面的衬底区域；在该衬底区域内的第一和第二区域，第一和第二区域中的每一个均具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；以及栅极导体，包括在垂直于上表面的平面的方向上延伸到衬底区域中的多个导电突起部。导电突起部彼此电连接，并且每个导电突起部的至少一部分位于第一与第二区域之间。本发明的实施例还提供了一种检测电磁辐射的方法。

公开(公告)号：CN113053929A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202010935575.8

申请日：2020-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢丰键 ,  郑允玮 ,  胡维礼 ,  李国政 ,  陈信吉

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法，半导体结构包括光电二极管，其中光电二极管包括具有第一导电类型掺杂的基板半导体层、与基板半导体层形成p‑n接面的第二导电类型光电二极管层、与第二导电类型光电二极管层侧向分隔的浮动扩散区域，以及传送栅极电极。传送栅极电极包括形成在基板半导体层中的传送栅极电极下部，且传送栅极电极下部位于第二导电类型光电二极管层和浮动扩散区域之间。传送栅极电极可侧向环绕p‑n接面，并提供增强的电子传输效率从p‑n接面到浮动扩散区域。光电二极管阵列可用于影像感测器中。

公开(公告)号：CN109585470B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201810826083.8

申请日：2018-07-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  黄熏莹 ,  徐世勋

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及具有改进的量子效率的半导体图像传感器。半导体图像传感器包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体层。互连结构设置在半导体层的第一表面上，并且多个辐射感测区域形成在半导体层中。辐射感测区域被配置为感测从第二表面进入半导体层的辐射，并且多个槽结构形成在半导体层的第二表面上。本发明的实施例还涉及具有改进的量子效率表面结构的图像传感器。

公开(公告)号：CN105895648B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201610087672.X

申请日：2016-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  许永隆 ,  陈信吉

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种集成电路包括第一半导体器件、第二半导体器件和金属屏蔽层。第一半导体器件包括第一衬底和第一多层结构，第一衬底支持第一多层结构。第二半导体器件包括第二衬底和第二多层结构，第二衬底支持第二多层结构。金属屏蔽层设置在第一多层结构和第二多层结构之间，其中，金属屏蔽层电连接至第二半导体器件。本发明还提供了具有金属屏蔽层的集成电路和图像感测器件以及相关制造方法。

公开(公告)号：CN109841640A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810434110.7

申请日：2018-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  黄熏莹 ,  黄胤杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明实施例涉及一种具有在前段制程工艺期间形成的焊盘结构的图像传感器及其形成方法。可以在形成背侧深沟槽隔离结构和金属栅格结构之前形成焊盘结构。在图像传感器件的背侧上形成开口以暴露嵌入式焊盘结构并形成电连接。

公开(公告)号：CN109786407A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811083120.7

申请日：2018-09-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例涉及形成偏振光栅结构(例如，偏振器)作为背照式图像传感器器件的栅格结构的一部分的方法。例如，该方法包括在具有辐射感测区域的半导体层上方形成层堆叠件。此外，该方法包括在栅格结构内形成一个或多个偏振光栅结构的光栅元件，其中，形成光栅元件包括(i)蚀刻层堆叠件以形成栅格结构以及(ii)蚀刻层堆叠件以形成定向为偏振角的光栅元件。本发明的实施例还提供了半导体图像传感器及其形成方法。

公开(公告)号：CN109768056A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201810142045.0

申请日：2018-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  黄薰莹

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供图像传感装置的形成方法，包括形成第一沟槽于半导体基板中。半导体基板具有正面与背面，且第一沟槽自正面延伸至半导体基板中。方法包括形成第一隔离结构于第一沟槽中。方法包括形成光传感区于半导体基板中。第一隔离结构围绕光传感区。方法包括形成第二沟槽于半导体基板中。第二沟槽自背面延伸至半导体基板中，并露出第一隔离结构。方法包括形成第二隔离结构于第二沟槽中。第二隔离结构包括光阻挡结构以吸收或反射入射光。

公开(公告)号：CN106057832B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201510626999.5

申请日：2015-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  曾鸿辉 ,  王昭雄 ,  周俊豪 ,  蔡宗翰 ,  李国政 ,  许永隆

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明提供了一种具有堆叠栅格偏移的背照式(BSI)图像传感器。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格部分布置在像素传感器上方并且该金属栅格部分中具有金属栅格开口。金属栅格开口的中心横向偏移于像素传感器的中心。介电栅格部分布置在金属栅格上方并且该介电栅格部分中具有介电栅格开口。介电栅格开口的中心横向偏移于像素传感器的中心。本发明还提供了一种用于制造BSI图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN109427833A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711246848.2

申请日：2017-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  黄薰莹

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供光感测元件及其形成方法，光感测元件包括半导体基板及位于半导体基板中的光感测区域。光感测元件亦包括位于半导体基板之上的光反射零件。光感测区域介于光反射零件及半导体基板的光接收表面之间。光反射零件包括多对介电层的堆叠，每一对介电层具有第一介电层及第二介电层，且第一介电层具有与第二介电层不同的折射率。