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公开(公告)号：CN115692569A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211521246.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过提供复合衬底，所述复合衬底包括依次堆叠的第一衬底、键合层以及第二衬底；接着，在所述复合衬底表面生长外延叠层并形成对应的接触电极后，沿所述复合衬底的一侧，通过磨边工艺，使所述LED芯片的边缘裸露所述键合层；最后通过刻蚀所述键合层，同步去除所述键合层及第一衬底。如此，在避免对衬底整体进行物理研磨的同时，亦可实现对LED芯片减薄时的均匀性。同时，在本发明的LED芯片的制作过程中，无需对第二衬底进行直接加工处理，而LED芯片的最终厚度由第二衬底的厚度决定，因此，本发明的LED芯片厚度易于控制，尤其适用于小尺寸的LED芯片。
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公开(公告)号：CN113097361B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110354775.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明提供了一种提高LED结构稳定性的方法，包括：将ITO浸泡在包含化学修饰剂的溶液中进行浸泡，得到修饰后的ITO；所述化学修饰剂为包含氨基和\或巯基的有机物；然后在修饰后的ITO表面蒸镀金属层。与现有技术相比，本发明通过在ITO表面形成化学修饰剂自组装单分子层，并且化学修饰剂含有氨基和\或巯基可进一步进行修饰，从而使蒸镀的金属与氨基和\或巯基形成稳定的化学键，提高了ITO与金属层之间的粘附性，进而提高了LED的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN112885718B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110075647.0
申请日：2021-01-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/285 , C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本申请公开了一种复合导电薄膜的制备方法，该方法采用反应等离子沉积工艺制备第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层，避免了传统的真空蒸发和磁控溅射等工艺制备的薄膜的累积应力较大的问题，也避免了对基板造成损伤的情况，同时在制备第一功能层时，通入的第一预设气体流量随时间递增，以减小膜层生长应力，实现制备低应力薄膜的目的，同样的在制备第二功能层时，通入的第二预设气体流量随时间增加而降低，以降低膜层生长应力，实现制备低应力薄膜的目的，结合特定的第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层堆叠结构，实现制备低阻值、高穿透率和高稳定性的透明导电薄膜的目的。
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公开(公告)号：CN111640830B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010530012.0
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过在外延叠层表面设置电流阻挡层、电流传导复合层、ITO层及扩展电极；基于该技术方案，分别通过扩展电极作为与第一电极接触的反射电极、电流传导复合层作为通过ITO层与第二电极接触的反射电极层，使ITO层引入的电流经电流传导复合层后并通过电流阻挡层的阻挡使其在所述台面进一步横向传导，从而降低LED芯片的驱动电压；同时，通过电流传导复合层中的Al反射层再次配合DBR反射层，可进一步地提高电流传导复合层下方的反射率，提升芯片亮度。
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公开(公告)号：CN113675311A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110912304.5
申请日：2021-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其外延叠层的边缘蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成台阶，且所述外延叠层的外围具有衬底裸露面；通过将DBR反射层覆盖所述外延叠层且裸露所述台阶的部分表面，所述DBR反射层具有裸露部分所述第二型半导体层的第一通孔。使所述第一电极和第二电极沿所述外延叠层的侧壁凹陷设计，在保证两者之间间距最大化的同时，增大所述第一电极、第二电极与所述外延叠层的附着力，避免电极脱落，从而有效解决LED芯片在固晶工艺过程中的锡膏短路问题，并提高LED芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564537B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010401072.2
申请日：2020-05-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，通过第一绝缘保护层覆盖所述外延叠层并分别裸露所述台面和所述凹槽的部分表面；金属夹层层叠于所述第一绝缘保护层背离所述外延叠层的一侧表面，且具有至少一通孔，所述通孔位于所述台面的上方且远离所述台面的裸露部设置；第二绝缘保护层覆盖所述金属夹层背离所述第一绝缘保护层的一侧表面，并填充所述金属夹层的所述通孔；所述第二绝缘保护层显露所述台面的裸露部及所述凹槽的裸露部。通过第一绝缘保护层、金属夹层及第二绝缘保护层三者在光反射时的相互配合，并调节所述金属夹层的所述通孔的大小、形状及其排布即可可控性地调节微型发光元件的发光角度，从而提高光的提取率。
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公开(公告)号：CN112885718A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110075647.0
申请日：2021-01-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/285 , C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本申请公开了一种复合导电薄膜的制备方法，该方法采用反应等离子沉积工艺制备第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层，避免了传统的真空蒸发和磁控溅射等工艺制备的薄膜的累积应力较大的问题，也避免了对基板造成损伤的情况，同时在制备第一功能层时，通入的第一预设气体流量随时间递增，以减小膜层生长应力，实现制备低应力薄膜的目的，同样的在制备第二功能层时，通入的第二预设气体流量随时间增加而降低，以降低膜层生长应力，实现制备低应力薄膜的目的，结合特定的第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层堆叠结构，实现制备低阻值、高穿透率和高稳定性的透明导电薄膜的目的。
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公开(公告)号：CN108807629B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810939754.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管及制作方法，通过在钝化层上形成多个通孔，电流从第一电极注入，经过通孔结构传至电流扩展层，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽，且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。并且，该发光二极管的制作方法简单。
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公开(公告)号：CN111584691A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010461643.1
申请日：2020-05-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种应用于显示屏的LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括衬底、外延片、复合导电层、第一钝化层、P电极以及N电极，其中，复合导电层包括欧姆接触层和至少两层透明导电层，至少两层透明导电层的致密性沿预设方向逐渐降低，从而在对至少两层透明导电层进行刻蚀后，使得复合导电层靠近第一区域的侧面到第一区域之间的距离沿预设方向逐渐增大，进而增大复合导电层靠近第一区域的侧面与第一区域所成的角度，使其角度的取值位于140度～160度范围内，以提高后续第一钝化层形成后，第一钝化层在复合导电层该侧面的包覆性，降低第一钝化层位于复合导电层侧面的部分发生断裂的概率，提高所述LED的可靠性。
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公开(公告)号：CN111564537A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010401072.2
申请日：2020-05-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，通过第一绝缘保护层覆盖所述外延叠层并分别裸露所述台面和所述凹槽的部分表面；金属夹层层叠于所述第一绝缘保护层背离所述外延叠层的一侧表面，且具有至少一通孔，所述通孔位于所述台面的上方且远离所述台面的裸露部设置；第二绝缘保护层覆盖所述金属夹层背离所述第一绝缘保护层的一侧表面，并填充所述金属夹层的所述通孔；所述第二绝缘保护层显露所述台面的裸露部及所述凹槽的裸露部。通过第一绝缘保护层、金属夹层及第二绝缘保护层三者在光反射时的相互配合，并调节所述金属夹层的所述通孔的大小、形状及其排布即可可控性地调节微型发光元件的发光角度，从而提高光的提取率。
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