公开(公告)号：CN113299551B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202110457710.7

申请日：2021-04-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 胡正光 ,  王立 ,  赵勇 ,  王震东 ,  王仲平 ,  王剑宇 ,  刘峰良

IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面湿润状态不同；再进行腐蚀，得到纳米半导体材料。本发明通过调控沉积后衬底的表面浸润状态，使得腐蚀区域既可以与金属的覆盖区域完全吻合，也可以使腐蚀区域大于金属的覆盖区域，从而可以根据不同需要使得纳米半导体材料具有优异的光电、热电及电化学性能。实施例的结果显示，干燥处理后制备的纳米半导体材料的腐蚀区域与金属的覆盖区域完全吻合，纳米线阵列较为致密且均匀。

公开(公告)号：CN115928211A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211546318.0

申请日：2022-11-30

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王启胜 ,  孙志超 ,  王燕 ,  邱梦春 ,  王立

IPC: C30B29/10 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明涉及一种批量制备大面积铅盐半导体单晶薄膜的装置及方法。包括：多段式真空管式炉、气源、真空泵、加热与控温装置；多段式真空管式炉，含反应源放置区，恒温加热区，控温沉积区。所述大面积铅盐半导体单晶薄膜在垂直放置的基底上生长，利用真空管式炉，加热与控温装置经化学气相沉积得到。通过对控温沉积区的温度梯度，以及反应源，沉积时间，气体流量和生长基底的调控，实现对铅盐半导体薄膜的薄膜厚度，薄膜面积，表面形貌，晶粒大小，单晶性控制。本发明能有效解决铅盐半导体单晶薄膜难以高效率、大面积制备的问题，推动低成本、室温工作的高分辨率焦平面红外探测器的实现。

公开(公告)号：CN115119355B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211037021.1

申请日：2022-08-29

Applicant: 南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌大学

Inventor： 王光绪 ,  柳裕 ,  张建立 ,  王立 ,  郭醒

IPC: H05B45/00 ,  F21K9/90 ,  H04B10/116 ,  H04B10/50

Abstract: 本发明公开了一种兼顾定位和照明的高速LED器件及其制备方法，所述LED器件包括LED电路、RLC旁路和封装基板，所述LED电路中包括若干LED芯片，所述LED芯片的波长不少于两种，所述LED电路包括至少两个单独控制的LED子电路，同一所述LED子电路上的LED芯片波长相同，至少有一个所述LED子电路并联连接RLC旁路，所述RLC旁路包括相互串联的电阻R、电感L和电容C，三者与LED子电路分别固定在所述封装基板上，形成电学连接。本发明通过在LED两端并联RLC旁路，提升LED调制带宽，用不同波长LED发射信号实现精准定位，调节不同波长LED光功率，提高照明效果。

公开(公告)号：CN115394767A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210971490.4

申请日：2022-08-12

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王启胜 ,  成者 ,  王立 ,  张贤晶

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/144 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺，包括CMOS红外探测结构和CMOS测量电路系统，所述CMOS红外探测结构和所述CMOS测量电路系统均采用CMOS工艺制备；所述CMOS红外探测结构直接集成在CMOS测量电路系统外层的单晶硅/二氧化硅层，所述二氧化硅层上设置有金属电极或导电层中的一种，所述金属电极或导电层可与CMOS测量电路系统连接，用于信号传输；所述金属电极或导电层上设置热电材料层，所述热电材料层作为整个红外探测器的光敏部位；所述热电材料层上设置导电玻璃层。本发明与CMOS直接集成，像元间距小，可实现超大像素FPA制备。本发明制备成本低，对材料单晶性要求低，器件结构微小，操作简单。

公开(公告)号：CN115043374A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210547989.2

申请日：2022-05-18

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 郭醒 ,  陈丁翌 ,  王都阳 ,  罗昕 ,  徐龙权 ,  王光绪 ,  王立

IPC: B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于电场作用的液滴成型法微纳复合结构制备方法，首先通过电场作用诱导电晕放电的离子风作用得到第一聚合物微液滴阵列，然后通过电荷注入复合作用的主动制冷蒸气凝结法在第一聚合物微液滴阵列表面上凝结自组装得到第二纳液滴阵列，接着引入第二聚合物，最后固化第一或第二聚合物，得到第一微结构阵列，由于第二纳液滴阵列压印作用，在第一微结构阵列表面得到与第二纳液滴阵列对应的曲面第二纳结构阵列，从而获得微纳复合结构阵列。本发明采用电场作用的微纳复合液滴成型实现微纳复合结构阵列，通过微纳复合液滴成型工艺参数调节实现微纳复合结构形貌参数的灵活调控，本发明技术方案具有工艺简单、成本低和形貌参数灵活可控的优点。

公开(公告)号：CN114853456A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210398687.3

申请日：2022-04-15

Applicant: 南昌大学

Inventor： 陈兴涛 ,  艾金水 ,  郑仁奎 ,  王立

IPC: C04B35/115 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种近蓝宝石光学质量的伽马型氧化铝透明纳米晶陶瓷材料的制备方法，属于透明陶瓷材料技术领域。本发明工艺方法以铝盐和硫酸铵为原料配制混合原料溶液，将所配混合原料溶液缓慢滴入碳酸氢铵配制的沉淀剂中，充分反应得到沉淀物，沉淀物洗涤抽滤烘干后经焙烧得到伽马相氧化铝纳米粉体；将制备的纳米粉体装入模具成型素坯，然后送入两面顶压机设备中经两步超高压力烧结即得高透明γ‑Al2O3透明纳米晶陶瓷。本发明所制备的伽马型氧化铝新型透明纳米晶陶瓷材料具有可媲美蓝宝石单晶体的高透过率、高物理化学稳定性和优异力学性能等特性，并且该材料合成周期短，易于实现批量化生产。

公开(公告)号：CN114609061A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210188595.2

申请日：2022-02-28

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王启胜 ,  王立 ,  赵秀萍

IPC: G01N21/31 ,  G01N21/27

Abstract: 本发明提供了一种基于分立光学池组的气体分析装置及其气体分析方法，包括：宽带光源，发射覆盖多组分气体吸收谱线的光束；可为紫外光源或红外光源；多面反射锥，用于反射宽带光源发射的光束；分立光学池组，包括N个不同反射光程的分立光学池组合，其中一个参比光学池；探测器组，有不同波段截止的透镜的光电探测器。本发明创新性地采用多面反射锥对宽带光源的光束进行均匀分束，入射到由多个分立光学池的组合气体池中，实现了一种高集成度的多组分气体监测装置；同时，提出了一种基于分立光学池组的多组分气体分析方法，通过构建多种气体分析模型、建立标定矩阵，通过主成分分析算法实现无交叉干扰，宽浓度范围的多组分气体监测。

公开(公告)号：CN114530535A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210047002.0

申请日：2022-01-17

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 郑畅达 ,  舒俊 ,  张建立 ,  王小兰 ,  高江东 ,  李丹 ,  杨小霞 ,  潘拴 ,  王立

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，从下至上依次包括：支撑基板、键合金属层、P型电极、P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层、缓冲层及N型电极，其中，缓冲层具有贯穿的V型孔洞结构；N型半导体完全填充缓冲层的V型孔洞；N型电极与V型孔洞内的N型半导体接触，形成欧姆接触。在Si衬底上生长具有V型孔洞贯穿的缓冲层，然后生长高掺杂的N型半导体层，并且缓冲层的V型孔洞被N型半导体完全填充，该结构的组合保证了器件良好的N型欧姆接触特性的同时，保留了高强度的缓冲层，可实现具有超薄外延层的氮化镓基垂直结构发光二极管的制造。

公开(公告)号：CN114388675A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111568088.3

申请日：2021-12-21

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 吴小明 ,  刘杰 ,  莫春兰 ,  蒋恺 ,  王立 ,  陈芳

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/14 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基微型LED芯片及其制备方法，所述LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P型电极层、介质层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极层。所述LED芯片的径向尺寸在40μm以下。在所述介质层上设有若干小孔，P型电极层通过小孔与P型半导体层接触。通过调整介质层表面的小孔边缘到台面边缘的距离，结合芯片边缘区域设置的电隔离区域，本发明能够实现高光反射率，且可以调制电流扩展长度，限制电流部分远离表面缺陷，减弱载流子在侧壁面产生非辐射复合，最终可以提高微型LED芯片的电光转换效率。

公开(公告)号：CN114335305A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111320757.5

申请日：2021-11-09

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 郭醒 ,  蔡丰任 ,  罗昕 ,  徐龙权 ,  王光绪 ,  付江 ,  王都阳 ,  吴小明 ,  方芳 ,  王立 ,  张建立 ,  江风益

IPC: H01L33/58 ,  H05B45/30

Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED侧发光模块及侧发光装置，该侧发光模块包括多基色LED光源、光源电路板、扩散板、导光板、第一反光层、第二反光层和散热器，多基色LED光源中不含荧光粉，通过至少四颗不同基色的LED芯片直接合成白光，导光板边缘设置有光耦合结构，扩散板、第二反光层、导光板、第一反光层依次叠设，导光板的光耦合结构和第一、第二反光层的设置实现了结构紧凑的多基色LED侧发光模块的高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性；侧发光装置由侧发光模块和外壳、电源模块、控制模块、导线组成，侧发光模块与电源模块、控制模块通过导线相连，并结合驱动和控制设计，实现了多基色LED侧发光装置的光谱可调，实现按需照明，并兼顾高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性的照明要求。