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公开(公告)号：CN115928211A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211546318.0
申请日：2022-11-30
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及一种批量制备大面积铅盐半导体单晶薄膜的装置及方法。包括：多段式真空管式炉、气源、真空泵、加热与控温装置；多段式真空管式炉，含反应源放置区，恒温加热区，控温沉积区。所述大面积铅盐半导体单晶薄膜在垂直放置的基底上生长，利用真空管式炉，加热与控温装置经化学气相沉积得到。通过对控温沉积区的温度梯度，以及反应源，沉积时间，气体流量和生长基底的调控，实现对铅盐半导体薄膜的薄膜厚度，薄膜面积，表面形貌，晶粒大小，单晶性控制。本发明能有效解决铅盐半导体单晶薄膜难以高效率、大面积制备的问题，推动低成本、室温工作的高分辨率焦平面红外探测器的实现。
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