公开(公告)号：CN114530535A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210047002.0

申请日：2022-01-17

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 郑畅达 ,  舒俊 ,  张建立 ,  王小兰 ,  高江东 ,  李丹 ,  杨小霞 ,  潘拴 ,  王立

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，从下至上依次包括：支撑基板、键合金属层、P型电极、P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层、缓冲层及N型电极，其中，缓冲层具有贯穿的V型孔洞结构；N型半导体完全填充缓冲层的V型孔洞；N型电极与V型孔洞内的N型半导体接触，形成欧姆接触。在Si衬底上生长具有V型孔洞贯穿的缓冲层，然后生长高掺杂的N型半导体层，并且缓冲层的V型孔洞被N型半导体完全填充，该结构的组合保证了器件良好的N型欧姆接触特性的同时，保留了高强度的缓冲层，可实现具有超薄外延层的氮化镓基垂直结构发光二极管的制造。