-
公开(公告)号：CN103019955B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110300660.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/121
Abstract: 本发明提供一种基于PCRAM主存应用的内存管理方法，应用在由CPU、内存以及外存构建的系统中，该内存管理方法是：将DRAM缓存作为PCRAM主存的缓存，系统将DRAM缓存中的闲置页以循环均衡方式置换到PCRAM主存；于CPU执行写数据的操作时，CPU检测DRAM缓存中是否存在要写的数据页，存在则将数据写入DRAM缓存，否则将要写的数据页由PCRAM主存读入到DRAM缓存之后再进行写操作，实现了CPU写操作时对PCRAM主存所需求的擦写次数及写速度、疲劳特性等性能的需求；于CPU执行读数据的操作时，CPU首先访问DRAM缓存，并在DRAM缓存中未读取到要访问的数据页时，CPU访问PCRAM主存进行读取，实现CPU可直接读取DRAM缓存及PCRAM主存内的数据，大大节省了系统读操作时的工作量。
-
公开(公告)号：CN105633279A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610066316.X
申请日：2016-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1286
Abstract: 本发明提供一种包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法，包括：1）提供衬底，在衬底内形成至少一个下电极；2）在下电极的上表面形成加热电极，在加热电极之间的衬底表面形成第一绝缘材料层；3）采用回刻工艺刻蚀去除部分加热电极及第一绝缘材料层，在加热电极上方的第一绝缘材料层内形成限定型孔结构；4）在限定型孔结构内形成部分限定型相变材料结构，并在部分限定型相变材料结构表面形成上电极；5）在上电极表面形成引出电极。本发明与传统蘑菇型器件结构相比，相变体积减小，可以大大降低器件功耗并提高相变速度，与完全限定型相变材料器件结构相比，不需要引入相变材料的化学机械抛光工艺，避免了对相变材料上表面的损伤。
-
公开(公告)号：CN103532400B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310499989.0
申请日：2013-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M5/458
Abstract: 本发明提供一种基于市电的开关功放电路。该开关功放电路至少包括：用于将市电整流为直流电的整流电路；用于基于所述直流电来提供所需的共模电平的共模电平提供电路；用于基于所述直流电与所述共模电平来分别提供相互对应的正向脉宽信号与反向脉宽信号的PWM波形产生电路；用于基于所述共模电平及正反向脉宽信号来分别生成2路开关信号的开关信号生成电路；以及分别设置有受控开关的2路变压电路，其每一路的受控开关接入1路开关信号，且各自基于各自的开关信号及所述直流电来向负载提供相应方向的电能以驱动负载。本电路集变压和开关类功放于一身，而且系统结构非常简单。并且使用的是开关类功放电路，效率也高。
-
公开(公告)号：CN103531710B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310500580.6
申请日：2013-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变存储单元的操作速度，降低相变存储单元的操作功耗；其特征在于采用微纳加工技术（如聚焦离子束，FIB）去除一部分与加热电极相接触的相变材料层。本发明缩小了相变材料层的体积，使其与加热电极的接触面积极大的减小，三维纳米尺度得存储单元制备得以实现，使存储性能实现高速低功耗。在三维存储单元实现稳定工艺与稳定性能的基础上，在一个相同的底电极上进一步制备出4个及4个以上同等尺寸的存储单元，研究40纳米以下技术节点的高密度存储特性的串扰与存储特性，本发明可直接用于指导工程化相变存储芯片的设计、工艺、测试等，是研发与工程化联系的桥梁。
-
公开(公告)号：CN105280815A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510626675.1
申请日：2015-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器检测结构及其制备方法，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区相连接；相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区相隔离。本发明利用该相变存储器检测结构，在正常的相变存储单元旁边设置相变电阻伪单元，使得相变电阻材料处于浮空状态以免受电场的影响，以此对比来检测相变电阻材料是否受到工艺中电场条件的影响，能够检测相变电阻材料在不同连接情况下受到工艺中偏压条件影响的差异，进而优化工艺参数，提高相变单元的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103896290B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210587486.4
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，具体涉及一种较宽pH范围稳定的改性硅溶胶及其制备方法。本发明的稳定的改性硅溶胶制备方法如下：将待改性的碱性硅溶胶与阴离子交换树脂混合进行交换反应，获得除去阴离子的硅溶胶；加热使其沸腾，搅拌滴加金属盐溶液，获得待反应液；将待反应液于反应釜中反应0.5～24h，反应温度为100～150℃，得到反应产物；将反应产物与阳离子交换树脂混合进行交换反应，除去反应产物中的金属离子，获得改性的硅溶胶。本发明提供的改性硅溶胶，胶粒粒径10~60nm，二氧化硅含量为0.1~40%，pH值为3~11，常温放置一年以上，能够满足涂料、纺织、半导体等领域的应用需求。
-
公开(公告)号：CN102866934B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201110186986.2
申请日：2011-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 本发明提供一种基于非易失随机存储器的嵌入式设备的休眠及唤醒系统，应用于嵌入式设备的操作系统中，其至少包括：一中央处理器及一具有CPU状态备份区和用以存储内存动态信息的系统RAM区的非易失随机存储器，该中央处理器接收到休眠信号时，挂起内存中相关进程及性能管理模块中注册的设备，保存CPU寄存器信息并备份至CPU状态备份区；在接收唤醒信号时，将CPU状态备份区保存的CPU寄存器信息装载至中央处理器，并基于系统RAM区的内存动态数据唤醒休眠的设备及进程，因采用非易失存储器，系统在休眠与唤醒时系统RAM区的动态内存数据无需另行备份及装载，进而降低了系统休眠及唤醒时的工作量和功耗，同时提高了系统的运行速度。
-
公开(公告)号：CN103049397B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210559664.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统，所述管理系统包括SATA接口控制器、微处理器、DRAM内存、本地总线、闪存控制器、及NAND闪存，所述固态硬盘内部管理系统中还包括PCRAM缓存，所述PCRAM缓存包括数据块置换区及映射表存储区，其中，所述数据块置换区用于存放从所述DRAM内存置换到所述PCRAM缓存的数据块，所述映射表存储区用于保存数据页逻辑地址到物理地址之间的映射表，本发明通过基于PCRAM的SSD内部缓存管理方法，实现对固态硬盘的写的缓存以克服固态硬盘的读写不均衡特性、有效提高写性能、减少固态硬盘的随机写操作及擦出操作，以此来延长固态硬盘的寿命及提高固态硬盘的整体I/O性能。
-
公开(公告)号：CN104831235A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510136878.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr-Sb-Te系列相变材料的化学式为Zr100-x-ySbxTey，其中0＜100-x-y＜20，0.5≤x/y≤4。本发明的用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料具有较好的结晶速度及较高的沉积态稳定性，其在电脉冲作用下可以实现可逆相变，相变前后有电阻高低差异之分，差值较大，可以分辨出“0”、“1”，其中Set电压脉冲宽达到100ns，Reset电压脉冲宽度达到10ns，循环次数达到104，是一种较为理想的相变材料，可用于制作相变存储器单元。所述Zr-Sb-Te系列相变材料可采用多种方法制备，其中磁控溅射法比较灵活，可以方便制得组分可调、质量较高的Zr100-x-ySbxTey复合薄膜。
-
公开(公告)号：CN103123609B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310078623.6
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供一种存储器的分块管理方法。根据本发明的方法，先将存储器包含的各存储块均分为至少两个子存储块，并在每一子存储块中设置一记录空间；随后，基于每一子存储块的记录空间中的写次数来确定是否对子存储块进行拆分和/或对存储块进行合并；接着，对已确定拆分的子存储块进行拆分和/或对已确定合并的存储块进行合并，由此实现对存储块的灵活管理，提高存储器中空闲页的利用率，减少存储碎片，进而提高存储器的使用寿命。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
957
records
(took 0.076 seconds)
