-
公开(公告)号：CN118598662A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410655816.1
申请日：2024-05-24
Applicant: 华中科技大学 , 江西赣锋锂电科技股份有限公司
IPC: C04B35/50 , H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M10/054 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种碱金属电池用固态电解质的一体化烧结成型方法及产品，属于固态电解质领域，先制备碱金属电池用固态电解质生坯，接着在生坯表面预制一层物理阻隔层，最后执行快速升温的放电等离子烧结工艺。物理阻隔层成分使自身在放电等离子烧结过程中不发生熔化，且与生坯中活性碱金属发生反应，反应的过程能将生坯中对应的活性碱金属固定在生坯内并生成包括活性碱金属的活性层，活性层位于烧结后坯体的表面，能用于降低自身界面内阻，活性层具有密封性能以能用于阻断生坯烧结过程中自身内部气氛的外溢。本发明方法能解决固态电解质的高温烧结存在活性碱金属组分挥发、黏附、致密度下降、离子电导率下降、烧结工艺复杂的问题。
-
公开(公告)号：CN117166048A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311076670.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维CuFeSe2晶体材料及其晶面可控生长方法。该制备方法包括：(1)将铁粉和碘化钾混合作为铁源，碘化铜作为铜源；将铁源和铜源放置在位于单温区管式炉下游的石英套管内；(2)将硒源放置在单温区管式炉上游，通过载气将硒蒸气带入单温区管式炉下游使其与铁源和铜源反应；其中，通过调节炉温为600℃～700℃，保温时间为360s～450s，在衬底上制得不同晶面的二维CuFeSe2晶体材料。本发明方法制备出的材料结晶质量高、物相单一且环境稳定性好，同时本发明能够通过控制生长温度实现二维CuFeSe2晶体材料的晶面可控生长。
-
公开(公告)号：CN114583312B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210224380.1
申请日：2022-03-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M10/54
Abstract: 本发明公开了一种超薄锂箔材的加工回收方法以及产品，属于锂离子电池领域。本发明采用液相减薄剂与锂金属进行接触反应，制备的超薄锂箔材厚度在20μm以下，表面平整，厚度可任意调控且均一性好。本发明方法还能将制备过程中所产生的含锂副产品进行回收再利用。本发明制备的超薄金属锂箔材作为锂电池金属锂负极使用时可提高电池的能量密度，降低电池制造成本，也可以用于其他类型电极材料的补锂，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN116504867A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310555742.X
申请日：2023-05-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0264
Abstract: 本发明属于图像传感器技术领域，公开了一种二维金属硫属化合物复合异质结的近红外探测器及其制备，该近红外探测器自下而上包括衬底、功能层及电极层，其中，所述功能层为二维金属硫属化合物基材料，在平行于表面的横向方向以及垂直于表面的纵向方向均存在异质结；所述电极层包括独立设置的源电极和漏电极。本发明通过设计基于二维金属硫属化合物的横向‑纵向复合异质结，相应得到的近红外探测器可以有效抑制暗电流、促进光生载流子的分离、丰富载流子传输路径，从而大幅提高近红外探测器的探测性能。
-
公开(公告)号：CN116282124A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310334529.6
申请日：2023-03-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电催化领域，并具体公开了一种铜基纳米材料及其制备方法和应用、以及电催化工作电极，其包括如下步骤：在CuSO4溶液中滴入氨水形成铜氨络合物，然后将NaOH溶液倒入，得到前驱物Cu(OH)2纳米带溶液；将CO2气体通入前驱物Cu(OH)2纳米带溶液，得到Cu2(OH)2CO3材料。该Cu2(OH)2CO3材料为海胆状纳米颗粒，将其作为CO2还原制乙烯的电催化剂，在反应过程中会形成树枝状结构，具有丰富的Cu0/Cu+活性位点，此类活性位点能够降低碳碳耦合的能垒，使材料表现出安培级电流二氧化碳电还原制乙烯的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114232102B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111535611.2
申请日：2021-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学加密材料领域，并具体公开了一种二维ZnTe晶体材料及其制备方法和应用，其包括如下步骤：以氯化锌和碲粉末分别作为Zn源和Te源，将Zn源和Te源分别放置在中心温区上游，并在Zn源和Te源上方均放置分子筛，将衬底放置在中心温区下游；控制中心温区温度850℃～980℃，通过含氢气的载气将蒸发的Zn源和Te源带至衬底处，Zn源和Te源在氢气作用下反应，在衬底上生成片状的二维ZnTe晶体材料。本发明方法可制备出形貌规整、元素分布均匀的二维ZnTe晶体材料，实现了超薄ZnTe纳米片的合成。
-
公开(公告)号：CN114335244A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111621705.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了热载流子双向分离型类p‑i‑n型二维异质结及制备方法、器件。所述异质结为三明治结构，所述异质结自下而上的包括n型半导体材料、具有纳米结构的金属和p型半导体材料；或者，所述异质结自下而上的包括p型半导体材料、具有纳米结构的金属和n型半导体材料。所述制备方法包括：在衬底表面沉积一层n型半导体材料；采用物理气相沉积的方式在n型半导体材料表面沉积一层具有纳米结构的金属；在所述具有纳米结构的金属表面沉积一层p型半导体材料。本发明通过设置在中间的纳米结构的金属分别与p型半导体和n型半导体形成肖特基结，有效提高载流子的产生、传输和收集效率，提高光吸收。
-
公开(公告)号：CN112899720B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110054455.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种具有安培级电流密度析氢性能的Mo/MoO2面内异质结的制备，包括以下步骤：(1)前驱体MoO2纳米片的制备：将原料MoO3粉末在氢气与惰性载气的混合气氛下于800～1000℃进行焙烧，得到前驱体MoO2纳米片；(2)将前驱体MoO2纳米片在混合气氛下于400～700℃进行焙烧，得到MoO2/Mo面内结材料。本发明通过对制备方法的反应机理、整体流程工艺设计等进行改进，利用两步分阶段的焙烧还原，可以由商业MoO3粉末原料制备得到MoO2/Mo面内结材料，制备方法简单可控，得到的Mo/MoO2面内异质结材料富有褶皱结构，作为电催化制氢催化剂应用时，具有安培级的电催化反应活性。
-
公开(公告)号：CN111403485B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010233375.8
申请日：2020-03-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于晶体管领域，并具体公开了一种新型铁电晶体管及其制备方法。该新型铁电晶体管包括底栅、底部电极、沟道层、铁电介质层和顶栅，其中：底部电极设置在底栅的上方，作为新型铁电晶体管的源极和漏极，沟道层设置在底部电极和底栅的上方，铁电介质层将底部电极和沟道层包覆，以此完成封装，顶栅设置在铁电介质层的上方，并且部分或全部覆盖沟道层。本发明利用顶栅、底栅的电容耦合效应，通过底栅施加电压的方式对顶栅、铁电介质层产生极化效果，无需通过顶栅施加电压，无需预留顶栅电极引脚，有效减小了铁电晶体管集成电路的复杂程度；同时通过调节顶栅面积的大小，能够改变顶栅和底栅的耦合强度，实现不同强度的电荷掺杂。
-
公开(公告)号：CN112853490A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110031122.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料相关技术领域，其公开了一种二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料及其制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)将水平管式炉的反应区划分为上游低温区、中心温区和下游沉积区，并将氯化镉、碲粉和硒粉作为前驱体置于上游低温区；(2)氯化镉、碲粉和硒粉反应生成Cd7Te7Cl8O17晶体材料后，采用载气将Cd7Te7Cl8O17晶体材料带入下游沉积区，以在位于下游沉积区的衬底上进行沉积，由此得到二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料。本发明将硒粉作为氧化剂，能够促进生成Cd7Te7Cl8O17的反应，避免生成副产物碲化镉，实现制备过程的可控，同时本发明将衬底设置在下游沉积区，与中心温区保持一定的距离，能够避免中心温区温度过高而破坏衬底。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
133
records
(took 0.021 seconds)
