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发明公开
一种二维CuFeSe2晶体材料及其晶面可控生长方法审中-实审

公开(公告)号：CN117166048A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311076670.7

申请日：2023-08-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周兴 , 陈韵欣 , 许翔 , 翟天佑

IPC: C30B25/16 , C30B29/46

Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维CuFeSe2晶体材料及其晶面可控生长方法。该制备方法包括：(1)将铁粉和碘化钾混合作为铁源，碘化铜作为铜源；将铁源和铜源放置在位于单温区管式炉下游的石英套管内；(2)将硒源放置在单温区管式炉上游，通过载气将硒蒸气带入单温区管式炉下游使其与铁源和铜源反应；其中，通过调节炉温为600℃～700℃，保温时间为360s～450s，在衬底上制得不同晶面的二维CuFeSe2晶体材料。本发明方法制备出的材料结晶质量高、物相单一且环境稳定性好，同时本发明能够通过控制生长温度实现二维CuFeSe2晶体材料的晶面可控生长。

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