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公开(公告)号：CN102183333A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010612818.0
申请日：2010-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的电容式压力传感器包括含固定电极的基片，含可动电极的膜片，和与所述固定电极和可动电极电连接的测量电路；所述固定电极和所述可动电极之间存在间距，形成电容；所述可动电极位于所述膜片的梯形槽内，所述可动电极四周设有多个和所述可动电极相接的彼此间隔的经填充的通孔，所述通孔位于所述梯形槽的斜面中，将所述可动电极和部分所述斜面分隔。本发明还公开了含有硅通孔的电容式压力传感器的制造方法。本发明可用于现代工业生产、科学研究及日常生活中的多个应用领域。
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公开(公告)号：CN102130042A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010603554.2
申请日：2010-12-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种通孔互连结构的制作方法，包括在基片上制作盲孔，然后依次淀积种子层和有机物薄膜，贴干膜，并通过光刻在盲孔处形成小于盲孔口径的干膜开口，然后刻蚀去除盲孔底部的有机物薄膜，暴露出种子层，再对盲孔进行填充。进一步的，还公开了对通孔提供电子屏蔽的方法。本发明简化了通孔自下而上电镀填充的制作工艺，提高了成品率，降低了通孔互联结构制作的工艺成本；而且提供了一种应力缓冲结构，通孔侧壁覆盖的有机膜可以缓解通孔互连结构的应力状态，提高其可靠性；另外还提供了一种对通孔互联结构的电磁屏蔽结构，有利于提高通孔电信号传输性能，减小通孔间及对其它电路的干扰。
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公开(公告)号：CN102097521A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010523325.X
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , G01T1/24 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极，所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。本发明还公开了一种硅漂移探测器的制造方法，在该方法中，所需的曲面通过用腐蚀剂腐蚀基底表面而得到。本发明可用于X射线光谱分析，还可用于空间探测等技术领域。
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公开(公告)号：CN102024801A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010513048.4
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/98
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2224/81
Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片垂直互联封装结构及其制造方法。该结构包括由上至下依次叠放在一起的顶层、中介层和底层，所述中介层具有TSV垂直互联结构，所述中介层的正面和反面分别具有至少一层重新布局互联层，且分别具有微焊球或焊垫；所述顶层的有源层具有微焊球或焊垫，并面向所述中介层的正面；所述底层的有源层具有微焊球或焊垫，并面向所述中介层的背面。顶层芯片、底层芯片的正面分别装载在中介层芯片的正面、背面，避免了在顶层、底层芯片上制作TSV互联，有效地降低了顶层、底层芯片的损伤，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN101452907B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810241119.2
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/522 , H01L23/482 , H01L21/768 , H01L21/60 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔及其制备方法，属于微电子封装技术领域。该垂直互连过孔的形状为上、下两部分分别为一圆台，中间部分为一圆柱。其制备方法包括，利用带倾角的DRIE工艺、标准DRIE工艺以及DRIE工艺固有的footing效应，使硅片内垂直互连过孔的两端各带有一个过渡斜角。这样，在不增加工艺步骤的情况下，可以使硅片内垂直互连过孔的传输连线更平滑，减少在突变点处的电磁辐射，并且减少在拐角处的电磁回波损耗，从而提高叠层后三维立体互连的传输能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794528A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010139012.4
申请日：2010-04-02
Applicant: 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明涉及基于传感技术和模式识别技术的肢体动作识别技术以及语音识别技术，属于传感技术和惯性信号处理、语音处理技术领域，特指一种手语语音双向翻译系统，其以微惯导传感器网络和手语动作分类器为核心，通过安装在聋哑人手指、手臂以及头部的传感器，检测聋哑人做出的手语动作，并正确识别，然后将其代表的含义通过语音和发声系统连贯的表达出来，以达到让正常人“看懂”手语的效果；同时，正常人的语言可以被翻译成特定的连贯的手语动作，并以动画或视频的形式显示出来，以达到聋哑人间接“听到”正常人说话的效果。该系统有效解决了聋哑人与正常人双向交流的障碍，且廉价便携，有着巨大的社会效益和经济效益。
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公开(公告)号：CN101634662A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910090736.1
申请日：2009-08-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微加速度计及其制备方法，属于微惯性器件的加工技术领域。该微加速度计设置在封装基板上，封装基板由上、下表面板和若干个中间基板堆叠而成，加速度计的信号检测电路附着在上表面板上，加速度计的敏感元件内嵌于中间基板，即带有空腔的中间基板构成敏感元件的框架，敏感元件的挠性悬挂和敏感质量块设置在空腔内，挠性悬挂的一端连接敏感质量块，另一端固定在框架上，且在敏感质量块和与敏感质量块对应的框架表面上分别溅射金属电极，形成平板式敏感电容，或在挠性悬挂与框架内侧面连接处的位置淀积金属压阻厚膜图形，构成金属压阻应变计。本发明制备的微加速度计敏感度高，且可以耐高温，与系统级封装基板融合为一体，其加工难度和成本低。
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公开(公告)号：CN101571440A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810105177.2
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于器件级真空封装的真空度测量装置，属于微纳器件与系统的低压封装和真空封装技术领域。本发明在器件级真空封装体中加入一微型低压传感器，该微型低压传感器包括一金属丝，所述金属丝的两端固定在器件级真空封装体内预留的两个压焊点上。本发明通过连接金属丝的管脚即可进行真空测试，很方便的实现了芯片和真空测量计在同一真空封装体中的兼容，提供了便捷的真空度测量手段，大大降低了真空度的测量成本，提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN101452907A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810241119.2
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/522 , H01L23/482 , H01L21/768 , H01L21/60 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔及其制备方法，属于微电子封装技术领域。该垂直互连过孔的形状为上、下两部分分别为一圆台，中间部分为一圆柱。其制备方法包括，利用带倾角的DRIE工艺、标准DRIE工艺以及DRIE工艺固有的footing效应，使硅片内垂直互连过孔的两端各带有一个过渡斜角。这样，在不增加工艺步骤的情况下，可以使硅片内垂直互连过孔的传输连线更平滑，减少在突变点处的电磁辐射，并且减少在拐角处的电磁回波损耗，从而提高叠层后三维立体互连的传输能力。
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公开(公告)号：CN101301993A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710106842.5
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明提供了一种利用低温共烧陶瓷基板对MEMS器件进行真空封装的方法：首先利用低温共烧陶瓷的多层电路结构、三维布线把电路中应用的各种无源元器件和传输线等完全掩埋在基板介质中；然后把MEMS器件粘接或焊接在基板上，并完成电气连接；最后将带有MEMS器件的低温共烧陶瓷基板整体直接作为封装外壳的管底，以传统的混合集成电路用金属封装外壳做管帽，结合传统的密封方法，如激光密封、焊环密封和金属管密封，获得对MEMS器件的真空封装。此方法工艺条件实现简单，成本低，便于批量加工，实现了对引线的真空密封，使漏偏率大大降低，增强真空保持性能，特别适用于面向射频/微波、惯性等应用的MEMS器件的真空封装。
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