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公开(公告)号：CN105259600A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510582970.1
申请日：2015-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/008
Abstract: 本发明公开了一种纳米超材料调色板及其制备方法。采用电子束光刻和反应离子刻蚀工艺，利用横向钻蚀效应在衬底上获得悬浮于介质层之上的亚波长尺度周期性结构阵列，在垂直于衬底方向沉积金属薄膜，形成金属纳米结构阵列-金属互补纳米结构阵列薄膜耦合结构。该亚波长尺度超材料在可见光光谱中表现出混合表面等离子共振模式，产生特殊的光学响应：多共振峰，FANO共振，角度依赖的光谱可调性，数十万倍的场增强，因此能够在结构单元获得连续可调的色彩。这种纳米超材料调色板能够产生CIE色品图中的全色域色彩，而且色彩像素缩小到一百至数百纳米。这项技术将在商品生产、高清显示、艺术创作、方位传感、光子密码及信息存储等领域有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN103268857B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310175267.X
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面淀积保护层；在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻待做刻蚀区域图形；去除待做刻蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；将非刻蚀区域的保护层置于腐蚀性溶液中去除。本发明方法基于湿法腐蚀工艺技术，可实现自停止特性，刻蚀区域平整度高、台阶边缘光滑，具有很高的可操作性和可重复性，更利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN104167362A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410386689.6
申请日：2014-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/027 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供一种氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域，刻蚀非器件区域；在氮化镓基表面光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；对氮化镓基表面在高温条件下进行氧化处理；将氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；对氮化镓基表面淀积栅绝缘层；光刻源漏区域，刻蚀源漏区域的栅绝缘层并制备欧姆接触；制备栅金属。本发明采用氮化镓盖帽层为掩模，简化了制备工艺，降低了制备成本，凹槽栅结构的制备可以实现自停止，可操作性和可重复性高，制备的氮化镓基增强型器件性能优异，阈值电压为4.4V，最大电流为135mA/mm，更利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102915957B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210345336.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种制作空气桥及电感的方法。其步骤主要包括：在基片上利用光刻胶制作第一牺牲胶层；在第一牺牲胶层上涂敷光刻胶制作第二牺牲胶层，该第二牺牲胶层的长度小于第一牺牲胶层的长度；通过烘烤使牺牲胶层的边角圆滑并固化，形成拱形的空气桥支撑基片；利用电子束蒸发制作种子层；在种子层上电镀金属材料层；采用腐蚀方法去除种子层，采用有机溶剂去除牺牲胶层，形成空气桥。本发明使用光刻胶制作两层牺牲胶层，可以提高空气桥的性能，并能提高工艺效率，减小制作过程中对器件造成的损伤，同时避免使用剧毒试剂，保护环境。
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公开(公告)号：CN103617947A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310561224.5
申请日：2013-11-12
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81C1/00031 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO2薄膜；（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光、后烘和显影，即在所述SiO2薄膜上得到电子束光刻对准标记图形；（3）根据电子束光刻对准标记图形进行电子束曝光，得到纳米量级的线条；（4）刻蚀所述SiO2薄膜，则在所述SiO2薄膜上得到所述纳米量级的线条；（5）通过深反应离子刻蚀所述Si衬底，即获得垂直方向上的纳米网格结构。本发明采用电子束光刻和DRIE刻蚀的方法，首次通过传统集成电路加工方法实现了垂直方向的纳米网格结构的制备。本发明采用的加工方法具有操作简单、可控性强的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103193196A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310089315.3
申请日：2013-03-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种三维微纳米结构的组装方法，其步骤包括：采用常规微机电系统工艺方法、纳机电系统工艺方法和聚焦离子束与微机电系统/纳机电系统结合中的一种工艺方法中制作一端是自由端，另一端是固定端的悬臂梁结构；从悬臂梁的自由端到固定端以均匀间距为标准，依次在悬臂梁上通过离子刻蚀的方式设置刻蚀区域；确定控制聚焦离子束的注入剂量，确定与结构弯曲的角度现有的聚焦离子束扫描倾斜的角度，确定与悬臂梁上设置刻蚀区域现有的聚焦离子束扫描的间距；从悬臂梁的自由端第一个刻蚀区域开始依次用聚焦离子束对各刻蚀区域进行刻蚀，使整个悬臂梁形成向下卷曲的螺旋、折叠、正弦形、发条等结构。本发明可以广泛用于纳米螺旋、纳米管、折叠、正弦形、发条等结构的制作过程中。
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公开(公告)号：CN102788777A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110131032.1
申请日：2011-05-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种微流控表面增强拉曼散射检测器件及其制备方法与应用。该器件由活性基底和含有微流通道的结构层组成，在活性基底和结构层之间形成微流通道腔，在对应于微流通道腔的活性基底上设有若干个纳米凹孔结构；在对应于微流通道腔的结构层上设有至少一对均与微流通道腔相通的入液口和出液口；位于所述微流通道腔内的活性基底表面和所述纳米凹孔表面均覆盖一层金属层。该器件成品率高、成本低廉、检测一致性好、无噪声干扰、可实时监测的双层聚二甲基硅氧烷结构微流控表面增强拉曼散射检测器件。该微流控检测器件可用于气态、胶体尤其是液态环境中待分析物的检测。
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公开(公告)号：CN101830425A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910237298.7
申请日：2009-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种可变刚度梁及其制备方法、致动方法，该可变刚度梁包括：框架结构；嵌套于所述框架结构中的填充部分；位于所述填充部分上的绝缘层；及位于所述绝缘层上的加热部件。本发明的可变刚度梁具有单片集成、自适应性等技术特点，应用面广，附加值高，可克服现有技术的不足。
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公开(公告)号：CN101246259A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810056983.5
申请日：2008-01-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微型光学器件及其制备工艺，其特征在于：它包括固定电极、可动电极、支撑梁、玻璃衬底、光反射模块和光纤固定模块；所述固定电极包括连接在所述玻璃衬底顶面两侧的梳齿式固定电极和固定在所述玻璃衬底顶面中部的平板式固定电极；所述可动电极为插设在所述梳齿式固定电极间的两梳齿式可动电极和分别位于所述平板式固定电极上方的两平板式可动电极；所述支撑梁包括折叠横梁和组合扭转梁，所述光纤固定模块上以所述光反射模块为中心，呈放射状设置有若干光纤槽，且每一所述光纤槽分别对准所述光反射模块上多个光反射面中的一个。本发明的制备工艺简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更强大的微光集成系统。
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公开(公告)号：CN101244801A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810056981.6
申请日：2008-01-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种实现共面和离面运动的微驱动结构及其制备方法，本发明微驱动结构包括固定电极、可动电极、支撑梁、玻璃衬底、驱动输出端；所述固定电极包括连接在所述玻璃衬底顶面两侧的梳齿式固定电极和固定在所述玻璃衬底顶面中部的平板式固定电极；所述可动电极为插设在所述梳齿式固定电极间的两梳齿式可动电极和分别位于所述平板式固定电极上方的两平板式可动电极；所述支撑梁包括折叠横梁和组合扭转梁。本发明不但可以通过梳齿型可动电极与固定电极之间的作用，实现共面X轴方向的移动，而且可以通过可动电极和固定电极的相互作用，实现驱动输出端的离面扭转运动。本发明工艺过程简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更强大的微光集成系统。
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