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公开(公告)号：CN104495742A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410767125.7
申请日：2014-12-15
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备表面等离子体激元耦合结构纳米阵列的方法。其步骤包括：采用电子束曝光制作的纳米级刻蚀掩模对衬底进行深反应离子刻蚀，再进行金属镀膜得到所述三维“金属纳米结构阵列-纳米间隔层-金属薄膜”结构。金属纳米结构发生光子与自由电子局域电磁场共振产生很强的局域表面等离子体激元，且其衍射效应提供波矢补偿激发金属薄膜的传播型表面等离子体激元，形成局域表面等离子体激元-传播型表面等离子体激元耦合，将光束缚在纳米尺度，引发金属与介质界面非常强的表面局域近场增强。本发明制作的结构将促进表面等离子体激元的新机理探索，在超材料、超高灵敏光学生物传感等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN103617947B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310561224.5
申请日：2013-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO2薄膜；（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光、后烘和显影，即在所述SiO2薄膜上得到电子束光刻对准标记图形；（3）根据电子束光刻对准标记图形进行电子束曝光，得到纳米量级的线条；（4）刻蚀所述SiO2薄膜，则在所述SiO2薄膜上得到所述纳米量级的线条；（5）通过深反应离子刻蚀所述Si衬底，即获得垂直方向上的纳米网格结构。本发明采用电子束光刻和DRIE刻蚀的方法，首次通过传统集成电路加工方法实现了垂直方向的纳米网格结构的制备。本发明采用的加工方法具有操作简单、可控性强的特点。
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公开(公告)号：CN103617947A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310561224.5
申请日：2013-11-12
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81C1/00031 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO2薄膜；（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光、后烘和显影，即在所述SiO2薄膜上得到电子束光刻对准标记图形；（3）根据电子束光刻对准标记图形进行电子束曝光，得到纳米量级的线条；（4）刻蚀所述SiO2薄膜，则在所述SiO2薄膜上得到所述纳米量级的线条；（5）通过深反应离子刻蚀所述Si衬底，即获得垂直方向上的纳米网格结构。本发明采用电子束光刻和DRIE刻蚀的方法，首次通过传统集成电路加工方法实现了垂直方向的纳米网格结构的制备。本发明采用的加工方法具有操作简单、可控性强的特点。
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公开(公告)号：CN104495742B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410767125.7
申请日：2014-12-15
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备表面等离子体激元耦合结构纳米阵列的方法。其步骤包括：采用电子束曝光制作的纳米级刻蚀掩模对衬底进行深反应离子刻蚀，再进行金属镀膜得到所述三维金属纳米结构阵列-纳米间隔层-金属薄膜”结构。金属纳米结构发生光子与自由电子局域电磁场共振产生很强的局域表面等离子体激元，且其衍射效应提供波矢补偿激发金属薄膜的传播型表面等离子体激元，形成局域表面等离子体激元-传播型表面等离子体激元耦合，将光束缚在纳米尺度，引发金属与介质界面非常强的表面局域近场增强。本发明制作的结构将促进表面等离子体激元的新机理探索，在超材料、超高灵敏光学生物传感等领域有着重要的应用前景。
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