-
公开(公告)号：CN103172017B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310096168.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种超疏水性硅衬底制造方法，其步骤包括：通过传统的微电子工艺对硅衬底进行光刻、刻蚀，加工出微米级别的硅柱阵列；采用氧等离子刻蚀方法，刻蚀硅衬底；将纳米颗粒溶液进行去离子水稀释配比，得到纳米颗粒悬浊液；将亲水化处理过的硅衬底结构浸泡在纳米颗粒悬浊液中，再将纳米颗粒悬浊液放置于蒸发台中，让该纳米颗粒悬浊液在室温下自然蒸发，也可以通过氮气加速蒸发；采用氧等离子刻蚀方法，刻蚀密排在结构表面的纳米颗粒，控制反应时间，得到大小合适的纳米颗粒；采用化学气相淀积方法，淀积本征弱疏水的聚对二甲苯，使得聚对二甲苯完全保型地淀积在硅衬底结构表面从而得到最终的超疏水衬底。本发明采用微米纳米加工工艺制备微米纳米双层分级复合结构，工艺简单，原料普遍，具有良好的周期性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103617947A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310561224.5
申请日：2013-11-12
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81C1/00031 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO2薄膜；（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光、后烘和显影，即在所述SiO2薄膜上得到电子束光刻对准标记图形；（3）根据电子束光刻对准标记图形进行电子束曝光，得到纳米量级的线条；（4）刻蚀所述SiO2薄膜，则在所述SiO2薄膜上得到所述纳米量级的线条；（5）通过深反应离子刻蚀所述Si衬底，即获得垂直方向上的纳米网格结构。本发明采用电子束光刻和DRIE刻蚀的方法，首次通过传统集成电路加工方法实现了垂直方向的纳米网格结构的制备。本发明采用的加工方法具有操作简单、可控性强的特点。
-
公开(公告)号：CN103227102B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310133783.6
申请日：2013-04-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其步骤包括：采用单面抛光单晶硅衬底,通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜；通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形；采用氧等离子体刻蚀方法，刻蚀裸露的聚对二甲苯薄膜；采用金刚石划片机对硅衬底进行划片；采用丙酮去除在硅衬底表面的光刻胶；将去除光刻胶后的硅衬底浸泡在浓硫酸、双氧水的混合液中，取出后用去离子水清洗；取一定量制备好的纳米颗粒悬浊液，滴入到装有乙醇的容器中，将两种液体混合均匀并缓慢倒入已装有去离子水的培养皿中；将得到的硅衬底完全浸泡在培养皿中的液体后，取出放置在另一培养皿中，并水平放入一干燥箱内，在室温条件下自然蒸发后得到具有图形化纳米颗粒自组装的硅衬底。
-
公开(公告)号：CN103227102A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310133783.6
申请日：2013-04-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其步骤包括：采用单面抛光单晶硅衬底,通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜；通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形；采用氧等离子体刻蚀方法，刻蚀裸露的聚对二甲苯薄膜；采用金刚石划片机对硅衬底进行划片；采用丙酮去除在硅衬底表面的光刻胶；将去除光刻胶后的硅衬底浸泡在浓硫酸、双氧水的混合液中，取出后用去离子水清洗；取一定量制备好的纳米颗粒悬浊液，滴入到装有乙醇的容器中，将两种液体混合均匀并缓慢倒入已装有去离子水的培养皿中；将得到的硅衬底完全浸泡在培养皿中的液体后，取出放置在另一培养皿中，并水平放入一干燥箱内，在室温条件下自然蒸发后得到具有图形化纳米颗粒自组装的硅衬底。
-
公开(公告)号：CN103617947B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310561224.5
申请日：2013-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO2薄膜；（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光、后烘和显影，即在所述SiO2薄膜上得到电子束光刻对准标记图形；（3）根据电子束光刻对准标记图形进行电子束曝光，得到纳米量级的线条；（4）刻蚀所述SiO2薄膜，则在所述SiO2薄膜上得到所述纳米量级的线条；（5）通过深反应离子刻蚀所述Si衬底，即获得垂直方向上的纳米网格结构。本发明采用电子束光刻和DRIE刻蚀的方法，首次通过传统集成电路加工方法实现了垂直方向的纳米网格结构的制备。本发明采用的加工方法具有操作简单、可控性强的特点。
-
公开(公告)号：CN103172017A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310096168.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种超疏水性硅衬底制造方法，其步骤包括：通过传统的微电子工艺对硅衬底进行光刻、刻蚀，加工出微米级别的硅柱阵列；采用氧等离子刻蚀方法，刻蚀硅衬底；将纳米颗粒溶液进行去离子水稀释配比，得到纳米颗粒悬浊液；将亲水化处理过的硅衬底结构浸泡在纳米颗粒悬浊液中，再将纳米颗粒悬浊液放置于蒸发台中，让该纳米颗粒悬浊液在室温下自然蒸发，也可以通过氮气加速蒸发；采用氧等离子刻蚀方法，刻蚀密排在结构表面的纳米颗粒，控制反应时间，得到大小合适的纳米颗粒；采用化学气相淀积方法，淀积本征弱疏水的聚对二甲苯，使得聚对二甲苯完全保型地淀积在硅衬底结构表面从而得到最终的超疏水衬底。本发明采用微米纳米加工工艺制备微米纳米双层分级复合结构，工艺简单，原料普遍，具有良好的周期性。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.018 seconds)
