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公开(公告)号：CN114843187B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110141892.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法，属于微电子器件技术领域。该方法采用高温氧化腐蚀方法，湿法刻蚀形成纳米沟道阵列结构。由于湿法刻蚀中没有引入等离子体，因此不会在纳米沟道阵列的侧面产生损伤；同时，在一定的温度范围内，只有AlGaN材料会被氧化，而GaN材料不会被氧化，因此腐蚀能够自停止在GaN表面，保证沟道之间以及器件之间的一致性，本发明适合大规模的商业化生产。
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公开(公告)号：CN110629262A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910767482.6
申请日：2019-08-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种表面等离激元超材料的制备方法，属于纳米光子学以及纳米加工技术领域。本发明采用电镀工艺，通过对旋涂光刻胶厚度的控制，实现对金属-介质-金属的中的中间介质层厚度的控制，而不同的介质层厚度可作为一种光学腔，并耦合表面等离激元，从而可实现不同的光学响应；同时利用金属的欧姆损耗来增强光学吸收，再结合表面等离激元的电磁能量局限效应，可实现光学近完美吸收(吸收率接近100％)以及高品质因子光学腔，本发明工艺方法简单、稳定并且廉价，可实现大面积加工。
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公开(公告)号：CN107322005A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710491808.8
申请日：2017-06-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种廉价、绿色的纳米银颗粒化学合成方法，以及基于纳米银颗粒的表面拉曼增强活性衬底的制备方法。利用银镜反应中醛基还原银离子的原理，在室温下将微量的银氨络合物溶液加入一定浓度含醛基的化合物溶液中，使银离子充分反应被还原成银单质，并生成纳米银颗粒。本发明得到的纳米银颗粒大小均一(直径在35-38nm之间)，且单分散性好。接着，将合成的纳米银颗粒溶液直接滴于玻璃片或者其他载体上(如硅片、有机聚合物薄膜)上，待溶液完全蒸干后，由于过量葡萄糖的存在，有效的抑制了液滴蒸干后的咖啡环效应，并为保护层防止纳米银颗粒被氧化，从而得到稳定性良好的表面拉增强活性衬底。
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公开(公告)号：CN105347295B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510574495.3
申请日：2015-09-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用聚焦离子束和MEMS加工工艺制备可调控超材料阵列的方法，可用于平面光学元部件构造，并应用于通信、电磁传感以及成像领域(包括毫米波、太赫兹、红外波段范围)。其优点如下：1)通过MEMS工艺加工得到悬浮型双金属谐振环超材料阵列，尺寸可控制在微米以及亚微米量级，其负折射率特性的谐振频率可在毫米波、太赫兹(THz)或红外波段；2)通过FIB辐照，在内谐振环固支端引入应力，通过控制FIB的加速电压、轰击束流、作用时间和辐照图案，可精确控制超材料单元中悬浮内谐振环结构的翘曲角度(-40°至+120°)；3)超材料阵列的负折射率的谐振频率可调，通过选择加工参数，可精确控制电磁波的振幅、相位以及出射方向。
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公开(公告)号：CN104495742B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410767125.7
申请日：2014-12-15
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备表面等离子体激元耦合结构纳米阵列的方法。其步骤包括：采用电子束曝光制作的纳米级刻蚀掩模对衬底进行深反应离子刻蚀，再进行金属镀膜得到所述三维金属纳米结构阵列-纳米间隔层-金属薄膜”结构。金属纳米结构发生光子与自由电子局域电磁场共振产生很强的局域表面等离子体激元，且其衍射效应提供波矢补偿激发金属薄膜的传播型表面等离子体激元，形成局域表面等离子体激元-传播型表面等离子体激元耦合，将光束缚在纳米尺度，引发金属与介质界面非常强的表面局域近场增强。本发明制作的结构将促进表面等离子体激元的新机理探索，在超材料、超高灵敏光学生物传感等领域有着重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105344387A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510574494.9
申请日：2015-09-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种基于聚焦离子束和MEMS加工方法的纳米网孔薄膜微流控器件的设计。本发明公开了一种使用聚焦离子束加工纳米网孔微流控器件的方法。包括如下步骤：1)利用KOH腐蚀掏空衬底背腔，使制备纳米网孔的区域悬空。2)设计“初始干扰”图形，并借助FIB将其预置在所得悬浮薄膜上，以诱导瑞利不稳定性方向。进行FIB大面积扫描，通过控制FIB能量、剂量、扫描布局、扫描时间以及驻留时间，制得悬浮的光滑表面纳米网孔薄膜结构。3)在制作纳米网孔上，通过淀积、溅射工艺以及与PDMS流道的键合，制得纳米网孔微流控器件。4)通过调节金属电极两端电压，控制金属网孔外介质层表面双电层的特性，可对溶液中目标物质的控制与检测。5)通过精确控制纳米网孔尺寸参数，进一步增强器件控制与检测的能力和适用性。
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公开(公告)号：CN102788777B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110131032.1
申请日：2011-05-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种微流控表面增强拉曼散射检测器件及其制备方法与应用。该器件由活性基底和含有微流通道的结构层组成，在活性基底和结构层之间形成微流通道腔，在对应于微流通道腔的活性基底上设有若干个纳米凹孔结构；在对应于微流通道腔的结构层上设有至少一对均与微流通道腔相通的入液口和出液口；位于所述微流通道腔内的活性基底表面和所述纳米凹孔表面均覆盖一层金属层。该器件成品率高、成本低廉、检测一致性好、无噪声干扰、可实时监测的双层聚二甲基硅氧烷结构微流控表面增强拉曼散射检测器件。该微流控检测器件可用于气态、胶体尤其是液态环境中待分析物的检测。
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公开(公告)号：CN103657276A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310717668.3
申请日：2013-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种细颗粒物过滤结构及其制备方法。该过滤结构包括若干微小颗粒过滤结构层和若干聚合物层，每2层微小颗粒过滤结构层之间键合聚合物层；微小颗粒过滤结构层包括基底，基底上设有贯通其上端面和下端面的空气流通腔体；基底的上端面上设有镂空结构层，镂空结构层包括设于其内的若干微米孔洞；镂空结构层上于微米孔洞的上部设有横向纳米纤维体；镂空结构层上设有纵向纳米纤维体，且纵向纳米纤维体覆盖住横向纳米纤维体；聚合物层包括聚合物材料体，聚合物材料体上设有贯通其上端面和下端面的贯通孔洞；聚合物材料体的上端面和下端面上均设有粘附层，聚合物材料体通过粘附层分别与相邻微小颗粒过滤结构层的上端面和下端面进行键合。
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公开(公告)号：CN102241390B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110106827.7
申请日：2011-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备悬浮纳米结构的方法。该方法，包括如下步骤：用聚焦离子束扫描两端固定在保护层上的悬臂梁，得到所述悬浮纳米结构。该方法不受常规光刻条件的限制，对设备的聚焦精度以及扫描精度等要求相对传统的刻蚀方式较低，更有利于进入多结构并行加工，光学器件、传感器件、电子器件等方面具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN103258739A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310175534.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种基于自停止刻蚀工艺的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域并刻蚀非器件区域，在该器件区域形成源漏端欧姆接触；淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶并光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的保护层并去除剩余光刻胶；对凹槽栅区域在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；去除保护层；淀积栅绝缘层并制备栅金属；涂敷光刻胶并光刻源漏端接触孔图形；腐蚀接触孔处绝缘层并去除光刻胶。本发明可制得具有自停止特性且槽底平整、台阶边缘光滑的凹槽栅结构，具有很高的可操作性和可重复性，所制备的氮化镓基增强型器件的性能优异，利于工业化生产。
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