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公开(公告)号：CN114843226A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110146397.5
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/861 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。
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公开(公告)号：CN117913134A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311795146.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于微电子器件技术领域。本发明的晶体管在p‑GaN栅与漏极之间引入MIS栅组成混合栅，MIS栅的开启电压低于p‑GaN栅的阈值电压，器件开通时，整体阈值电压由p‑GaN栅决定，MIS栅不影响器件正向导通特性；关断时利用MIS栅下方沟道耗尽承压，降低关态p‑GaN栅电容上的分压，缓解p‑GaN层中电荷存储，从而提高器件阈值电压稳定性。同时，关态MIS栅承压可以缓解p‑GaN肖特基栅边缘的高场，有利于降低关态栅漏电，提高器件击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114843225A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110141718.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。
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公开(公告)号：CN114843187A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110141892.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法，属于微电子器件技术领域。该方法采用高温氧化腐蚀方法，湿法刻蚀形成纳米沟道阵列结构。由于湿法刻蚀中没有引入等离子体，因此不会在纳米沟道阵列的侧面产生损伤；同时，在一定的温度范围内，只有AlGaN材料会被氧化，而GaN材料不会被氧化，因此腐蚀能够自停止在GaN表面，保证沟道之间以及器件之间的一致性，本发明适合大规模的商业化生产。
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公开(公告)号：CN114843225B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110141718.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。
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公开(公告)号：CN114843226B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110146397.5
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/861 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。
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公开(公告)号：CN114843187B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110141892.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法，属于微电子器件技术领域。该方法采用高温氧化腐蚀方法，湿法刻蚀形成纳米沟道阵列结构。由于湿法刻蚀中没有引入等离子体，因此不会在纳米沟道阵列的侧面产生损伤；同时，在一定的温度范围内，只有AlGaN材料会被氧化，而GaN材料不会被氧化，因此腐蚀能够自停止在GaN表面，保证沟道之间以及器件之间的一致性，本发明适合大规模的商业化生产。
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