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公开(公告)号：CN102712995A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180007032.9
申请日：2011-01-07
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/638 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/75 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/24 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的目的是提供一种蒸镀用氧化物片（氧化物蒸镀材料）、使用该蒸镀用氧化物片制造的蒸镀薄膜以及太阳能电池。上述片由烧结体构成，所述烧结体以氧化铟为主要成分且含铈，并且没有进行烧结后的表面研磨加工，其特征在于，在将从烧结体表面到5μm的深度为止的表面层中的铈含量设为Ce/In原子数比（CompS）、烧结体整体中的铈含量的平均值设为Ce/In原子数比（CompA）时，CompS/CompA=0.9～1.1。
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公开(公告)号：CN102144177A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134694.5
申请日：2009-08-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G03B9/02 , C23C14/0015 , C23C14/0036 , C23C14/083 , C23C14/3414 , G02B5/003 , G02B5/005 , G02B5/22 , G03B9/08 , Y02T50/67 , Y10T428/24355 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明提供能够使光学部件的表面为低反射性、黑色性的具有耐热性的黑色覆膜；以及以使用该覆膜的树脂薄膜作为基质基材的黑色遮光板；以及使用其的光圈、光量调节用光圈装置以及快门。提供一种黑色覆膜，该黑色覆膜是在不透明基板或半透明基板上形成氧化钛膜而得到的黑色覆膜(A)，该氧化钛膜以钛和氧为主成分，含氧量以O/Ti原子数比计为0.7～1.4，其特征在于：前述氧化钛膜为晶体的长度方向沿膜厚方向延伸的微细柱状晶体集合而成的组织，在该膜表面有突起，而且膜厚为50nm以上；提供黑色遮光板等，该遮光板是在基板的至少一面上形成膜厚40nm以上的金属遮光板(B)，然后在金属遮光膜(B)的表面上层叠形成黑色覆膜(A)而得到的。
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公开(公告)号：CN102066988A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123871.X
申请日：2009-04-27
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G03B9/02 , G02B5/003 , G02B5/005 , Y10T428/24355 , Y10T428/2495 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种薄膜状遮光板、进而适用于该薄膜状遮光板的数码相机、数码摄像机的光圈、投影仪的光量调节用光圈装置或者快门，该薄膜状遮光板将可以广泛适用于光学部件的、具有在可见光区域中的足够遮光性和低反射性的遮光性薄膜形成在作为基质基材的该树脂薄膜上而得到的。提供一种薄膜状遮光板，该薄膜状遮光板是在树脂薄膜基材(A)的至少一面上形成由结晶性碳化氧化钛膜形成的遮光性薄膜(B)而得到的薄膜状遮光板，其特征在于：遮光性薄膜(B)的碳量以C/Ti原子数比计为0.6以上，且氧量以O/Ti原子数比计为0.2～0.6，而且遮光性薄膜(B)的膜厚的总和为260nm以上，波长400～800nm下的平均光学浓度为4.0以上。
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公开(公告)号：CN101679124A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880021217.3
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In 2 O 3 相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga 2 O 3 型结构的GaInO 3 相、或GaInO 3 相和(Ga，In) 2 O 3 相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子％以上、小于35原子％。
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公开(公告)号：CN101460425A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020927.X
申请日：2007-05-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B35/453 , C04B35/62695 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/661 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/12618 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供以氧化锌为主要成分，进一步含有镁的氧化物烧结体、用其加工而成的靶、用其通过直流溅射法或离子电镀法制得的耐化学试剂性优良的小电阻透明导电膜、以及透明导电性基材。通过以下方案达成：含有氧化锌和镁，并且，镁的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子数比计为0.02～0.30的氧化物烧结体；进一步含有镓和/或铝，其含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子数比计大于0并为0.08以下，并且，镁的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子数比计为0.02～0.30的氧化物烧结体；用这些氧化物烧结体加工制得的靶；用该靶通过溅射法或离子电镀法在基板上形成的透明导电膜等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101191843A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710188282.2
申请日：2007-11-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/205 , C23C14/0036 , C23C14/085 , C23C14/562 , Y10T428/12771 , Y10T428/12826 , Y10T428/12861 , Y10T428/12944 , Y10T428/24967 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种耐热遮光片及其制造方法、以及采用它的光圈或光量调节装置，该耐热遮光片作为数码照相机、数码摄像机的镜头快门等的快门叶片或光圈叶片或者投影仪的光量调节用光圈装置的光圈叶片等光学仪器部件使用，耐光性、耐热性、滑动性、低光泽性、导电性优良。该耐热遮光薄片特征在于：包括具有200℃以上的耐热性的树脂片基材(A)、在树脂片基材(A)一面或两面上通过溅射法形成的具有50nm以上厚度的Ni类金属膜(B)、在Ni类金属膜(B)上通过溅射法形成的低反射性Ni类氧化物膜(C)，并且表面粗糙度为0.1～0.7μm(算术平均高度Ra)。
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公开(公告)号：CN101065239A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200480044455.8
申请日：2004-10-22
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 阿部能之
CPC classification number: H01L51/0097 , C23C14/0676 , C23C14/086 , G02F1/133305 , H01L51/5253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是提供一种表面光滑度优于现有基板，且具有高透明度和高阻气特性的透明塑料基板，还提供使用该基板的柔性显示元件。为此目的，得到阻气透明塑料基板，使得在塑料膜基材的至少一个表面上形成的透明氧化膜作为阻气层，其中透明氧化膜包括氧化锡无定形膜或含有至少一种添加元素的氧化锡无定形膜，所述添加元素选自由硅、锗、铝、铈和铟组成的组，且添加元素的比例为添加元素和锡的总量的0.2－45原子％。可形成双层的阻气透明塑料基板，其中在透明氧化物膜上形成氧化硅膜或氮氧化硅膜。当在其上进一步形成透明电极膜时，可得到柔性显示元件。
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公开(公告)号：CN1259447C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN03121240.9
申请日：2003-03-27
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 阿部能之
CPC classification number: H01L51/5234 , C04B35/01 , C04B35/62695 , C04B37/026 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/81 , C04B2235/963 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , Y02E10/50 , Y10S428/917 , Y10S428/918
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜、具有该透明导电性薄膜的显示屏用透明导电性基体材料及发光特性优良的有机电发光元件。透明导电性薄膜，通过使用烧结体靶的溅射喷镀等可以容易地形成，不需要腐蚀和研磨加工的后处理，具有低电阻，并且表面平滑性优良，在可见光领域的低波长侧透过率大。透明导电性薄膜是以氧化铟为主要成份含有硅的透明导电性薄膜，其构造实质上是非结晶质，而且硅的含量，对于铟和硅的合计量是0.5～13原子%；或者是以氧化铟为主要成份含有钨和锗的透明导电性薄膜，W/In的原子数比是0.003～0.047及Ge/In的原子数比是0.001～0.190。
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公开(公告)号：CN1243690C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200310120357.5
申请日：2003-10-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , H01B1/08 , C23C14/34
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/64 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/6584 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9653 , H01B1/08
Abstract: 本发明提供了一种用于溅射靶的氧化物烧结体，其中主要成分是氧化铟，并包含使Ti/In的原子比率为0.003至0.120的钛，并且其电阻率为1kΩcm或更小。
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公开(公告)号：CN1715440A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510069482.7
申请日：2003-03-27
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 阿部能之
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜、具有该透明导电性薄膜的显示屏用透明导电性基体材料及发光特性优良的有机电发光元件。透明导电性薄膜，通过使用烧结体靶的溅射喷镀等可以容易地形成，不需要腐蚀和研磨加工的后处理，具有低电阻，并且表面平滑性优良，在可见光领域的低波长侧透过率大。透明导电性薄膜是以氧化铟为主要成分含有硅的透明导电性薄膜，其构造实质上是非结晶质，而且硅的含量，对于铟和硅的合计量是0.5～13原子％；或者是以氧化铟为主要成分含有钨和锗的透明导电性薄膜，W/In的原子数比是0.003～0.047及Ge/In的原子数比是0.001～0.190。
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