公开(公告)号：CN101815816A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110221.7

申请日：2008-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  吉田浩章 ,  弘田龙 ,  藤原伸介 ,  田中晴子

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明公开了一种能够通过液相法生长大型晶体的生长III族氮化物晶体的方法。本发明具体公开了一种通过液相法生长III族氮化物晶体(10)的方法，所述生长III族氮化物晶体(10)的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底(1)的步骤，所述衬底(1)具有与所述III族氮化物晶体(10)相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底(1)的主面(1m)接触并且在所述主面(1m)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤，所述溶液通过使含氮气体(5)溶于包含III族金属的溶剂(3)中而获得。

公开(公告)号：CN1877877B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610087778.6

申请日：2006-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  佐藤史隆 ,  弘田龙 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 提供物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。

公开(公告)号：CN101086963B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN100468627C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610110151.8

申请日：2006-08-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  中幡英章

IPC: H01L21/20 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/7813 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法，在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时，能够减少研磨、切断等工序，能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)的位置的氮化物半导体缺陷位置控制基板(S)，在低缺陷区域(ZY)上器件的内部，以边界线到达缺陷集合区域(H)的方式，使氮化物半导体层(上层部(B))外延生长在氮化镓基板上，用激光照射或机械方法在上下方向横向同时分离缺陷位置控制基板(S)和生长层(上层部(B))，重复使用基板。

公开(公告)号：CN1992168A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1957447A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016035.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN1877877A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610087778.6

申请日：2006-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  佐藤史隆 ,  弘田龙 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。

公开(公告)号：CN1790759A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120085.8

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。