公开(公告)号：CN103117252A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310058620.6

申请日：2013-02-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张博 ,  尹雯 ,  陆原 ,  万里兮

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种对二维封装柔性基板进行三维折叠封装的方法，包括：采用两个开口相对的U型真空槽对一个二维封装柔性基板进行折叠，并将该二维封装柔性基板真空吸附于该两个U型真空槽内壁，形成一个三维折叠封装单元；将多个该三维折叠封装单元开口向上密集排布于底板上，形成三维折叠封装单元阵列；从该三维折叠封装单元阵列中每个三维折叠封装单元开口内的空间对该三维折叠封装单元阵列加注灌封材料，灌封材料加满后将该三维折叠封装单元阵列置于热板上加热固化；释放真空，形成多个柔性基板三维封装体。本发明实现二维封装柔性基板的三维折叠封装，可在同一设备上完成柔性基板的弯折和灌封工艺，大大简化和优化了传统的封装工艺。

公开(公告)号：CN102800598A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201110135359.6

申请日：2011-05-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张霞 ,  万里兮

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H05K1/18 ,  H05K3/30

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种在基板中埋置有源元件的方法。该方法包括：在第一承载板的导电层上形成第一内层电路图形；将有源元件连接至第一承载板上的第一内层电路图形；在介质板上有源元件的对应位置加工空穴，空穴的长度和宽度均等于或大于有源元件的长度和宽度；将第二承载板、带有空穴的介质板和带有有源元件的第一承载板依次对准堆叠，形成有源元件埋入模块，第一承载板上的有源元件位于有源元件埋入模块的内部，置入介质板上的空穴；将有源元件埋入模块进行热压，形成埋置有源元件的基板，热压的温度大于等于介质板的玻璃转化温度。本发明具有工艺步骤简单、生产率高、成本低以及可进行返修等优点。

公开(公告)号：CN101814531B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200910077360.0

申请日：2009-02-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 万里兮 ,  吕垚 ,  李宝霞

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结；在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法、电子束蒸发法或溅射法制作的一金属膜层；在该金属膜层上采用电镀方法或丝网印刷方法制作的电极凸点；根据实际需要，引出电极可以在半导体基材的两面，或者只在刻蚀区面。本发明制作的电容器，具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺过程简单等优点，该电容还具有对静电和电涌的防护功能，可广泛用于高频高速高功率电子系统中。

公开(公告)号：CN102104009B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910242766.X

申请日：2009-12-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王惠娟 ,  万里兮 ,  吕壵

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并将相同的多层硅基电容对准，键合，使之形成多层堆叠三维硅基电容。该电容可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，其特点是结构简单，电容量大，容值可调，与现有微电子工艺兼容。

公开(公告)号：CN102103979A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910242759.X

申请日：2009-12-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王惠娟 ,  万里兮

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法，该方法包括：在减薄后的硅片上形成介质层；在硅片上大面积刻蚀出深的硅通孔；在硅片中部的电容区域进行离子扩散，形成PN结；将用于制作硅通孔的孔二次刻蚀至贯通，并在贯通的硅通孔表面制作绝缘层，在贯通的硅通孔中淀积金属铜；在金属铜的上下表面位置制作凸点，并在硅片表面形成相应的电气连接，形成电容；以及将制作好的电容与另一硅基无源器件通过键合相连，完成三维硅基无源电路的制作。利用本发明，摆脱了传统的在硅片上集成电路，大大减少了芯片的面积，节省成本，使得在工艺实现上更为方便，可替代传统的表面贴装器件或者无源电路，特别是在全硅封装领域得到重要应用。

公开(公告)号：CN101800165B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910077670.2

申请日：2009-02-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 吕垚 ,  李宝霞 ,  万里兮

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/92

Abstract: 本发明公开了一种沟道式电容器的制作方法，包括：提供以Si为基底的高掺杂低阻半导体衬底，在衬底上生长一层SiO2作为掩模层、物理保护层及电学绝缘层；刻蚀SiO2至Si层，开出不同面积的电容窗口；在该窗口内通过刻蚀制备出具有沟道的基底以及P型层电极区；直接利用保留在Si衬底上的SiO2作为掩模，在硅衬底沟道表面形成一层高掺杂的n+层，在其结深处形成PN结结电容；在电容表面大面积蒸镀金属；在开出的窗口层、N型电极及P型层电极区域形成金属电极；将制备好的沟道电容在高温下退火，使其P、N两个电极上均形成良好的欧姆接触。本发明克服了介质层难于生长，费用昂贵等问题，减少了加工步骤，降低了成本。

公开(公告)号：CN100544039C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200710099874.7

申请日：2007-05-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 申华军 ,  李志华 ,  杨成樾 ,  万里兮 ,  李宝霞

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明涉及光互联通信的光电探测器件技术领域，公开了一种斜面光接收的光电探测器，该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上，有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层，有源区的上表面为单电极或双电极。本发明提供的斜面光接收的光电探测器，有源区位于器件的斜面上，能够与各种类型的电路板上的光波导实现直接光路耦合，不需要光路传输方向的转变，形成简便高效的光探测接收端，简化了光路的耦合对准。由于不需要光路传输方向的转变，因而也就不需要精密的光路对准装置，使得工艺和对准的难度大大降低，成本下降，并减少了光损耗，提高了耦合效率。

公开(公告)号：CN101383388A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710121369.8

申请日：2007-09-05

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 申华军 ,  李志华 ,  杨成樾 ,  万里兮 ,  李宝霞

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料结构的外延生长；在完成外延生长的高台阶图形衬底上进行微电子工艺制造，形成接收有源区位于斜面上的光电探测器。利用本发明，可提高光电探测器的性能，降低成本，实现低成本、高效率、简便的平面光互联。

公开(公告)号：CN101315955A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200710099874.7

申请日：2007-05-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 申华军 ,  李志华 ,  杨成樾 ,  万里兮 ,  李宝霞

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明涉及光互联通信的光电探测器件技术领域，公开了一种斜面光接收的光电探测器，该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上，有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层，有源区的上表面为单电极或双电极。本发明提供的斜面光接收的光电探测器，有源区位于器件的斜面上，能够与各种类型的电路板上的光波导实现直接光路耦合，不需要光路传输方向的转变，形成简便高效的光探测接收端，简化了光路的耦合对准。由于不需要光路传输方向的转变，因而也就不需要精密的光路对准装置，使得工艺和对准的难度大大降低，成本下降，并减少了光损耗，提高了耦合效率。

公开(公告)号：CN203519214U

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201320592233.6

申请日：2013-09-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 周云燕 ,  宋见 ,  王启东 ,  曹立强 ,  万里兮

IPC: G01L1/16 ,  G01L9/08

Abstract: 本实用新型公开了一种压力传感器的封装结构，属于微电子封装技术领域。所述结构包括：上盖板、下盖板和压力传感器芯片；下盖板上设置有第一、第二矩形凹槽；第二矩形凹槽内嵌入第一矩形凹槽的底部，使第一矩形凹槽和第二矩形凹槽连通形成两级空腔结构；第一矩形凹槽的底部设置有贯穿下盖板的通孔；通孔的上下表面连接焊盘和布线层；压力传感器芯片的凸点与下盖板的通孔连接；上盖板上设置有第三矩形凹槽；压力传感器芯片位于上盖板与下盖板连接所形成的空间内部。本实用新型提高了压力传感器芯片耐恶劣环境的能力、受力的均匀性、可靠性和准确性，能满足高温、高湿等特殊环境的应用。