知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

69 records (took 0.037 seconds)

    基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法
    61.
    发明授权
    基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法 有权

    公开(公告)号：CN105304689B

    公开(公告)日：2018-09-25

    申请号：CN201510772384.3

    申请日：2015-11-12

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 程新红 ,  沈玲燕 ,  王中健 ,  曹铎 ,  郑理 ,  王谦 ,  张栋梁 ,  李静杰 ,  俞跃辉

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

    Abstract: 本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/GaN金属‑绝缘层‑半导体（MIS）HEMT器件。石墨烯相比于传统钝化结构，具有物理厚度薄（亚纳米量级），附加阈值电压小的优点。同时，单层石墨烯也具有很好的隔离性能，防止生长高k材料的过程中，AlGaN表面被氧化而产生表面陷阱，以达到钝化的效果。另外，氟化过程能使石墨烯中引入负电荷，有利于HEMT器件的阈值电压正向移动，为实现增强型器件提供可能。本发明结构和方法简单，效果显著，在微电子与固体电子学技术领域具有广泛的应用前景。

    一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法
    62.
    发明公开
    一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法 无效

    公开(公告)号：CN107275196A

    公开(公告)日：2017-10-20

    申请号：CN201710480815.8

    申请日：2017-06-22

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 程新红 ,  王谦 ,  李静杰 ,  郑理 ,  沈玲燕 ,  张栋梁 ,  顾子悦 ,  钱茹 ,  俞跃辉

    IPC: H01L21/033

    CPC classification number: H01L21/0332

    Abstract: 本发明提供一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法，所述方法至少包括：1)提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面生长氧化物掩膜层；2)在所述SiC外延片待刻蚀区域的所述氧化物掩膜层表面形成光刻胶层；3)在所述氧化物掩膜层和所述光刻胶层表面形成金属掩膜层；4)去除所述光刻胶层以及所述光刻胶表面的金属掩膜层，形成刻蚀窗口；5)通过所述刻蚀窗口刻蚀所述氧化物掩膜层和SiC外延片至所需深度；6)去除剩余的所述金属掩膜层和所述氧化物掩膜层，获得SiC栅槽结构。本发明利用氧化物掩膜作为阻挡层，可以防止金属元素向SiC外延片以及衬底扩散，从而解决元素污染的问题。另外，该方法可以获得高刻蚀速率、各向异性高、刻蚀表面光滑没有残留物的栅槽结构。

    一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法
    66.
    发明公开
    一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105129788A

    公开(公告)日：2015-12-09

    申请号：CN201510599025.2

    申请日：2015-09-18

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 程新红 ,  郑理 ,  王中健 ,  曹铎 ,  王谦 ,  沈玲燕 ,  张栋梁 ,  俞跃辉

    IPC: C01B31/04

    Abstract: 本发明提供一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面形成石墨烯层；然后将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中，并将所述ALD腔体温度升至设定值，并通入至少一个循环的去离子水，提高吸附在所述石墨烯层表面的H2O/O2分子对中H2O的浓度，从而使H2O/O2分子对中O2的浓度相对降低，形成N型石墨烯层。本发明的水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，不会破坏石墨烯晶体结构，易于硅基集成，简单高效，且该法制备的N型石墨烯层具有可逆性，在高温退火下可被修复形成P型石墨烯层或本征石墨烯层。

    一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
    67.
    发明授权
    一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN102969244B

    公开(公告)日：2015-03-25

    申请号：CN201210533291.1

    申请日：2012-12-11

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 程新红 ,  夏超 ,  王中健 ,  曹铎 ,  郑理 ,  贾婷婷 ,  俞跃辉

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

    Abstract: 本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向所述漂移区进行N型离子注入；退火，在该漂移区形成离子浓度呈线性增加的N型漂移区；提供一设有若干第二窗口的第二掩膜版；自该第二窗口向所述N型漂移区进行P型离子注入，P型柱区离漏极区有一定距离，退火后形成间隔的P柱和N柱；最后形成沟道、源区、漏区和栅区域。本发明使N柱的浓度从源端到漏端逐渐增加，消除漂移区剩余电荷，由于P柱离漏极有一定的距离，因此降低了漂移区电荷不平衡对器件性能的影响，提高可靠性。

    一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法
    68.
    发明公开
    一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN103985741A

    公开(公告)日：2014-08-13

    申请号：CN201410250193.6

    申请日：2014-06-06

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 程新红 ,  郑理 ,  曹铎 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  夏超 ,  沈玲燕 ,  俞跃辉

    IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04

    CPC classification number: H01L29/7606 ,  H01L29/66037

    Abstract: 本发明提供一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法，包括步骤：1)提供一重掺杂N型Si，在其表面两侧生长发射区电极；2)在所述重掺杂N型Si表面热氧化形成第一势垒；3)在所述第一势垒表面形成单层石墨层作为基区，并在其表面两侧形成基区电极；4)利用ALD工艺在所述单层石墨烯表面的基区电极之间形成第二势垒，并在第二势垒表面形成金属集电区。本发明通过制备单层石墨烯作为基区，利用石墨烯准弹道传输的性能，结合热电子的隧穿特性使热电子器件的性能更好；而利用ALD在单层石墨烯表面生长的高k金属氧化物势垒厚度可控且无针孔，质量好。另外，本发明提供制备方法具有制备精确、制备工艺流程简单、产量高的优点。

    基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件
    69.
    实用新型
    基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件 有权

    公开(公告)号：CN207938616U

    公开(公告)日：2018-10-02

    申请号：CN201820359523.9

    申请日：2018-03-16

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 沈玲燕 ,  程新红 ,  郑理 ,  张栋梁 ,  王谦 ,  顾子悦 ,  俞跃辉

    IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

    Abstract: 本实用新型提供一种基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件，该器件包括层叠的GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区以及GaN外延层，所述GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区及GaN外延层的晶向为a轴竖直向上；栅沟槽，穿过n型导电的GaN外延层及p型导电的GaN阱区，并延伸至n型导电的GaN漂移区内；AlGaN层，形成于栅沟槽的底部及侧壁，AlGaN层与p型导电的GaN阱区形成AlGaN/p-GaN异质结沟道；栅介质层；栅极金属层；接触槽，接触槽中填充有金属接触层，金属接触层与GaN阱区形成欧姆接触；上电极以及下电极。本实用新型可有效提高沟道电子迁移率，减小器件导通电阻，同时提高阈值电压实现增强型的器件结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

Patent Agency Ranking