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公开(公告)号：CN219642035U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202320448550.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器，包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入，另一侧连接若干根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，所述纳米像素点型结构内设有填充区域，每个所述填充区域内填充的材料为硅、二氧化硅和相变材料中的一种。本实用新型能够在不增加器件面积的情况下实现分光比的片上调节。
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公开(公告)号：CN215575764U
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202120882537.0
申请日：2021-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种基于氮化硅光子晶体的光分路器，该光分路器包括：自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层；氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导，两端分别形成有光栅发射器；二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿氮化硅波导层长度方向呈周期性排布的圆形凹槽及中间部分氮化硅波导层；光栅发射器为半圆环形的同心环绕光栅且具有两个半圆环形镂空孔。采用氮化硅材料可应用的带宽大，且两个半圆环形镂空孔设计的氮化硅光栅光学损耗小，光出射效率高；另外，光分束器可实现对片外光波的收集同时对光波传输、分光形成片外出射光。
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公开(公告)号：CN213814027U
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202023007346.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/125
Abstract: 本实用新型涉及一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪，包括输入Y分支波导和输出Y分支波导，所述输入Y分支波导和输出Y分支波导的结构相同，所述输入Y分支波导的第一输出端通过第一直波导与输出Y分支波导的第一输入端相连；所述输入Y分支波导的第二输出端与第一弯曲波导的一端相连，所述输出Y分支波导的第二输入端与第二弯曲波导的一端相连，所述第一弯曲波导的另一端与所述第二弯曲波导的另一端通过所述第二直波导相连；所述第一弯曲波导与第二弯曲波导结构相同，并沿着第二直波导的中线对称。本实用新型能够使得波导长度在10μm到40μm变化时具有稳定的传输效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN213659007U
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202022843058.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种任意分光比的光功率分束器，包括衬底，所述衬底上设有下包层，所述下包层上设有芯层，所述芯层包括输入波导、中心锥形波导、上倒锥形波导、下倒锥形波导、上输出波导和下输出波导，所述输入波导的输出端与所述中心锥形波导的输入端相连，所述上倒锥形波导的输出端与上输出波导的输入端相连，所述下倒锥形波导的输出端与下输出波导的输入端相连；所述中心锥形波导、上倒锥形波导和下倒锥形波导组成交叉耦合区域，光束从中心锥形波导进入交叉耦合区域后与上倒锥形波导和下倒锥形波导分别耦合实现功率分束。本实用新型具有工艺误差兼容，工艺简单、设计方便、损耗低等优点。
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公开(公告)号：CN215266304U
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202120710744.8
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构，本实用新型将光电探测器与偏振分束器进行有效的结合形成8通道结构，降低了系统的偏振灵敏度，同时保持较低的损耗。8通道的设计，有效地提高了系统的带宽，满足大量数据传输的需求。本实用新型还对光电探测器的结构做出改进，将光电探测器的光敏层设计为圆台形，圆台形的光敏层均衡了电流传输与电流扩展这两方面的影响因素，保证光生载流子在极短的时间内扩散以使电路迅速导通。
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公开(公告)号：CN213303070U
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202022658963.4
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统，所述条码识别装置包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，所述电位测量计与处理器相连；所述衬底中部设置有用于供激光器发出激光通过的通孔；所述激光器发出的激光照射在条码上后反射到硅导线上时，硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制，所述处理器根据硅导线中电位值为最小值的两根硅导线的位置信息计算出激光反射点的所在的位置。本实用新型能够为微纳米器件提供条码标识。
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公开(公告)号：CN213301121U
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202022658935.2
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本实用新型涉及一种微小空间三维形貌测量装置，包括光源组件和至少两组探测组件，所述探测组件包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，所述电位测量计与处理器相连；所述光源组件通过激光对被测样品表面进行逐行扫描，被测样品反射的激光照射到所述探测组件上时，硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制，所述处理器根据与硅导线相连的电位测量计输出的连续信号计算出被测样品表面反光点的位置信息。本实用新型具有体积小、精度高、非接触等优点。
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公开(公告)号：CN213301112U
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202022656108.X
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其中刚性底板的上表面固定有衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组，所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等；所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面；所述刚性上板的下表面设置有散射光源；所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时，所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。本实用新型能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
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