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公开(公告)号：CN111600195B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010383180.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体和光电集成技术领域，特别是涉及一种硅基单片集成激光器及其制备方法，包括：衬底层、埋氧化层、硅波导器件、上覆层和三维波导器件；所述埋氧化层上设有图形化的限向结构；所述限向结构内设有激光器结构；所述硅波导器件设置在所述埋氧化层上；所述埋氧化层、所述激光器结构和所述硅波导器件远离所述衬底层的表面形成第一表面，所述上覆层设置在所述第一表面上；所述三维波导器件设置在所述上覆层上。通过在激光器结构有源区上方引入三维波导结构，实现激光器结构有源区和硅波导之间高质量的光学连接。
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公开(公告)号：CN111600195A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010383180.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体和光电集成技术领域，特别是涉及一种硅基单片集成激光器及其制备方法，包括：衬底层、埋氧化层、硅波导器件、上覆层和三维波导器件；所述埋氧化层上设有图形化的限向结构；所述限向结构内设有激光器结构；所述硅波导器件设置在所述埋氧化层上；所述埋氧化层、所述激光器结构和所述硅波导器件远离所述衬底层的表面形成第一表面，所述上覆层设置在所述第一表面上；所述三维波导器件设置在所述上覆层上。通过在激光器结构有源区上方引入三维波导结构，实现激光器结构有源区和硅波导之间高质量的光学连接。
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公开(公告)号：CN213659007U
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202022843058.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种任意分光比的光功率分束器，包括衬底，所述衬底上设有下包层，所述下包层上设有芯层，所述芯层包括输入波导、中心锥形波导、上倒锥形波导、下倒锥形波导、上输出波导和下输出波导，所述输入波导的输出端与所述中心锥形波导的输入端相连，所述上倒锥形波导的输出端与上输出波导的输入端相连，所述下倒锥形波导的输出端与下输出波导的输入端相连；所述中心锥形波导、上倒锥形波导和下倒锥形波导组成交叉耦合区域，光束从中心锥形波导进入交叉耦合区域后与上倒锥形波导和下倒锥形波导分别耦合实现功率分束。本实用新型具有工艺误差兼容，工艺简单、设计方便、损耗低等优点。
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