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公开(公告)号：CN112920716A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110102158.X
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法，包括磨料、氧化剂、添加剂、络合剂以及去离子水。本发明可以显著的提高氮化钛的抛光速率，获得平滑的抛光后表面，使用方法简单，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN111755046A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010425372.4
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种存储器装置的偏置方法，其中存储器装置的选通器为二极管阵列，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，正常选通工作时，在选通二极管所在的位线BLn上施加选通信号，在需要消除寄生漏电流的位线上施加随所述选通信号变化的抑制信号，其他位线接地，在选通二极管单元所在的字线WLn接地，其他字线施加大于选通信号且小于二极管反向击穿电压的电压Vp。本发明可以降低或彻底消除相邻位线的寄生漏电流，同时减少小部分二极管反向漏电流。
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公开(公告)号：CN107591186B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710749389.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电路接收单脉冲电压信号，并加载到第一待测相变电阻的两端，通过数字源表测量第一待测相变电阻的阻值；电流测试时，电压电流测试自动切换电路基于单脉冲电压信号及负直流电流信号产生单脉冲电流信号，并加载到第二待测相变电阻，通过数字源表测量第二待测相变电阻的阻值。本发明将分立的电压和电流测试系统合成到一起，通过电压和电流的自动切换实现工程测试的自动化，同时减小噪音干扰。
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公开(公告)号：CN104317753B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410562409.2
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种存储设备及其数据读写方法，其中，所述存储设备至少包括：相变存储器芯片；耦合到所述相变存储器芯片的相变存储器接口控制模块；耦合到外部设备的SD接口控制模块；以及耦合到所述相变存储器接口控制模块和所述SD接口控制模块的存储控制器，用于响应来自于所述SD接口控制模块的数据读取或写入命令，并通过所述相变存储器接口控制模块控制对所述相变存储器芯片的读取或写入。本发明的存储设备为基于相变存储器的SD卡，采用相变存储器芯片作为存储介质，可以进行随机读写。另外，相较于FLASH，坏块管理和ECC纠错等操作也更加简单，实现了坏块屏蔽功能，且具有抗疲劳的特点。
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公开(公告)号：CN107068198A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710256187.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及对单脉冲驱动电压反相的反相器。基于负直流电流及单脉冲驱动电压产生第一、第二脉冲电流源；在单脉冲驱动电压为高电平时，第一脉冲电流源为电容充电；第二脉冲电流源流经负载相变电阻，作为输出驱动电流的高电平信号；在单脉冲电压为低电平时，电容为负载相变电阻供电，使输出驱动电流的下降沿缓慢下降。本发明利用RC放电效应，控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降，以此每个存储单元都能作用在最优SET操作的参数下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103871463B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410115086.2
申请日：2014-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法，所述相变存储器阵列堆叠结构至少包括：若干相变存储块、全局位线、本地位线、块位线、第一选通门和第二选通门；其中，每块所述相变存储块中包括至少四列相变电阻，每列中所述相变电阻分别对应连接至一块位线，至少两根所述块位线分别连接一第二选通门，至少两个第二选通门连接至同一本地位线，至少两个所述本地位线通过一所述第一选通门连接至所述全局位线。所述相变存储器阵列堆叠结构通过全局位线将所有块位线统一连接在一起，全局位线的最大负载仅由存储块中的块位线长度决定，从而极大的减少了寄生电容的产生，从而避免了大容量的相变存储器中会产生的较大的信号延时和较大的功耗。
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公开(公告)号：CN102750985B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110100806.4
申请日：2011-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的一种电可编程开关电路，包括：具有第一连接端及接地端的相变单元。本发明提供的另一种电可编程开关电路，包括：具有第一连接端及第二连接端的第一相变单元，且所述第一连接端及第二连接端都非接地端；以及与所述第一连接端连接以便能与所述相变单元构成电流通路的环路器件。由前所述，通过控制流入相变单元的电流可实现对电可编程开关电路的多次可逆编程。
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公开(公告)号：CN104575611A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410804631.9
申请日：2014-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器器件单元的皮秒级脉冲测试系统，包括主控计算机、皮秒脉冲信号发生器、数字源表和器件夹具盒，所述主控计算机分别与所述皮秒脉冲信号发生器和数字源表相连；所述皮秒脉冲信号发生器和数字源表还分别与所述器件夹具盒内的偏置器相连；所述器件夹具盒的两根探针分别连接被测相变存储器的上电极和下电极，构成一个完整的存储单元测试连接回路；所述主控计算机通过控制软件进行命令及数据传输，实现命令的发送和数据的采集。本发明能够表征器件单元的电学和存储性能。
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公开(公告)号：CN102750980B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210254293.7
申请日：2012-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有配置电路的相变存储器芯片，至少包括：存储阵列、行译码器单元、列译码单元、列选择器单元、驱动电路单元、敏感放大器单元、地址缓冲锁存单元、数据缓冲锁存单元、逻辑控制单元、以及配置电路单元。其中，所述配置电路单元，对所述驱动电路单元进行配置，使得驱动电路产生的电流脉冲能对芯片的存储单元进行有效的写入，使存储单元的高阻和低阻在具有较好的一致性；对所述敏感放大器单元进行配置，使得敏感放大器单元能对芯片的存储单元进行有效的快速读出。
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公开(公告)号：CN103871463A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410115086.2
申请日：2014-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法，所述相变存储器阵列堆叠结构至少包括：若干相变存储块、全局位线、本地位线、块位线、第一选通门和第二选通门；其中，每块所述相变存储块中包括至少四列相变电阻，每列中所述相变电阻分别对应连接至一块位线，至少两根所述块位线分别连接一第二选通门，至少两个第二选通门连接至同一本地位线，至少两个所述本地位线通过一所述第一选通门连接至所述全局位线。所述相变存储器阵列堆叠结构通过全局位线将所有块位线统一连接在一起，全局位线的最大负载仅由存储块中的块位线长度决定，从而极大的减少了寄生电容的产生，从而避免了大容量的相变存储器中会产生的较大的信号延时和较大的功耗。
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