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公开(公告)号：CN1699939A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510026743.7
申请日：2005-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种室温F－P红外探测器阵列及制作方法，其特征在于硅基底和可动微镜之间构成了红外谐振腔，可动微镜和带有高反膜的玻璃之间构成F－P腔。其制作特征在于采用普通硅片，首先通过腐蚀硅确定F－P腔的长度，通过制作牺牲层确定红外谐振腔的长度，在牺牲层上淀积氮化硅、铝或金薄膜，光刻并刻蚀出微镜图案，随后去掉牺牲层材料，释放可动微镜，最后在真空中作硅－玻璃键合，形成F－P腔。本发明的优点在于：采用体硅与表面牺牲层技术相结合的工艺，可方便的制作出符合要求的红外谐振腔和F－P腔，提高了器件的红外探测性能，同时在工艺过程即实现了红外探测器阵列的真空封装，不需要专门的真空封装，简化了工艺，保证了器件的性能。
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公开(公告)号：CN1651922A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510008053.9
申请日：2002-04-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种湿法制造的微机械电容式加速度传感器，属于微电子机械系统领域。其特征在于，最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性，采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构，电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在(110)单晶硅上，电容极板间隙为3－15微米。电容的平行电极必须严格对准(111)晶向。本发明提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺，提高了电容式加速度传感器的成品率，而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。
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公开(公告)号：CN1142438C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN02111212.6
申请日：2002-03-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在深反应离子(DRIE)形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散来形成加速度敏感梁两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器及制造方法。属于硅微机械传感器技术领域。其特征在于为实现电阻间的电绝缘，还采用了在DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充的方法。这种制作方法可以实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁上最大应力的检测从而实现较高灵敏度。同时还克服了(1)采用硅片倾斜方向离子注入的繁琐和不适合批量制造；(2)为实施倾斜离子注入预留的过宽沟槽从而影响敏感梁接触过载保护性能二个缺点。具有制造工艺简单、构思巧妙并适合批量生产各种量程的加速度传感器，同时可以应用到多种压阻惯性传感器技术中，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1481000A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03128997.5
申请日：2003-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及带有微型连接构件的基板及其制作方法，可分为带有导入孔构件的第一基板和带有插入头构件的第二基板。导入孔构件，由第一基板上的至少两个导入孔部和至少两个隔离孔部，以及两者之间的间隔块部组成；导入孔部由垂直于第一基板表面的导入直孔及其下端的第一底部宽孔，以及位于该底部宽孔与导入直孔下端交接处的、伸向底部宽孔的第一突起部组成。插入头构件，包含至少两个插入头部，由垂直于第二基板表面的插入块及其下端两侧与基板表面交接处的凹部、及第三突起部组成。插入头部与导入孔部对准，将插入头插入导入孔，形成第一突起部与第三突起部的横向交叉，实现锁定连接。提供了一种工艺简单、封装应力低、具有多器件通用性的晶圆级封装规范。
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公开(公告)号：CN1402011A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02111345.9
申请日：2002-04-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种湿法制造微机械电容式加速度传感器及其结构，属于微电子机械系统领域。其特征在于，最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性，采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构，电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在(110)单晶硅上，电容极板间隙为3－15微米。电容的平行电极必须严格对准(111)晶向。本发明提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺，提高了电容式加速度传感器的成品率，而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112951916B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202110124217.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法，从下至上包括栅极及栅极绝缘层、保护层和用于形成侧墙结构的辅助层，还包括以侧墙结构作为硬掩模或牺牲层形成的纳米空气沟道。本发明具有高密度集成的潜力，有利于纳米空气沟道晶体管自身、或与其它类型器件的高密度集成；同时也具有规模化制造潜力，有利于降低生产成本、提高生产效率，具有实用价值和实际应用前景。
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公开(公告)号：CN115015152A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210760499.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种递进式双通道红外气体传感器，包括从上至下依次层叠的反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片；反光罩上设有反射腔和若干透气孔；支撑板上设有第一通孔和第二通孔，其内分别嵌设有第一滤光片和两第二滤光片；基座的顶面设有红外光源和两红外探测器，红外光源位于第一滤光片的正下方，两红外探测器分别位于两第二滤光片的正下方，两红外探测器相对于红外光源递进排布；红外光源和两红外探测器与ASIC芯片电连接。本发明的递进式双通道红外气体传感器，反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片层叠设置，从而缩小体积；反射腔为折叠式反射结构，使光程增长；红外光源和两红外探测器分布在基座两端，可隔绝红外光源对热敏元件的影响。
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公开(公告)号：CN112540105B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011442807.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请涉及气体传感器技术领域，本申请公开了一种用于检测有机磷化合物的气体传感器，其包括栅极绝缘结构、有机半导体层、源漏极和修饰层；该栅极绝缘结构的顶部设有该有机半导体层；该有机半导体层的顶部设有该源漏极和该修饰层；该源漏极的源极和漏极之间设有该修饰层，该修饰层的材料为杯芳烃，该修饰层用于调节该气体传感器的灵敏度和气体选择性。本申请提供的该气体传感器具有灵敏度高和对有机磷化合物选择性高的特点。
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公开(公告)号：CN113960144A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110985591.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线FET传感器阻值的测量装置，包括：硅纳米线FET传感器，其上设有待测的目标物；电源装置，其正极和负极之间设有依次串联的限流电阻、硅纳米线FET传感器和负载电容，以对负载电容充放电；ASIC组件，其根据负载电容两端的电压大小将负载电容在充电和放电状态之间切换，根据电压大小输出高低电平，以产生方波信号，获取其频率，得到硅纳米线FET传感器的实时电阻值；和显示装置，设置为接收并显示硅纳米线FET传感器的实时电阻值的数据。本发明还提供了相应的方法。本发明的装置具有体积小、电路结构简单、高效、低成本、低功耗、低温漂、器件无损、检测范围大、自适应能力强和完全不存在失配问题的优点。
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