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公开(公告)号：CN117293032A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311280434.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种N极性氮化镓电子器件的制备方法及器件。该方法包括：获取第一器件结构；所述第一器件结构包括第一支撑衬底、氮化镓薄膜和铝镓氮背势垒层；将所述第一器件结构与第二支撑衬底键合，并去除所述第一支撑衬底和所述氮化镓薄膜，得到第二器件结构；根据第三支撑衬底的热膨胀系数和铝镓氮的热膨胀系数，确定目标键合温度控制方式；基于所述目标键合温度控制方式，将所述第三支撑衬底与所述第二器件结构中暴露的铝镓氮背势垒层表面进行键合；去除所述第二支撑衬底，得到氮化镓电子器件。该方法能够增强异质结结构中氮化镓的极化效应，提高异质结结构中二维电子气的密度，进而提升氮化镓电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN116705605A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310736872.3
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN116646250A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310733282.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅场效应管的制备方法，所述方法包括提供第一碳化硅衬底，在第一碳化硅衬底上外延碳化硅外延层；将轻离子注入碳化硅外延层，轻离子在碳化硅外延层内形成离子集聚区域，使得碳化硅外延层依次形成碳化硅薄膜层、离子集聚区和碳化硅键合层；提供第二碳化硅衬底，对第二碳化硅衬底与碳化硅键合层相互接触的表面进行导电处理；将第二碳化硅衬底与碳化硅键合层进行晶圆键合；将碳化硅键合层与离子集聚区域剥离，得到第一碳化硅衬底、碳化硅薄膜层和离子集聚区域形成的第一衬底结构以及第二碳化硅衬底与碳化硅键合层形成的第二衬底结构，并对第一衬底结构进行回收处理；基于第二衬底结构进行场效应管的制备，得到碳化硅场效应管。
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公开(公告)号：CN116598203A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310737349.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本公开涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，在预设深度形成缺陷层，得到离子注入后的第一碳化硅衬底；对离子注入后的第一碳化硅衬底的表面进行反型掺杂，在表面形成第一绝缘层，得到反型掺杂后的第一碳化硅衬底；获取第二碳化硅衬底；将第二碳化硅衬底与反型掺杂后的第一碳化硅衬底进行直接键合，得到第一复合衬底；沿缺陷层对第一复合衬底进行剥离，得到第二复合衬底；对第二复合衬底的表面进行绝缘处理，得到处理后的第二复合衬底；基于处理后的第二复合衬底的制备得到氮化镓HEMT器件。本公开的氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大氮化镓HEMT器件的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114525489B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210089355.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及信息功能材料制备领域，特别涉及一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法，包括：将第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆键合形成第一键合结构；对所述第一键合结构进行退火处理，沿所述第一碳化硅晶圆的缺陷层剥离部分所述第一碳化硅晶圆；在第一碳化硅晶圆上外延生长第一纯度的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层表面形成有第三键合介质层；将所述第一键合结构和硅衬底键合形成第二键合结构；面向所述第二碳化硅晶圆切割至所述第一键合介质层，去除所述第二碳化硅晶圆和所述第一碳化硅晶圆，暴露所述碳化硅外延层，得到硅基碳化硅薄膜材料。本发明解决了碳化硅薄膜制备技术中单晶质量差、无法通过传统薄膜沉积异质外延、薄膜均匀性差的技术问题。
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公开(公告)号：CN114527587A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210099645.X
申请日：2022-01-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/11
Abstract: 本申请公开了一种声光耦合衬底、器件及器件制备方法，其中，一种声光耦合衬底，包括依次层叠设置的衬底层、介质层、声学层和光学层：衬底层的材料包括硅；介质层的材料包括二氧化硅；声学层的材料包括高质量氮化铝，高质量是指在X射线衍射测试中，晶向半高宽小于150弧秒；光学层的材料包括碳化硅。本声光耦合衬底、器件通过直接键合形成，改善了目前利用离子束技术制备硅基碳化硅薄膜的离子损伤的问题，同时实现了硅基高单晶质量的声学器件层和光学器件层的晶圆级异质集成。
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公开(公告)号：CN114525489A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210089355.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及信息功能材料制备领域，特别涉及一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法，包括：将第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆键合形成第一键合结构；对所述第一键合结构进行退火处理，沿所述第一碳化硅晶圆的缺陷层剥离部分所述第一碳化硅晶圆；在第一碳化硅晶圆上外延生长第一纯度的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层表面形成有第三键合介质层；将所述第一键合结构和硅衬底键合形成第二键合结构；面向所述第二碳化硅晶圆切割至所述第一键合介质层，去除所述第二碳化硅晶圆和所述第一碳化硅晶圆，暴露所述碳化硅外延层，得到硅基碳化硅薄膜材料。本发明解决了碳化硅薄膜制备技术中单晶质量差、无法通过传统薄膜沉积异质外延、薄膜均匀性差的技术问题。
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公开(公告)号：CN111880124B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010661706.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00
Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域，本发明公开了一种高频可调节磁场探测器的制备方法。该探测器的制备方法具体如下，通过对具有二氧化硅介质层的碳化硅薄膜衬底进行图形化，进而得到待键合碳化硅薄膜衬底，并将该待键合碳化硅薄膜衬底与压电薄膜衬底进行键合，对键合后的薄膜衬底进行退火剥离，得到碳化硅‑压电薄膜结构，再通过刻蚀掉该碳化硅‑压电薄膜内部的部分二氧化硅介质层，之后通过制备叉指电极、低温快退火等工序，得到该磁场探测器。本申请提供的磁场探测器具有频率高和灵敏度高的特点。
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公开(公告)号：CN113284839A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110557868.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构。本申请提供的该异质键合方法通过在钻石晶体表面引入键合介质层，继而可以采用亲水键合或者SAB键合等键合方法，绕过了钻石晶体不易抛光和键合的缺点，上述键合方法具有键合灵活以及键合强度高的优点。
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