公开(公告)号：CN104916674B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201510181744.2

申请日：2015-04-17

申请人： 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

发明人： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  顾炎 ,  宋华 ,  张森 ,  苏巍

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。

公开(公告)号：CN106877653A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710245183.7

申请日：2017-04-14

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  张玉浩 ,  陆扬扬 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H02M3/155 ,  G01R19/175

CPC分类号： H02M3/155 ,  G01R19/175 ,  H02M2001/0058

摘要： 一种DCM迟滞变换器制控制死区时间的电路及其方法，工作驱动信号in在经过自适应死区时间调整电路后通过反相器链驱动功率管进行开、关，同时自适应的获得最优的死区时间。经过对Lx点在功率Pmos关断后、功率Nmos开启时电压的采样，从而获得死区时间的信息，将采样信号反馈回自适应死区时间控制电路中，调整二进制延时线的信号传输速度，从而实现死区时间的最优自适应控制。

公开(公告)号：CN104022776B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410304459.0

申请日：2014-06-27

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  黄泽祥 ,  张允武 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H03K19/08

摘要： 一种半桥驱动电路中的自举二极管仿真电路，在现有自举二极管仿真电路的栅极驱动电路结构中加入了一个电平移位和一个简单电荷泵，在栅极驱动输入信号为低电平时，栅极驱动电路输出给N沟道LDMOS晶体管LD1的栅压为低电平，关断N沟道LDMOS晶体管LD1。在栅极驱动输入信号为高电平时，栅极驱动电路输出给N沟道LDMOS晶体管LD1的栅压为高电平，从而提高了N沟道LDMOS晶体管LD1的栅极电压，降低了LD1的导通电阻，提高了给自举电容的充电电流。

公开(公告)号：CN106206702A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610571475.5

申请日：2016-07-19

申请人： 东南大学

发明人： 祝靖 ,  张龙 ,  赵敏娜 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0603

摘要： 一种分段双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，包括：P型衬底，其上设有埋氧层，之上为N型外延层，在外延层表面淀积氧化层，在外延层上设有环形沟槽，环形沟槽在埋氧层上，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，P型体区和N型缓冲层位于环形沟槽内侧，缓冲层位于P型体区内侧，在P型体区内设有N型和P型发射极，在P型体区内边界上方有多晶硅栅，在N型缓冲层中设有P型集电极，在缓冲层外边界上设有被氧化层包围的多晶硅场板，在P型集电极上引出的金属连线通过U形开口延伸，在开口外侧设有连续沟槽，在环形沟槽及连续沟槽内填充有二氧化硅，其特征在于，在开口与连续沟槽之间设有分段沟槽，在相邻分段沟槽间有载流子撤离通道。

公开(公告)号：CN106024892A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610363982.X

申请日：2016-05-26

申请人： 东南大学

发明人： 祝靖 ,  周锦程 ,  杨卓 ,  宋慧滨 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66409

摘要： 一种高雪崩耐量的空穴电流分流型功率晶体管及其制备方法，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底上设有N型掺杂硅外延层，N型掺杂硅外延层表面设有沟槽，在沟槽内设有场氧层，在场氧层内设有屏蔽栅和栅极，栅极位于屏蔽栅的两侧且位于场氧层的顶部，在栅极与屏蔽栅之间设有绝缘介质层，同时，在栅极与外延层之间设有栅氧层，外延层的表面设有P型体区，P型体区的表面设有P型源区和N型源区，器件表面覆盖绝缘介质层，源极金属通过绝缘介质层上的通孔与重掺杂N型源区和重掺杂P型源区接触，屏蔽栅还与源极金属接触，在场氧层内设有位于栅极下方的P型多晶硅导电沟道，P型多晶硅导电沟道的一端连于N型掺杂硅外延层，另一端连于屏蔽栅。

公开(公告)号：CN105914233A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610365220.3

申请日：2016-05-26

申请人： 东南大学

发明人： 祝靖 ,  卞方娟 ,  杨卓 ,  黄智 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66477

摘要： 一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法。晶体管含N型漏极，N型漏极上设有N型外延层，再设第一、二条形P型体区、第一P型体区，在第一P型体区内设有至少2个沟槽栅、重掺杂N型源极及第二P型体区，在沟槽栅的上端设有第一场氧化层，重掺杂N型源极位于第一P型体区的上部且限制在沟槽栅之间，第二P型体区位于重掺杂N型源极的下方且通过第一接触金属与源极金属层连接。方法是在衬底生长N型外延层，蚀出深沟槽，制作第一、第二条形P型体区，再制作沟槽栅、第一P型体区、重掺杂N型源极，然后淀积铝形成源极金属层和第一接触金属，最后制作N型漏极。本发明能有效改善体二极管的反向恢复特性并能提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN104078498B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410334730.5

申请日：2014-07-14

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  杜益成 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供了一种能够提高普通绝缘栅双极型晶体管耐压能力、高温特性，且无电流回跳现象的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区一侧设有P型体区，另一侧设有N型缓冲层，且P行体区内设有相连的P型发射极区和N型发射极区，其上有用于连接两者的金属以及发射极金属场板，在N型缓冲层内设有P型集电极区，其上设有由于连接的金属以及集电极金属场板，在埋氧层和N型发射区之间的P型体区上方设有多晶硅栅，在N型体区外侧设有两个沟槽隔离层，其间有供载流子流动的间隙，在沟槽隔离层的外侧设有两个N型集电极区，其通过金属与P型集电极相连。

公开(公告)号：CN103618001B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310496732.X

申请日：2013-10-22

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  戴伟楠 ,  吴逸凡 ,  徐申 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 一种N型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的P型掺杂硅衬底，在P型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在P型掺杂硅衬底上方依次设有N型掺杂硅缓冲层和N型轻掺杂硅外延层，在N型轻掺杂硅外延层内设有和P型柱，在P型掺杂半导体区中设有N型和P型重掺杂半导体区，在P型柱中设有P型重掺杂半导体区，在P型柱和N型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在N型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的N型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且N型和P型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。

公开(公告)号：CN103762969B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410020857.X

申请日：2014-01-17

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张允武 ,  陈健 ,  易扬波 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H03K19/003

摘要： 一种抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，包括高压电平移位电路、RS锁存器和驱动器，高压电平移位电路将输入的两路低压脉冲信号转换为两路高压脉冲信号输出，两路高压脉冲信号分别经处理后进入RS锁存器，RS锁存器的输出至驱动器，驱动器输出驱动信号控制外部功率管的开关。本发明对高压电平移位电路进行了改进，改进后的高压电平移位电路包含两个完全相同的独立部分，每个独立的部分均包括两个LDMOS管，一个延时单元，一个齐纳稳压管，一个电容，一个电阻和一个中压PMOS管。本发明能够消除dV/dt干扰噪声和差模噪声，并能在消除噪声干扰的同时，不影响正常信号的传递，同时还加大了允许的负VS电压。

公开(公告)号：CN103779404B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410035881.0

申请日：2014-01-24

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  杨卓 ,  陈健 ,  郭超 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： P沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一N型体区和P型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了电子的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一N型体区与P型外延层耗尽决定，因此P型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。