公开(公告)号：CN103618001B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310496732.X

申请日：2013-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴伟楠 ,  吴逸凡 ,  徐申 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种N型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的P型掺杂硅衬底，在P型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在P型掺杂硅衬底上方依次设有N型掺杂硅缓冲层和N型轻掺杂硅外延层，在N型轻掺杂硅外延层内设有和P型柱，在P型掺杂半导体区中设有N型和P型重掺杂半导体区，在P型柱中设有P型重掺杂半导体区，在P型柱和N型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在N型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的N型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且N型和P型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。

公开(公告)号：CN103618002A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310496804.0

申请日：2013-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴伟楠 ,  杨卓 ,  孙华芳 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0603

Abstract: 一种P型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在N型掺杂硅衬底上方依次设有P型掺杂硅缓冲层和P型轻掺杂硅外延层，在P型轻掺杂硅外延层内设有和N型柱，在N型掺杂半导体区中设有P型和N型重掺杂半导体区，在N型柱中设有N型重掺杂半导体区，在N型柱和P型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在P型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的P型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且P型和N型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。

公开(公告)号：CN103618002B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310496804.0

申请日：2013-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴伟楠 ,  杨卓 ,  孙华芳 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种P型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在N型掺杂硅衬底上方依次设有P型掺杂硅缓冲层和P型轻掺杂硅外延层，在P型轻掺杂硅外延层内设有和N型柱，在N型掺杂半导体区中设有P型和N型重掺杂半导体区，在N型柱中设有N型重掺杂半导体区，在N型柱和P型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在P型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的P型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且P型和N型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。

公开(公告)号：CN103618001A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310496732.X

申请日：2013-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴伟楠 ,  吴逸凡 ,  徐申 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/365

Abstract: 一种N型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的P型掺杂硅衬底，在P型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在P型掺杂硅衬底上方依次设有N型掺杂硅缓冲层和N型轻掺杂硅外延层，在N型轻掺杂硅外延层内设有和P型柱，在P型掺杂半导体区中设有N型和P型重掺杂半导体区，在P型柱中设有P型重掺杂半导体区，在P型柱和N型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在N型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的N型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且N型和P型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。