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公开(公告)号:CN102136022A
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN201110102761.4
申请日:2011-04-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线方法,其中所述的引入参数的晶体管模块单元,是由若干个晶体管组成测试结构。所述自动化方法,智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法,大规模地降低了新工艺下晶体管测试电路与测试结构的实现复杂度,缩短了完成时间,并提高了可靠度。
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公开(公告)号:CN101861022A
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN201010186708.2
申请日:2010-05-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供了LED驱动电源及其功率管的开启方法,以解决EMI等问题,其中LED驱动电源,包括功率管控制器、功率管及压降器,所述压降器与功率管串联,流出功率管的电流流入压降器,其特征在于,所述功率管控制器,具体包括:功率管电流采集模块,用于采集流过功率管的电流;功率管开启模块,用于在所述采集模块采集到的电流为零时,启动功率管;功率管关闭模块,用于在所述压降器上的压降达到预定值时,关闭功率管。
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公开(公告)号:CN101847632A
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN201010113500.8
申请日:2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L27/04 , H01L23/528
Abstract: 本发明是关于一种优化的射频集成电路电感结构,具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括:多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间,其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成,这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构,这样就减小了寄生电容的影响,扩展了电感的工作频带,以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。
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公开(公告)号:CN101806838A
公开(公告)日:2010-08-18
申请号:CN200910056880.3
申请日:2009-02-17
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供了互连线测试结构及相应测试方法,以降低测试成本,该结构包括多个子测试结构,所述子测试结构包含由电阻互连线和电容互连线构成的comb meander结构,且所述电阻互连线两端均连接有子电阻测量端及测量开关,所述子电阻测量端及测量开关并联;其中各子测试结构位于不同金属层;各子测试结构中,电阻互连线两端的测量开关分别连接至两个主电阻测量端,以及各个位于奇数金属层的子测试结构的电容互连线连接至第一电容测量端,各个位于偶数金属层的子测试结构的电容互连线连接至第二电容测量端。
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公开(公告)号:CN108649955A
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201810450368.6
申请日:2018-05-11
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H03M1/38 , A61B5/0402
Abstract: 本发明实施例提供了一种逐次逼近型模数转换器、心电信号采集设备及方法,所述逐次逼近型模数转换器包括多路复用器、N位加法器、采样时钟和逻辑控制单元。该方法能够适用于大量心电信号数据采集传输的应用下,与传统的心电信号采集方法相比,该方法的数据压缩比是传统信号采集方法的7.5倍,且能够节省90%的电量。
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公开(公告)号:CN107546182A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610460520.X
申请日:2016-06-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明提出一种石墨烯缓冲层结构,以提高功率器件的散热效率,增强导电性及应力释放。该结构包括:包围管芯的石墨烯缓冲层结构及其与管芯接触的触点。所述石墨烯缓冲层结构尺寸根据管芯尺寸不同而变化,略大于管芯尺寸,将整个管芯包裹在内。所述触点根据不同类型的管芯,其数目和位置也略有不同。
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公开(公告)号:CN107545081A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610467274.0
申请日:2016-06-24
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出一种在射频集成电路中广泛使用的螺旋电感的高精度等效集总参数模型及参数提取方法。其主要步骤包括:(1)片上螺旋电感的数学模型建立。建立精确的RF螺旋电感RLC集总参数模型,包含相关RF寄生效应如涡流效应、趋肤效应、衬底损耗等。(2)根据工艺库建立其物理模型,并对版图进行S参数的仿真。(3)采用模拟的S参数提取电感RLC集总参数模型里的元件参数。本发明的有益效果是,可将高频情况下的片上电感的各种寄生效应考虑到模型中,并通过数值仿真的S参数来提取元件参数从而建立高精度的电感集总参数模型,此模型可方便地进行放入SPICE等EDA软件中用来做电路的时序和频域仿真。
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公开(公告)号:CN107539039A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610459495.3
申请日:2016-06-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: B60C23/04
Abstract: 本发明涉及胎压监测系统领域,提供了一种胎压监测系统中传感发射模块结构及安装方法,能安全可靠地固定胎压传感发射模块和为传感发射模块供电的电池,实时监测汽车轮胎的气压和温度等数据,并且能够方便快捷地更换电池。所述结构包括汽车胎压传感发射模块、两块外接电池和保护外套。传感发射模块的两个侧面各引出电极,用于连接外部电池。保护外套用于放置传感发射模块。保护外套侧面分别设计了用于放置电池的腔体。保护外套的底部涂胶,即可粘附到汽车轮胎的内壁上。电池电量耗尽,只需将保护外套铲下,更换新的电池,重新粘附到轮胎内壁,操作简便,无需更换传感发射模块,节约了成本。所述传感发射模块安装结构可用于各种型号的汽车轮胎。
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公开(公告)号:CN105097642A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410216627.0
申请日:2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法,以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构,包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料,利用不同材料的热导率及介电常数差异,在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下,可以有效改善SOI高压器件散热性能。
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公开(公告)号:CN105095551A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410216649.7
申请日:2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出了一种面向SOI工艺的供电电源电压的系统级优化方法,对基于SOI工艺的电路芯片在早期设计阶段进行考虑热效应的供电电源电压的优化设计,其主要步骤包括:芯片热模型的建立;芯片总功耗模型的建立;功耗关于和温度作为自变量的函数表达式;经由热模型建立与的自相关方程;建立温度意识的时延模型;定义有关时延与功耗的优化函数FOM;通过计算FOM的最小值从而求得的最优值。本发明的有益成果是,考虑了温度对SOI工艺下的芯片的功耗和电路性能的影响,在此基础上,对电源供电电压进行系统级的优化以最大化电路性能及最小化电路功耗。该优化方法的价值是尽可能早地以定量方式看到优化结果,以助于设计者的初期架构。
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