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公开(公告)号:CN101847632A
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN201010113500.8
申请日:2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L27/04 , H01L23/528
Abstract: 本发明是关于一种优化的射频集成电路电感结构,具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括:多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间,其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成,这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构,这样就减小了寄生电容的影响,扩展了电感的工作频带,以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。
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公开(公告)号:CN101807822A
公开(公告)日:2010-08-18
申请号:CN201010113505.0
申请日:2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种无线供能方法及相关装置,以实现低电压、高效率、绿色安全、方便实用的无线充能方案。其中发射能量的线圈由多组能量发射线圈组成,该方法包括步骤:依次驱动能量发射线圈向能量接收装置发射能量;能量接收装置接收能量后,返回各个反馈信号,所述反馈信号与每次发射能量的能量发射线圈唯一对应;根据各个反馈信号,驱动相应能量发射线圈发射能量;能量接收装置接收并存储能量。
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公开(公告)号:CN105097788A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410216645.9
申请日:2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/64 , H01L23/528
Abstract: 本发明是关于一种优化的射频集成电路电感结构,具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括:多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间,其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成,这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构,这样就减小了寄生电容的影响,扩展了电感的工作频带,以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。
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公开(公告)号:CN101834472A
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN201010159169.3
申请日:2010-04-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明公开了接收端电源管理装置及无线供能系统,该装置用于无线供能系统,以解决现有无线供能技术无法提供峰值功率的问题,该装置包括:包括储能元件及峰值电流放电回路,所述储能元件包含超级电容;以及所述峰值电流放电回路连接至该超级电容,用于在接收超级电容传输来的能量后,输出峰值功率。
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公开(公告)号:CN102157926A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201110079354.6
申请日:2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明提供了一种可以用于交流环境的限压保护电路,以降低系统静态功耗,减小衬底电流,消除闩锁效应。发明中所述的保护电路,包含电压初步检测电路,其静态电流几乎为零;包括一个大电流泄放通路,用以泄放在限幅发生时提供电荷泄放通路;包括两个辅助衬底晶体管,用以在交流环境中正确的偏置电路中所有P型场效应晶体管的衬底于最高电位,消除衬底电流,降低泄漏电流,确保电路正常稳定的工作,此外,为了提高限压保护电路的灵敏度,电路还可以包括一个运算放大器电路。
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公开(公告)号:CN101833349A
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN201010186670.9
申请日:2010-05-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供了多基准电压发生电路,以提高基准电压的稳定性,其中所述基准电压发生电路,包括多基准电压发生结构,此外还包括用于接收外部电源的电压,并输出电压提供给所述发生结构的电源结构;该发生电路还可以包括负反馈电路,其中所述负反馈电路包括:采集模块,用于采集所述电源结构输出的电压的波动;放大模块,连接至采集模块,用于放大采集模块采集到的波动;负反馈模块,用于将放大模块放大的波动负反馈到所述电源结构,以减小所述电源结构后续输出电压的波动。
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