公开(公告)号：CN107768331A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y30/00 ,  C08K3/042 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/42

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。

公开(公告)号：CN103187966B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201210596242.2

申请日：2012-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹俊 ,  金尚昱 ,  朴晟准 ,  D·赛欧 ,  李荣姬 ,  李昌承

IPC: H03K19/20

CPC classification number: H03K19/20

Abstract: 公开了一种反相器器件。反相器器件包括可调二极管器件和二极管器件。二极管器件包括：控制端子，连接到反相器器件的输入端子；阳极端子，连接到高电平电压端子；以及阴极端子，连接到反相器器件的输出端子，其中，二极管器件被配置为根据施加到控制端子的电压导通或截止。

公开(公告)号：CN106169511A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610157055.2

申请日：2016-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李基荣 ,  李相烨 ,  李殷奎 ,  李载昊 ,  朴晟准

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/101

Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。

公开(公告)号：CN105319854A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510292394.7

申请日：2015-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和通过使用该硬掩模组合物形成图案的方法。所述硬掩模组合物可包括：溶剂；和包含约0.01原子％-约40原子％氧的2维碳纳米结构体、或其2维碳纳米结构体前体。所述2维碳纳米结构体前体中的氧的含量可低于约0.01原子％或者大于约40原子％。所述硬掩模组合物可用于形成精细图案。

公开(公告)号：CN105280813A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510423238.X

申请日：2015-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李基荣 ,  朴晟准

IPC: H01L45/00 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/028 ,  H01L31/113 ,  H01L33/04 ,  H01L33/26 ,  H01L33/34 ,  H01L45/04 ,  Y02E10/547

Abstract: 示例实施方式涉及石墨烯器件及其制造和操作方法以及包括该石墨烯器件的电子装置。石墨烯器件是多功能的器件。石墨烯器件可以包括石墨烯层和功能材料层。石墨烯器件可以在开关器件/电子器件的结构内具有存储器器件、压电器件和光电器件中的至少一种的功能。功能材料层可以包括电阻变化材料、相变材料、铁电材料、多铁性材料、多稳态分子、压电材料、发光材料和光敏材料中的至少一种。

公开(公告)号：CN102956694A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210305411.2

申请日：2012-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  郑现钟 ,  宋俔在 ,  朴晟准 ,  D.塞奥 ,  梁喜准

IPC: H01L29/43 ,  H03K17/56

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。

公开(公告)号：CN102956263A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210298165.2

申请日：2012-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张晚 ,  金英培 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  朴晟准 ,  许智贤 ,  李东洙 ,  李昌范 ,  李承烈

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076

Abstract: 根据示例实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为与第一电阻值不同的第二电阻值；感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流；基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压；以及向可变电阻器件施加确定的第二电压。