公开(公告)号：CN102428572B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080021852.9

申请日：2010-02-19

申请人： LG电子株式会社

发明人： 姜周完 ,  高志勋 ,  金钟焕 ,  张大熙

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/02245 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/0516 ,  Y02E10/50

摘要： 披露了太阳能电池和包括多个太阳能电池的太阳能电池组件。根据实施方式的太阳能电池包括第一导电类型的基板、位于所述基板之上的与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层、与所述发射极层电连接的多个第一电极、与所述基板电连接的第二电极、与所述多个第一电极电连接的第一集电器、和与所述第二电极电连接的第二集电器。所述第二集电器包括与所述第二电极电连接的多个第二电极集电器、和用于使所述多个第二电极集电器彼此连接的集电器连接器。

公开(公告)号：CN104081537A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280066330.X

申请日：2012-12-04

申请人： ESI派罗弗特尼克斯雷射股份有限公司

发明人： 马修·瑞考

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18 ,  B23K26/57

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L21/42 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/188

摘要： 一种薄膜光伏打装置包括一基板及一耦接至该基板的第一导电层。该第一导电层包括延伸穿过该第一导电层的一第一部分至该基板的一部分的至少一个第一凹槽。该装置也包括耦接至该第一导电层的一剩余部分及该基板的该部分的至少一个半导体层。该至少一个半导体层包括多个不重叠通孔，各通孔延伸穿过该至少一个半导体层的一部分至该第一导电层的一部分。该装置进一步包括一耦接至该至少一个半导体层的一剩余部分及该第一导电层的各部分的第二导电层。该第二导电层包括延伸穿过该第二导电层的一部分至该至少一个半导体层的一部分的至少一个第二凹槽。

公开(公告)号：CN103688365A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035087.5

申请日：2012-07-18

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  栗原祥晃 ,  加藤隆彦

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01B1/22 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/022433 ,  C22C5/08 ,  C22C9/00 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/0682

摘要： 本发明提供一种元件，其包括半导体基板、及设置于所述半导体基板上的电极，所述电极是电极用组合物的烧成物，所述电极用组合物含有含磷的铜合金粒子、玻璃粒子以及分散介质，且所述电极包含纵横比为2∶1～250∶1的形状为线状的电极，所述纵横比定义为所述电极短边长度：所述电极高度。

公开(公告)号：CN102782869B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201080063496.7

申请日：2010-12-09

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫 ,  P·卡普尔 ,  K·J·克拉默 ,  D·X·王 ,  S·苏特 ,  V·V·雷纳

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 提供了背结背接触三维太阳能电池及其制造方法。背结背接触三维太阳能电池包括三维衬底。该衬底包括具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，和极性与掺杂的基极区域相反的掺杂的背面发射极区域。背面钝化层置于掺杂的背面发射极区域上。背面发射极触点和背面基极触点，其连接至金属互连件且选择性地在三维太阳能电池背面的三维特征上形成。

公开(公告)号：CN102763226A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080063494.8

申请日：2010-12-09

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫 ,  P·卡普尔 ,  K·J·克拉默 ,  D·X·王 ,  S·苏特 ,  V·V·雷纳 ,  A·卡尔卡特拉 ,  E·范·科斯查伟

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了背结背触点太阳能电池及其制造方法。所述背结背触点太阳能电池包括衬底，所述衬底具有：具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，以及掺杂的背面发射极区域，所述背面发射极区域的极性与掺杂的基极区域相反。发射极上的背面钝化层和图案化的反射层形成光捕获背面反射镜。在所述太阳能电池的背面设置交叉指状金属化图案，并且为该电池的支撑提供永久性加强物。

公开(公告)号：CN102754223A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180008501.9

申请日：2011-04-13

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 三浦好雄 ,  铃木晋一 ,  太田大助

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

摘要： 一种太阳能电池元件，其特征在于，具有：具有一导电型的第一半导体层和反向导电型的第二半导体层的半导体基板；用于取出发电电力的电极，所述第二半导体层配置于所述半导体基板的至少第一主面，并且所述电极具有配置于所述第二半导体层上的第一电极和配置于所述半导体基板的位于所述第一主面的相反侧的第二主面的第二电极，所述第一电极及所述第二电极的至少一方含有银、铜及镍作为主成分。

公开(公告)号：CN102714253A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080056381.5

申请日：2010-11-25

申请人： 弗劳恩霍弗应用技术研究院

发明人： 斯蒂芬·雷伯 ,  埃米莉·米切尔 ,  尼尔斯·布林克曼

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及薄膜太阳能电池，特别涉及外延穿孔卷绕式(EpiWT)太阳能电池，该太阳能电池具有至少一个通孔，其中，所述至少一个通孔的轮廓的周长与由该通孔的轮廓所包围的面积的比例大于具有相同面积的圆的周长与面积的比例。

公开(公告)号：CN102403372A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110285375.3

申请日：2011-09-06

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 反田真之

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/048 ,  H01L31/20 ,  B32B37/00

CPC分类号： H01L31/0201 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50 ,  Y10T156/1051

摘要： 本发明公开一种在不损坏柔性的情况下可将内部布线连接至多个片状的光电转换元件的技术。副金属箔线被布置为与光电转换元件的背面电极层接触。副金属箔线通过胶带固定在背面电极层上。此外，将副金属箔线折叠成使得主金属箔线介于副金属箔线的折叠部分之间。这样，主金属箔线与副金属箔线连接。副金属箔线通过胶带固定在背面电极层上。

公开(公告)号：CN102301488A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200980155733.X

申请日：2009-09-07

申请人： LG电子株式会社

发明人： 姜周完 ,  高志勋 ,  金钟焕 ,  张大熙

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/022458 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 公开了太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：第一导电类型的基板，其具有至少一个通孔；所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；电连接到所述射极层的第一导体；通过所述通孔而电连接到所述第一导体的第二导体；以及电连接到所述基板的第三导体，所述第三导体与所述第二导体电气分离。所述第一导体的一部分和所述第二导体的一部分位于所述通孔内。

公开(公告)号：CN102257636A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980151530.3

申请日：2009-10-23

申请人： 奥塔装置公司

发明人： 伊西克·C·奇吉尔亚里 ,  美利莎·艾契尔 ,  哈利·艾华特 ,  汤玛士·J·吉密特 ,  何甘 ,  安德瑞斯·海吉杜斯 ,  雷格·东克

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/022458 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 提供了用于以与常规太阳能电池相比时增大的效率将电磁辐射(例如太阳能)转化为电能的方法及装置。光伏(PV)器件大致上包括：窗层；吸收层，其布置在窗层下方，使得在光子通过窗层行进且被吸收层吸收时产生电子；以及用于外部连接的多个接点，其耦接到吸收层，使得用于外部连接的所有接点布置在吸收层下方且不会阻挡任何光子经由窗层到达吸收层。将所有的接点定位在PV器件的背侧上避免了由前侧接点造成的太阳阴影，太阳阴影一般存在于常规太阳能电池中。因此，本文描述的具有背侧接点的PV器件与常规太阳能电池相比可以允许增加效率。