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公开(公告)号：CN102422394B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201080021046.1
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/18 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于气相沉积的反应器盖子组件，包括被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件和隔离器组件，以及被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第二淋喷头组件和排气组件，其中隔离器组件被布置在第一淋喷头组件和第二淋喷头组件之间，并且第二淋喷头组件被布置在隔离器组件和排气组件之间。
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公开(公告)号：CN104962879A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510196727.6
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明涉及气相沉积反应器系统及其方法。本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板，其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器，以及布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件，灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。
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公开(公告)号：CN102246274A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149843.5
申请日：2009-10-09
申请人： 奥塔装置公司
发明人： 安德瑞斯·海吉杜斯
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/301 , C23C16/45519 , C23C16/45576 , C23C16/4583 , C23C16/481 , C23C16/54 , Y10T137/87571
摘要： 本发明的实施方式一般涉及一种在气相沉积工艺过程中沉积反应器或系统中使用的同轴气体歧管组件。在一个实施方式中，歧管组件具有耦合到中间部分的上部分，中间部分耦合到下部分。中间部分包含进口、从进口延伸到通路的歧管、和沿中心轴线延伸并包含通道的管，所述通道沿中心轴线并且与通路流体连通。歧管组件的下部分包含从第二进口延伸到第二通路的第二歧管和与中心轴线同轴的开口。管延伸到开口以在管和开口的边缘之间形成第二通道。第二通道与中心轴线同轴并且与第二通路流体连通。
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公开(公告)号：CN106609362A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510963868.6
申请日：2015-12-21
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565
摘要： 本发明涉及用于半导体化学气相沉积反应器的平铺式喷头。公开了由喷头平铺件阵列形成的半导体处理反应器的喷头。每个喷头平铺件具有可以在平铺件的中心区域中或可在整个平铺件上延伸的多个工艺气体孔。每个喷头平铺件可被定尺寸用于处理相应的基底或多个基底，或阵列可被定尺寸用于处理基底。排气区围绕工艺气体孔。排气区具有至少一个排气孔，并可包括排气狭槽、多个连接的排气狭槽或多个排气孔。排气区围绕喷头平铺件阵列，或排气区的相应部分围绕在每个喷头平铺件或一组喷头平铺件中的多个工艺气体孔。气体帷幕孔可以在排气区和喷头平铺件之一的工艺气体孔之间或邻近于平铺件的中心区域。
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公开(公告)号：CN102422392A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020750.5
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01K7/00
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)的装置和方法。在一个实施方案中，提供用于CVD反应器系统的加热灯组件，加热灯组件包括灯壳体，灯壳体被布置在支撑基部的上表面上并且包括从第一灯保持器延伸至第二灯保持器的多个灯。灯可以具有分裂灯丝灯和/或非分裂灯丝灯，并且在某些实施例中，分裂灯丝灯和非分裂灯丝灯可以被交替地布置在第一灯保持器和第二灯保持器之间。反射器可以被在第一灯保持器和第二灯保持器之间布置在支撑基部的上表面上。在另一个实施方案中，方法包括将晶片承载器的下表面暴露于从加热灯组件放射的能量，并且将晶片承载器加热至预先确定的温度。
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公开(公告)号：CN102257628A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980150920.9
申请日：2009-10-23
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0516 , H01L31/022441 , H01L31/035281 , H01L31/0512 , H01L31/0735 , Y02E10/544
摘要： 提供了用于以与常规太阳能电池相比时增大的效率将电磁辐射(例如太阳能)转化为电能的方法及装置。光伏(PV)单元可使所有的电接点定位于PV器件的后侧上以避免遮蔽并增加碰撞在PV单元的前侧上的光子的吸收。可将若干PV单元组合成PV组，且可连接PV组的阵列以形成PV模块，PV模块具有在低温下形成的金属或导电聚合物的薄条带。在与常规太阳能电池相比时，这样的创新可允许PV器件的较大的效率及可挠性。
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公开(公告)号：CN102084464A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126340.6
申请日：2009-05-29
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/7813 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/30612 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/7806 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381
摘要： 本发明的实施方案通常涉及外延迁移(ELO)薄膜和器件，以及用来形成这类膜和器件的方法。ELO薄膜通常包括外延生长层，其在配置于基底例如晶片之上或上方的牺牲层上形成。支撑柄可配置在除了基底外的外延材料的相对侧上。支撑柄可例如通过给外延材料提供压缩来稳定外延材料。此外，在ELO工艺的蚀刻和移除步骤期间，支撑柄可用于抓紧以及支撑住外延材料。在不同实施方案中，支撑柄可包括预先弯曲的柄、多层柄、非均匀蜡柄和两个收缩诱发柄，其普通地或单向地收缩，以给外延材料提供压缩。
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公开(公告)号：CN106609362B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201510963868.6
申请日：2015-12-21
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明涉及用于半导体化学气相沉积反应器的平铺式喷头。公开了由喷头平铺件阵列形成的半导体处理反应器的喷头。每个喷头平铺件具有可以在平铺件的中心区域中或可在整个平铺件上延伸的多个工艺气体孔。每个喷头平铺件可被定尺寸用于处理相应的基底或多个基底，或阵列可被定尺寸用于处理基底。排气区围绕工艺气体孔。排气区具有至少一个排气孔，并可包括排气狭槽、多个连接的排气狭槽或多个排气孔。排气区围绕喷头平铺件阵列，或排气区的相应部分围绕在每个喷头平铺件或一组喷头平铺件中的多个工艺气体孔。气体帷幕孔可以在排气区和喷头平铺件之一的工艺气体孔之间或邻近于平铺件的中心区域。
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公开(公告)号：CN102422407B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080020492.0
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/673 , B65G51/03 , B65G49/06 , B65G54/02 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于使晶片承载器在气相沉积反应器系统内漂浮和横移的晶片承载器轨道，晶片承载器轨道包括轨道组件的上部和下部，上部和下部具有在其之间形成的气体空腔。导向路径沿着上部的上表面并且在两个侧表面之间延伸，两个侧表面沿着导向路径并且在导向路径上方并且平行于彼此延伸。沿着导向路径的多个气体孔从上部的上表面延伸，穿过上部，并且进入气体空腔中。在某些实施例中，轨道组件的上部和下部可以独立地包括石英，并且在某些实施例中可以被熔合在一起。
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公开(公告)号：CN102422390A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020505.4
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板，其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器，以及被布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件，灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。
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