太阳能电池元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN107690709B

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201680030373.0

    申请日:2016-05-27

    Inventor: 三浦好雄

    Abstract: 为了成为高效率地维持光电变换效率的同时可靠性以及生产性出色的太阳能电池元件,太阳能电池元件(10)具备:在一个表面具有p型半导体区域的半导体基板(1);位于所述p型半导体区域之上且包含氧化铝的钝化层(9);以及位于该钝化层(9)之上且包含具有烷基的聚硅氧烷层的保护层(11)。

    太阳能电池元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102484151A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080038379.5

    申请日:2010-09-28

    Inventor: 三浦好雄

    Abstract: 元件的外侧存在从背面或相邻的元件多重反射来的入射光的强度高的倾向,由此,太阳能电池元件的周缘部与中央部相比,每单位面积产生的电流增大,因此电流极端地集中在太阳能电池元件上的特定的电极而电流不再向其他的电极流动,作为元件整体存在串联电阻上升这样的问题。太阳能电池元件具备半导体基板,该半导体基板具有作为受光面的第一面、作为该第一面的背面的第二面、从所述第一面到所述第二面形成的多个贯通孔,其中,所述多个贯通孔的开口部的面积随着从所述半导体基板的中央部朝向周缘部而增大。

    太阳能电池元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN107690709A

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201680030373.0

    申请日:2016-05-27

    Inventor: 三浦好雄

    Abstract: 为了成为高效率地维持光电变换效率的同时可靠性以及生产性出色的太阳能电池元件,太阳能电池元件(10)具备:在一个表面具有p型半导体区域的半导体基板(1);位于所述p型半导体区域之上且包含氧化铝的钝化层(9);以及位于该钝化层(9)之上且包含具有烷基的聚硅氧烷层的保护层(11)。

Patent Agency Ranking