公开(公告)号：CN103249241A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210208923.7

申请日：2012-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明志 ,  林柏宏 ,  高宗恩 ,  林进祥

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/351 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/34 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 在一些实施例中，本发明内容涉及被配置成在工件周围形成对称的等离子体分布的等离子体处理系统。在一些实施例中，等离子体处理系统包括在处理室周围对称设置的多个线圈。当向线圈提供电流时，独立线圈发射出独立磁场，磁场用于离子化靶原子。独立磁场在线圈内作用于离子以在线圈内部形成等离子体。而且，独立磁场在线圈之间彼此叠加以在线圈外形成等离子体。因此，所公开的等离子体处理系统可以沿着工件的圆周以高度的均匀性（例如，没有死空间）形成连续延伸的等离子体。本发明还提供了新型多线圈靶设计。

公开(公告)号：CN102959123A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030093.7

申请日：2011-09-20

Applicant: 诺发系统公司

Inventor： 吴里奇 ,  伊时塔克·卡里姆 ,  邱华潭 ,  朴凯金 ,  周春明 ,  卡蒂克·科林吉瓦蒂

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/351 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3458

Abstract: 一种物理气相沉积（PVD）系统，其包括室和布置于该室的靶区域中的靶。基座具有用于支撑衬底的表面，并且被布置于室的衬底区域中。迁移区域位于该靶区域和该衬底区域之间。N个同轴线圈被布置在与该基座的表面平行且在该基座的下方的第一平面上。M个同轴电缆线圈被布置与该基座相邻。N个电流分别在同轴线圈中沿第一方向流动，M个电流分别在同轴线圈中沿与第一方向相反的第二方向流动。

公开(公告)号：CN102239276A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148747.9

申请日：2009-10-15

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 恒川孝二

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/3402 ,  C23C14/14 ,  C23C14/351 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  H01F41/18 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3426 ,  H01L43/12

Abstract: 提供一种等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序，针对大口径基板，改进磁性薄膜的易磁化轴的偏差。等离子体处理装置(1)具备：基板保持件(11)，其支承基板(10)；磁体保持件(31)，其在基板保持件周围支承磁体(30)；阴极部件(50)，其在基板上方施加放电电压；旋转机构(20、40)，其沿着基板处理面的面方向能够使基板保持件和磁体保持件中的至少一个或者两者旋转；旋转位置检测单元(25、45)，其检测基板和磁体的旋转位置；以及控制装置(60)，其控制各操作要素的动作，其中，控制装置根据旋转位置检测单元的检测信号对基板保持件或者/以及磁体保持件的旋转机构进行控制以使在磁性薄膜的溅射成膜中使基板处理面的易磁化轴与由磁体施加的磁场之间的相对角度摆动变化。

公开(公告)号：CN101418434B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200710202213.2

申请日：2007-10-23

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 骆世平

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/50 ,  C23C14/351 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种溅镀载台，用于承载被镀物以进行溅镀制程。该溅镀载台包括本体和承载体，所述本体为由第一边框、第二边框、第三边框和第四边框组成的中空框体，所述第一边框和第三边框相对设置且分别设置有长形凹槽，所述第二边框和第四边框相对设置且分别设置有线圈，所述承载体为由第五边框、第六边框、第七边框和第八边框组成的中空框体，所述第五边框与第七边框相对设置且分别向远离承载体的方向形成突块，所述突块活动地设置在所述凹槽内，所述突块靠近所述第六边框或第八边框，所述第六边框或者第八边框上设有磁铁。

公开(公告)号：CN101443898A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780017381.2

申请日：2007-03-08

Applicant: 能源变换设备有限公司

Inventor： S·R·奥夫辛斯基 ,  H·C·奥夫辛斯基 ,  M·伊祖 ,  J·德勒 ,  K·霍夫曼 ,  J·基 ,  M·利塞特

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/04

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/351 ,  C23C14/542 ,  C23C14/562 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/517 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供了一种用于在一个或多个连续腹板或不连续基底上沉积一个或多个薄膜层的设备。该设备包括用于分送一个或多个腹板的放出单元、将一系列一个或多个薄膜层沉积在腹板上的沉积单元、以及在沉积之后接收并存储腹板的收取单元。本沉积设备包括支承系统，其用于使一个或多个腹板或基底的输送进行引导并使之稳定而穿过沉积室。该支承系统包括磁性导向组件和边缘稳定组件，其用以抑制腹板或基底在除了穿过设备的方向之外的方向上的运动干扰。

公开(公告)号：CN201614406U

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200820112365.3

申请日：2008-08-27

Applicant: 梯尔涂层有限公司

Inventor： 丹尼斯·梯尔

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/351 ,  H01J37/3408 ,  H01J2237/336

Abstract: 本实用新型涉及产生并且维持一个闭合场的设备，所述设备提供磁控管和/或磁体组件以在一个有待镀层的基底所处位置的一个镀层腔体内产生一个磁场。为了实现这一目标，至少提供两个磁控管和/或磁体组件，每一个都具有内部部分和相反极性的外部部分。所述磁控管和/或磁体阵列设置为：一个磁控管和/或磁体组件的外部部分和其他，或另一个磁控管和/或磁体组件的外部部分，放置在相邻位置。并且，至少一个所述磁控管或磁体组件具有相反极性。