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公开(公告)号：CN1160480C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN00807165.9
申请日：2000-02-15
Applicant: 能源变换设备有限公司
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C14/562 , C23C16/0245 , C23C16/511 , C23C16/545
Abstract: 一种利用两种不同的真空沉积工艺把至少两种不同层的薄膜材料真空沉积到基底上的设备和方法。还公开了一种新颖的直线式涂敷器，该涂敷器应用微波强化的CVD把薄膜材料均匀地沉积在整个加长的基底上。
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公开(公告)号：CN1303630C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN00819458.0
申请日：2000-02-22
Applicant: 能源变换设备有限公司
IPC: H01J7/24
CPC classification number: C23C16/513 , C23C16/517
Abstract: 一种高质量等离子体强化表面改性或者CVD薄膜沉积的方法和设备。本发明使用微波(5)和电子束能量(6)以产生受激发的物质的等离子体，受激发的物质能够对基体(2)的表面进行改性或者沉积在基体上以形成所需的薄膜。本发明还使用一个气体喷射系统(3)以将反应物质引入到等离子体中。气体喷射系统(3)能够使沉积速度高于常规PECVD方法的沉积速度并且保持所需的高质量沉积材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1452778A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN00819458.0
申请日：2000-02-22
Applicant: 能源变换设备有限公司
IPC: H01J7/24
CPC classification number: C23C16/513 , C23C16/517
Abstract: 一种高质量等离子体强化表面改性或者CVD薄膜沉积的方法和设备。本发明使用微波(5)和电子束能量(6)以产生受激发的物质的等离子体，受激发的物质能够对基体(2)的表面进行改性或者沉积在基体上以形成所需的薄膜。本发明还使用一个气体喷射系统(3)以将反应物质引入到等离子体中。气体喷射系统(3)能够使沉积速度高于常规PECVD方法的沉积速度并且保持所需的高质量沉积材料。
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公开(公告)号：CN1751138A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004670.5
申请日：2004-02-04
Applicant: 能源变换设备有限公司
CPC classification number: B01J3/02 , B01J19/22 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C16/545 , F16J15/3452
Abstract: 这里公开了一种改进的气门，用于互相连接不同气体组成和/或压力的区域，更具体说是大气压与真空之间。该气门包括圆筒，位于安装在不同气压区域之间的外壳中。基材材料的卷材在具有至少一个辊的第一区域和具有至少一个辊的第二区域的区域之间移动。辊设置成当卷材在两个区域之间在圆筒的上外围部分上面或在两区域之间在圆筒下外围部分下面前移时产生足够的张力。在示例性实施方案中，该气门特征在于外壳顶板和在圆筒上外围部分上前移的基材卷材之间的通道高度，以及外壳底板和圆筒下外围部分之间的通道的高度。通过其中的气体流速在圆筒入口和两个相互连接区域中的至少一个之间产生接近音速的气体流，从而通过减少接近音速流的区域内扩散物质碰撞之间的平均自由行程长度，有效地将具有一种组成和压力特征的一个区域与具有不同组成和/或压力的另一个区域相隔开。
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公开(公告)号：CN102154631A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010621875.5
申请日：2004-02-04
Applicant: 能源变换设备有限公司
CPC classification number: B01J3/02 , B01J19/22 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C16/545 , F16J15/3452
Abstract: 本发明公开了一种改进的气门，用于互相连接不同气体组成和/或压力的区域，更具体说是大气压与真空之间。该气门包括圆筒，位于安装在不同气压区域之间的外壳中。基材材料的卷材在具有至少一个辊的第一区域和具有至少一个辊的第二区域的区域之间移动。辊设置成当卷材在两个区域之间在圆筒的上外围部分上面或在两区域之间在圆筒下外围部分下面前移时产生足够的张力。在示例性实施方案中，该气门特征在于外壳顶板和在圆筒上外围部分上前移的基材卷材之间的通道高度，以及外壳底板和圆筒下外围部分之间的通道的高度。通过其中的气体流速在圆筒入口和两个相互连接区域中的至少一个之间产生接近音速的气体流，从而通过减少接近音速流的区域内扩散物质碰撞之间的平均自由行程长度，有效地将具有一种组成和压力特征的一个区域与具有不同组成和/或压力的另一个区域相隔开。
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公开(公告)号：CN101443898A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780017381.2
申请日：2007-03-08
Applicant: 能源变换设备有限公司
CPC classification number: C23C16/545 , C23C14/0078 , C23C14/351 , C23C14/542 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C16/4401 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/517 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种用于在一个或多个连续腹板或不连续基底上沉积一个或多个薄膜层的设备。该设备包括用于分送一个或多个腹板的放出单元、将一系列一个或多个薄膜层沉积在腹板上的沉积单元、以及在沉积之后接收并存储腹板的收取单元。本沉积设备包括支承系统，其用于使一个或多个腹板或基底的输送进行引导并使之稳定而穿过沉积室。该支承系统包括磁性导向组件和边缘稳定组件，其用以抑制腹板或基底在除了穿过设备的方向之外的方向上的运动干扰。
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公开(公告)号：CN1349566A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN00807165.9
申请日：2000-02-15
Applicant: 能源变换设备有限公司
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C14/562 , C23C16/0245 , C23C16/511 , C23C16/545
Abstract: 一种利用两种不同的真空沉积工艺把至少两种不同层的薄膜材料真空沉积到基底上的设备和方法。还公开了一种新颖的直线式涂敷器,该涂敷器应用微波强化的CVD把薄膜材料均匀地沉积在整个加长的基底上。
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