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公开(公告)号：CN114203800A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111509416.2
申请日：2021-12-10
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种基于HK‑PGaN梯度超结的新型垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si衬底、AlN/GaN超晶格层、N+‑GaN基底层、N‑GaN层、P‑GaN电流阻挡层等结构，本发明将超结进行梯度掺杂并和高K介质的间隔排布能更有效的实现了调制电场，相对于传统的超结结构，这种渐变梯度的掺杂超结能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻，高K介质引入P‑GaN梯度柱有效的提升了器件的击穿电压，栅下的高K混合介质能更好的发挥器件的栅控能力，有效增加饱和电流并降低了导通电阻以及更有效的高温传导，该制备方法中的工艺步骤使用的均是目前比较成熟的技术，能够减少器件制造工艺过程中的损伤，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN111996593B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010773709.0
申请日：2020-08-04
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法及装置，控制方法包括步骤：获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置；基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表，依据所述第一生长温度值确定耔晶载物盘的第二生长阶段位置；控制所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置移动至所述第二生长阶段位置。该控制方法在预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表基础上，根据第一真空腔体温度值确定耔晶载物盘位置，进而实现对耔晶载物盘位置的定位，避免人为根据经验进行调整，定位精度较高，误差较小，降低了耔晶生长的不确定因素，从而可以生长得到质量较好的金刚石耔晶。
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公开(公告)号：CN113130642A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110218550.0
申请日：2021-02-26
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法，该场效应管包括自下而上依次层叠设置的衬底、AlN层、本征GaN层和p+GaN层；源电极，设置在所述p+GaN层上；漏电极，设置在所述p+GaN层上，且与所述源电极相对设置；n‑GaN层，设置在所述本征GaN层和所述p+GaN层的内部，且位于所述源电极和所述漏电极之间；栅电极，设置在所述n‑GaN层上。本发明的基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管，在GaN/AlN异质结上设置有n‑GaN层，通过调节n‑GaN层的掺杂浓度和生长厚度，耗尽p+GaN层中的空穴，形成增强型器件，且阈值电压可由n‑GaN的厚度和掺杂浓度控制。
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公开(公告)号：CN112397604A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011290925.6
申请日：2020-11-18
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于m面4H‑SiC异质外延非极性AlGaN/BN的PN结紫外探测器及制备方法，主要解决现有技术由量子限制斯塔克效应导致外量子效率下降和失配导致的外延层开裂问题。其自下而上包括：m面4H‑SiC衬底(1)和n型AlGaN外延层(2)；该n型AlGaN外延层采用Al组分为85％‑95％，掺杂浓度为1017‑1018cm‑3的AlGaN，其上同时设有掺杂浓度为1018‑1020cm‑3的p型BN外延层(3)和n型欧姆接触电极(4)；该p型BN外延层上设有p型欧姆接触电极(5)。本发明减小了材料的缺陷密度，提高了p型层空穴浓度，提升了器件的可靠性和外量子效率，可用于紫外探测设备中。
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公开(公告)号：CN112030226A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010774593.2
申请日：2020-08-04
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长流程控制方法及装置，该控制方法包括步骤：根据抽气流程启动信号、抽气系统中各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行抽气流程控制，使真空腔体内的压力达到目标压力；根据工艺流程启动信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行工艺流程控制，实现金刚石生长控制；根据工艺停止信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空计压力模拟量信号进行排气流程控制，使真空腔体内的压力恢复至常压。该控制方法可以使得每个阶段中各个元件保持最后的状态，除流程外的元件闭锁，从而避免人为误操作导致的危险事故发生，进而提高金刚石生长的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN112030146A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010774594.7
申请日：2020-08-04
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/27 , C23C16/511 , C01B32/26
摘要： 本发明涉及一种基于PLC冷却装置的金刚石生长控制方法及装置，该方法包括步骤：根据冷却启动信号和冷却系统的反馈信号控制冷却装置运行，以向金刚石生长系统提供冷却水；根据所述冷却水的回流温度信号或所述冷却水的流量信号对所述金刚石生长系统进行控制，使所述金刚石生长系统继续运行或者停止运行。该控制方法根据冷却系统的反馈信号控制冷却装置运行，并且根据冷却装置中冷却水的回流温度信号或者流量信号控制金刚石生长系统的运行，能够保证系统关键部件发生异常时第一时间执行安全管控，防止发生事故，达到无人值守的功能，并且操作人员能够及时发现设备异常，从而及时排除异常，保证金刚石的正常生长。
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公开(公告)号：CN111996581A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010653578.2
申请日：2020-07-08
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种单晶金刚石与衬底无损耗快速分离方法，包括步骤：S1、选取表面为(100)晶面的单晶金刚石作为衬底；S2、在所述衬底的表层中形成表面为(100)晶面的非金刚石层；S3、刻蚀所述非金刚石层和所述衬底，形成若干表面为(111)晶面的凹槽；S4、在所述非金刚石层的(100)晶面上选择性外延生长金刚石，形成外延层；S5、利用电化学腐蚀方法将所述凹槽之间的所述非金刚石层电解刻蚀掉，使所述外延层与所述衬底分离。该分离方法在金刚石衬底上预先刻蚀(111)晶面的凹槽，然后进行(100)晶面选择性外延，之后利用电化学腐蚀方法刻蚀掉相邻凹槽间的非金刚石层，实现分离衬底与外延层的目的，由于腐蚀深度小，大幅度提升了分离速度。
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公开(公告)号：CN111826635A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010773735.3
申请日：2020-08-04
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：波导装置，波导装置包括微波天线，微波天线包括进气管、水冷结构、天线下盘和分气盘，反应腔，设置在波导装置下方，与波导装置连接，天线下盘位于反应腔内部；旋转升降冷却机构，旋转升降冷却机构包括主轴、升降机构、旋转机构和冷却机构，其中，主轴顶端与反应腔内设置的生长平台连接；升降机构、旋转机构和冷却机构均与主轴连接，以驱动主轴带动生长平台在反应腔内做直线运动和旋转运动的同时进行水冷散热。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台，避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象。
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公开(公告)号：CN107170795B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201710197668.3
申请日：2017-03-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种源‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极下方有两个注入区(8)，除肖特基漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(12)，电流阻挡层之间形成孔径(5)；电流阻挡层采用二级台阶结构，钝化层左右两边的上部和背面分别刻有整数个源阶梯和漏阶梯，阶梯上淀积有金属，分别形成源场板(13)和漏场板(14)，源场板与源极电气连接，漏场板与漏极电气连接。本发明双向击穿电压高、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN110911485A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911178522.X
申请日：2019-11-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种基于P型层的增强型双向阻断功率GaN基器件及制作方法，主要解决现有技术的误开启问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)和势垒层(5)，势垒层两侧上方为源极(7)和漏极(8)，势垒层的中间上方设有P型层(6)，P型层的上部为栅极(9)，栅极与源极、栅极和漏极之间为钝化层(10)。本发明通过在栅电极下方淀积P型层，使得只有在栅电极上加正向电压时才会吸引电子形成2DEG导电沟道，而在未工作时处于常闭状态，避免了因为环境带来的噪声所引起的器件误开启，降低了器件的功耗，提高了器件的可靠性和稳定性，可作为交流到交流的变换电路和电力电子的功率开关电路。
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